Электростатический громкоговоритель

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 119 4 Н 04 К 19 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ(57) Изобретение относится к технике связи, конкретно к акустическим излу чателям электростатического типа. Цель изобретения - повышение электри ческой прочности электродов и надежсти работы громкоговорителя. Между двумя пластинами-электродами 1 с токопроводящим 2 и изоляционным 3 покрытиями размещена эластичная мембрана 4 с проводящим покрытием. На электродах 1 выполнено большое число звукопроницаемых отверстий 6, по периметру которых нанесены кольцевые Площадки 7 из полупроводящего покрытия.Эти площадки позволяют уменьшить направленные составляющие напряженностипо поверхности изоляции, приводящиек пробою изоляционного покрытия принаиболее близком приближении колеблющейся мембраны 4 к электродам 1,2 ил.( ц,ы Е,Е где Е Изобретение относится к техникесвязи и может быть использовано присоздании акустических излучателейэлектростатического типа.Цель изобретения - повышение электрической прочности электродов и надежности работы громкоговорителя.На фиг.1 показан громкоговоритель,общий вид; на фиг.2 - узел Ена фиг,1;на фиг.З - сравнительная зависимостьнапряженности поля,Электростатический громкоговоритель содержит две пластины - электрода 1 с токопроводящим покрытием 2 инанесенным ;.золяционным покрытием 3,эластичную мембрану 4 с проводящимпокрытием 5 на одной или обеих сто -ропах. Каждый из электродов 1 имеетбольшое число звукопроницаемых отверстий, Мембрана 4 располагаетсямежду фиксированными электродами 1,обращенными токопроводящими покрытиями 2 друг к другу. При подаче намембрану 4 поляризующего напряжения,а на электроды 1 напряжения звуковойчастоты, мембрана 4 колеблется, возбуждая через звукопроницаемые отверстия 6 воздух. При максимальной амплитуде колебания мембрана 4 может бесконечно близко приближаться к элек- ЗОтродам 1, При этом максимальная вероятность пробоя изоляционногослоя возникает по кромкам токопроводящего слоя 2 отверстий 6, т.е. вместах резконеоднородного электрического поля,Кольцевые площадки 7 из полупроводящего покрытия вокруг звукспроницаемых отверстий 6 электродов 1уменьшают составляющие напряженности Е, направленные по поверхностиизоляции.При этом удельное поверхностноесопротивление полупроводящего покрытия должно удовлетварять соотношению а его ширина23) - -1 Ы 1, Е 1 где Е , - допустимая напряженность,соответствующая отсутствию разрядов о изоляции;ЕА - напряжение, приложенноемежду электродом и мембраной,толщина изоляции 1оГ - диэлектрическая проницаемость воздуха и изоляции;Ы - верхняя граничная частотарабочего диапазона,Графическая зависимость напряженности для обоих случаев приведена на фиг.З. Площадки свободные от токопроводящего покрытия выполняют известными методами например травлением, нанесение полупроводящего покрытия - методом шелкографии.Использование предлагаемого изобретения позволит повысить надежность в работе электростатических громкоговорителей, а за счет повьппения значения поляризующего напряжения при низменной толщине изоляции 3 - увеличение их чувствительности. Формула изобретения Электростатический громкоговоритель, содержащий эластичную мембрану, расположенную в воздушном промежутке, образованном двумя неподвижными перфорированными электродами с нанесенным на них со стороны мембраны токо- проводящим покрытием с изоляционной пленкой, которая частично заходит в перфорированные отверстия электродов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения электрической прочности электродов и надежности в работе, по периметру звукопроницаемых отверстий со стороны мембраны нанесены кольцевые площадки из полупроводящего покрытия с удельным поверхностным сопротивлениемг, Е.,3П- Цг при этом ширина покрытия выбираетсяиз соотношения- допустимая напряженность,соответствующая отсутствию разрядов по изоляции; - напряжение, приложенноемежду электродом и мембраной;толщина изоляции;- диэлектрическая проницаемость воздуха и изоляции; верхняя граничная частота рабочего диапазона./5 оектная, 4 г. Ужгород,е пред Ти НИИПИ Государ по делам изо 13035, Москва