Печатающее устройство

Номер патента: 504242

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, считывания, элемента

...чтобы комать действие тока, наводимого вязи, Кроме того, имеется большойамплитуд сигналов на выходных шимента памяти при считывании разЦИИ С ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ линейную шину считывания подают однопо изображена схема элемента оторого предлагается способ в фиг. 2 - временная диаграм мента памяти, в - по извест считътвания, б - по предлагамяти состоит из селек гируюмннвюшего 2 сердечников, резистивным витком связи 3,сердечник 1 прошивается4 считывания и разряднойзапоминвюший сердечник 2 нейной шиной 6 записи и выкоторых перемагничивается селектируюшийсердечник 1 и устанавливается в О запоминающий сердечник 2, На выходной ши.не 7 появляется сигнал "1" или 0", Присчитывании "1 с запоминающего сердечника 2 пэремагничиваютСяоба сердечника...

Номер патента: 31499

Опубликовано: 31.08.1933

Автор: Москвитин

МПК: H02K 5/18

Метки: других, инструментов, машин, охлаждения, ударных, электрических

...вид устройства для охлаждения электрического отбойного молотка и фиг, 2 - общий вид видоизмененного устройства с частичным разрезом.Внешняя поверхность кожуха молотка снабжена ребрами, расположенными по винтовой линии, или вообще с некоторым наклоном к направлению вибраций. Сечение ребра должно быть выбрано таким, чтобы при движении машины в одном направлении сопротивление воздуха было больше, чем при обратном ходе, Одно из таких возможных сечений показано на фиг. 1. Наилучшая форма сечения может быть выработана детальным аэродинамическим расчетом. С помощью ребер а, а колебательное движение воздуха преобразуется в поступательное движение воздуха. Для этой цели также может быть использованы дыры соответствующей формы во фланцах...

Номер патента: 85986

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Сазонов

МПК: C21B 7/00, F25D 17/06

Метки: ватержакетных, доменных, других, мартеновских, охлаждения, печей, элементов

...трубчатый испаритель), с целью использования его тепла для получения водяного пара повышенного давления.5. Устройство по п. 4, от л и ч а ю ш ее с я тем, что охлажденныйв теплообменнике теплоноситель направляют по циркуляционнсмуконтуру в охлаждаемый элемент печи, с целью его использованиядля охлаждения элемента печи.6. Устройство по пп, 4 и 5, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что в циркуляционном контуре применяют циркуляцию теплоносителя естественную или принудительную, осуществляемую посредством насоса,7, Устройство для осуществления способа по пп. 1 и 2, о т л и ч а ющееся тем, что нагретый в охлаждаемых элементах теплоносительв виде парожидкостной эмульсии направляют в сепаратор для выделения паров теплоносителя, при...

Номер патента: 999108

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Власенко, Мальцев, Масловский, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G11C 11/40

Метки: информации, памяти, стирания, элементе

...велика, т.е.примерно равна Од, то. такой импульсприведет к сравнительно быстромууменьшению порогового напряжения отего исходного значения От ( 0 ) донекоторого значения О. (Ос), определяемого амплитудой импульса стирания Оср, но величина этого уменьшения Ь = О ("0") - О. мала (посравнению с ЬО. при меньших О) ине изменяется при дальнейшем увеличении времени стирания (фиг. 1, кривая.с О = О),Наличие же в предлагаемой формеимпульса стирания составляющих. самплитудой О (Ос обеспечивает больший сдвиг порогового напряжения Ы 3чем пРи О = Одскб(фиг. 1 кРивые сО , О , ОО ),Напротив, если амплитуда прямоугольного импульса стирания сравнительно мала, т.е, ОО щи, то вплотьдо определенного времени вообще непроизойдет изменения порогового...

Номер патента: 1287231

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, записи, информации, канальном, моп-транзисторе, памяти, элемент

...электронов из объемной части истокового р-и перехода в объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.Вторичный пробой стокового р-и пе рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на...