ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВ ЬСТВ рхано ужб тит СС 97(54) (57) ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, щий корпус и полевой тран о е жаор ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Ташкентский ордена Дрнародов политехнический иним. А,Р. Бируни(56) Патент США В 3786919кл. Н 01 Ь 11/14, 1974.Авторское свидетельствоУ 498522, кл, С 01 Ь 7/02 801176190 с истоком и стоком, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности, в нем упругая мембрана выполнена в виде полупроводниковой пластинки, на которой сформированы области истока и стока и покрыты диэлектрической пленкой, причем исток и сток выполнены в виде двух неперекрывающихся между собой групп секторов, расположенных симметрично относительно общего центра с, электропроводящими зазорами между секторами; а затвор - в виде капли ртути; помещенной в центре секторов истока и стока,в сферическом углублении, выполненном в корпусе датчика.11761 1Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в качестве датчика давления.Цель .изобретения - повышение чувствительности.На фиг. 1 изображен датчик давления,.общий вид; на фиг. 2 - то же, сечение в плоскости истока; на фиг. 3 - то же, поперечное сечение. 1 ОНа диэлектрическом основании 1 закреплена полупроводниковая подложка 2, в центре которой выполнена круглая мембрана 3. Основание 1 в области мембраны 3 имеет углубление 1 в видЕ шарового сегмента, образующее с подложкой 2 герметичную полость 4, в дентре которой находится ртутный затвор 5. На полупроводниковой подложке 2, например, иэ кремния и-типа 20 сформированы в виде секторов области истока 6 и стока 2, а данном случае р-типа. В геометрическом центре сформированной структуры, совпадающем с центром мембраны 3, сформирована р 5 п+ область 8 для контакта ртутного затвора 5 с полупроводниковой подложкой 2. Для создания омического контакта к подложке сформирована пф область 9.Поверхность полупроводниковойструк-Зо туры покрыта слоем окиси кремния с окнами в центре мембраны 3 и под металлизацией 10 для электродов исток 90 211, стока 12 и подложки 13, Между истоком 6 и стоком 7 по рапиусам расположены .канальные области 14, покрытые более тонким слоем окисла.Устройство работает следущцим образом.Под действием приложенного давления р мембрана 3 прогибается и занимает положение 15, показанное пунктиром. При этом ртутный затвор 5 сдавливается и расползается, занимая положение 16. Канальные области 14 частично перекрываются ртутью, причем ширина перекрытия увеличивается с возрастанием приложенного давления. Увеличение ширины перекрытия приводит к расширению токоведущих каналов, расположенных под ртутным затвором в канальных областях 14, и тем самым к увеличению тока .исток-сток при постоянстве приложенных к структуре напряжений. Расположение истока и стока секторообразно на мембране, выполненной в центральной части полупроводниковой подложки, установленной на основании с углублением в форме шарового сегмента в области мембраны, и расположение ртутного затвора в центральной части указанного сегмента обеспечивает повышение чувствительности датчика давления.11761 90 Составитель А. ЗосимТехред Ж.Кастелевич Корректор В. Синицк актор Е, Копча Тираж 897ИИПИ Государственного комитета СССпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5,ф Заказ 5334/41 ВНПодписноеР Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная

Смотреть

Заявка

3700387, 13.02.1984

ТАШКЕНТСКИЙ ОРДЕНА ДРУЖБЫ НАРОДОВ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Р. БИРУНИ

ЧАКУШИН АНДРЕЙ ЭНВАРОВИЧ, БУРХАНОВ ВАЛЕРИЙ ХОДЖАЕВИЧ, ПЕТРОВА ИРИНА ЮРЬЕВНА, ЗАРИПОВ МАДИЯР ФАХРИТДИНОВИЧ, МИРКАМИЛОВ ДИЛЬШОД МИРАМИЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01L 7/02

Метки: давления, датчик

Опубликовано: 30.08.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1176190-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>

Похожие патенты