Стекло

Номер патента: 1418301

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Морозова, Петрова, Писляков, Шутова

МПК: C03C 3/064

Метки: резисторов, стекло

...электрическогонапряжения.Цель изобретения - уменьшение 15уровня шумов и коэффициента напряжеНия толстопленочных резисторов наоснове ЗпО,Дпя получения стекла в качествесырьевых материалов используют химические реактивы марок х.г.,г,г.р.а.В Оз вводят через борную кислоту, остальные ингредиенты - через оксидысоответствующих элементов, стекловарят в корундизовых тиглях емкостью25200 мл в силитовых печах при 1450+о+10 С, выдержка 30 мин.Конкретные составы предлагаемогостекла представлены в табл. 1,Свойства стекол - коэффициент линейного термического расширения(КЛТР), дилатометрическая температура размягчения (С,) и плоставлены в табл, 2,В отличие от иэвестногмое стекло позволяет изго толстопленочные резисторы на основе ЗпО с...

Номер патента: 1595803

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Гулямов, Ильганаев, Исматов

МПК: C03C 3/07

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...тигли и загружают в электрическую печь с силикатовыми нагревателями, Варку осуществляют при 1350110 ф С с выдержкойпри максимальной температуре 1 ч.Для получения мелкораздробленногостекла расплав выливают в металлический сосуд с холодной водой. зо щиэщ ленни толстопленочных низкоомныхкерметных композиционных резисторов,применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники. С целью снижениятемпературы размягчения и повышениятемпературного коэффициента линейного расширения стекло для толстопленочных Резисторов содержит, мас.Е:.РЬО 66,0-68,0; 310 28,0-32 ф 01 А 1 гОэ2,0-5,0. Температура размягчения500-550 С, ТКЛР (30-300 С), о(66,6572,10) 1 О град -, плотность 4,724,95 г/смэ, показатель светопреломпения...

Номер патента: 1375587

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Бобкова, Молочко, Раков, Соловей, Шалимо

МПК: C03C 3/074

Метки: резисторов, стекло

...для изготовления резистивных композиций по толсто- пленочной технологии.Цель изобретения - повышение кристаллизационной и химической устойчивости,Составы стекол приведены в табл.1. Свойства стекол приведены в табл.2. Из табл.2 следует, что описываемые стекла обладают повышенной кристаллизационной и химической устойчивостью.При составлении шихт используют сырьевые материалы марки ч, хч ичда. Стекла варят в силитовой печи при 1330110 С. Выработку стекломассы осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления образцов, необходимых для исследования физико-химических свойств. Данные стекла обеспечивают работуприборов в условиях повышенной влажности. Полученные резисторы отличаются стабильностью...

Номер патента: 842644

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Водяников, Гурылев, Лопухин, Шелест

МПК: G01R 31/26, H01L 21/70, H05K 13/00

Метки: интегральных, микросборок, моделированиягибридных, физического

...19 и базовую пластину 20 к вакуумному захвату 11 манипулятора 10. После этого отключается электромагнит 16 управления клапаном, закрывается клапан 15, а затем отключается электромагнит 14 поддержки, Навесной элемент 8 удерживается у базовой пластины 20, благодаря разности давлений внутри и вне колпака 12. Чтобы такое удерживание обеспечить, необходимо, чтобы диаметр отверстий базовой пластины 20 был много меньше размеров меньшего из навесных элементов 8. Расстояние между отверстиями базовой пластины 20 должно быть тоже много меньше размеров навесного элемента 8, в противном случае на базовой пластине 20 будут области, где присосать навесной элемент не удастся, Переместив требуемый навесной элемент 8 и закрепив его на заданном месте,...

Номер патента: 273290

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Абдрахманов, Рус

МПК: H03F 3/04

Метки: избирательный, усилитель

...с общим эмиттером, а по персмеииому - ио схеме с общей базой. Резисторы 2 определяют величицу напряжениях ещепия ия базах транзисторов 1, резисгор, задаст ток эмиттеров транзисторов 1. Коцдецсаторы Я используются в качестве блокирующих емкостей, Коллекторы транзисторов предыдущих каскадов через катушки 6 и)д ктивцости сОС- дииецы с эмиттерами, а через конденсаторы 6 - с базами транзисторов последующих каскадов.Параллельно емкостям коллектор - с)азя транзисторов 1 вк,почеиы послсдовятельпые )ССПОЧКИ, СОСТ 051 ЩПЕ ИЗ РЯЗДЕ,) И) ЕЛЬНЬ Х СМСО- стей 7 и иейтрализующи.:ц;дуктивиостей 8, агрхзсо) Носледиего каскада усилителя мослукить солебятельи ),Онтур 9.Усиливаемьй сигиал подается и;) эмиттер первого каскада. Выделение сигиаля в этом и...