Логический элемент

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТ ИЧЕОНИХРЕСПУБЛИХ ЯО 1050117 А 0 Н 03 К 9/О ОСУДАРСТВЕНН ДЕЛАМ ИЗОМИТЕТ ССНИЙ И ОТНРЫТ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ елью чвелич его введены а подключен коллектор питания, кат торым источ диода, като тером входно чником тока нзистора че щей шиной, а вого диода. тем, что, с ц чивости, в и первого диод транзистора, чен. к шине соединен с в дом второго динен с эмит третьим исто рующего тра соединен с об к катоду пер по п. 1, отличающийся тем, повышения быстродействия, тор инвертирующего транзнс- ены к катоду первЬго диода через элемЕнт сдвига уровня 2. Элемент что, с целью база и коллек тора подключ соответственно и четвертый д(54) (57) 1. ЛОГИЧЕСКИЯ ЭЛЕМЕНТ, содержащий входной и инвертирующий транзисторы п-р-п-типа, три источника тока,первый из которых подключеН к коллектору инвертирующего транзистора и выходуэлемента, база входного транзистора подключена к входу элемента, отличающийся ения помехоустойтри диода анодк базе входного которого подклю од первого диода ником тока .и анод которого соего транзистора и эмиттер инвертирез третий диод база подключена(омицлон позчцр(ВО,никон)(х р(Гзнсторо,что )з)еоро)к) етн к по(х с м ). 110 этом у лл 5микромоценцх (еифронцх интегральных схемболее предпочти гельным являются логиче кис эл(чпц с инжек(еноннцч питян н(. м,31)6.н)е 6.зк)", Ио т(хнчс(коЙ схн(ностц к прелложеннму является логический элемент с инж( кци(иным питанием,соде ржяц(ий грянзисторы п.р.п.типа, кол.лекторы, которых полклю и ны к вы холуи источникам тока, д бдзц - к вхолач идополнит(льнцм источникам тока 2.Элементы с инжекционць(м питаниемимеют мялук) помехоустойчивость цо отношению к здпирак)ней помехе.Целью изобретения является увеличениевысокой помехоустойчивости логическогоэлементд.Лля лостижеция поставленной цели влогический элемент, солержащий входнойи инвертирукший транзисторы п-р-п типа,три источника тока, первый из которыхподключен к коллектору инвертируюшеготранзисторд и выходу элемента, базаВходнОГО транзистора подключена к Входу 35элемента, нвелень три диода, анод пер.ного диода подключен к базе входноготранзистора, коллектор которого подклю.чен к шине литания, катод первого диодасоединен с вторым источником тока ианодом второго диода, катод которого 40соединен с эмиттером входного транзистораи третьим источником тока, эмиттер инвертирующего транзистора через третий диодсоединен с обшей шиной, а база подклкчена к катоду первого лиола.При этом база и коллектор инвертирую 45шего транзистора подключены к катодупервого лиолд соотнетствен но через эле.мент сдвига уровня и четвертый диод.На чертеже прелстанлена принципиальная схема прелложенного логического элемента.Логический элемент содержит входные1 и 2 и ицвертирукнций 3 транзисторы п-р-птица, три источника тока 4 - 6, первый 4из которых полклк)чен к коллектору инвер.тируюецего грднзи(тора 3 и ны.холу элемен 55та, базы вхолных транзисторон 1 и 2 подключены к вхолу элемента, аноды первых диолов 3)( ),ЕКЛ К)Н) к 6:) м В Х .) х)))ь рВ 1 и 2, кллктрь к(прцх нлклк)чнь к (пинпитания; кя)олц (н рных,нц)В 7 и 8 сн лин( нц с вторым ист(чник)ч гкд 5 и анолоч Втрог( ди(ля 3, кя)л которого соли.нсн с м( г ( рд чи Вхрлн(х ) ря идигоров 1 и 2 и г 3 Ич ис)очникоч гкя 6, эчиттр НЕ(Вр)ик тр,(нзнстре 3 через ГрТИЙ лил 1( (чили)нц с бн(ей н(ин(й, а база нлклк н ня к кяолям (нрных лиолон 7 и 8рэОм ба:) и кол.)ектор и и В(рти ркце(ГОрд3 и(торе) 1 )(, к. к)цен ь к кятоля м нер Вц.( ннлВ 7, и .8 с(нп)нтсгнецно через)л 12-)снМент слВи( д уровня11 сол(ржит гр;)ци(тор 13 п-р-и типа, база .которого нлклкчнд к входу эл(Мента слви(я уров.ця 11, кллектор - к шинс питания, а эмит т(р . к геонолнитег)Виолу источ ику ток 34.11 р,елок( нццЙ (о ИческиЙж( ичеть нек(лько вхолов, (оэтому ца И 1)еже показаны лвя входных трян)исторя 1 и 2 и лна первых диода 7 И,8.11 ри реализации в полупронлниконом исполнении перв(Й 4 и второй 5 источники (ка нццолняк)тся на основе лвухколлекторшц транзистора рр типа с боковой цнжекцией, я третий 6 и еоолн)т.), цй 14 источники тока вна осн(не двухколлкторного и-р-и-транзистора ( инжектируюн(им нерехололобразуемым эцитдксиальцым п-слоем и )-областью.11 релложенный логический элечецт ра. ботает с;)елук)им образом.11 ри низком уроне(е напряжения ня входе логического элемента, а следовательно, и низком уровне напряжения нд 6 дзе инВертируншего транзистора 3, посллний закрь(т. При этом на его коллекторе устанавливается высокий уровень напряжения. Слеловдтельно, закрыт четвертый лиол 12 и основная часть тока второго источника тока 5 поступает н цепь второю лиолд 9.11 ри увеличении Входно)о напряжения до некоторой величины происходит отпирание ивс рти руюшего транзистора 3. 3(,оэффициецт передачи ицвертирукшего трднзисто.ра 3, коллекторная цепь которого и;)ружена перным источником тока 4, очень велик, и поэтому дальнейшее мдло унличение напряжения на входе логическо(з элеента вызовет быстрое паление цднряжеция на коллекторе и н верти рукшесо тра нзистора 3. Нри этом начинает Екрцвдться четвертый диод 12, который забер(т в свок цепь часть тока второго и(точцикд г(ка 5. е 5 ольшая часть тока поступает т(н рь нз эмиттерной цепи входагордн и( орд 1. Таким образом, возрастает пдление нянря. жения на эмиттерцом перехл( нх ено о транзистора 1, паление напряжения н;) ео ром диоде 9 палает, и ня (иня( (Н 3)(ь ся первый диод 8. Лд ),цн(и) рннд1151113ряжения нд нхде логнсц ского эчемегтстдбнчнзн 1 утел суммой падений ндпряже.ннй нд гткрцгцх эмнттернцх и реходахнходнсгон ннвертнрукпего 3 транзисторов н .первом 7 н третьем О диодах.Установнвшнеся тдкнм образом входноенапряжение соответствует уровню логнчес.кой еднннцц.еВелнчнна вцходного . напряжения, соответствующая уровню логического нуля,получается прн суммировании паденнй на. 10пряженнй на открытых эмнттернцх переходах входного 1 н ннвертнруюгцего 3 транзнсторов .н вычитания нз полученной суммы падения напряжения на четвертом дноде 12,Симметричность переключательной характернстнкн относительно линии переключе.мня и высокая крутизна этой характернс 174гнкн н области перЕклкиегггя лгнгескггч элемента обеспечнвдют вцсгкук ггмехо.: устойчивость предложенного лен н 1 и скогс элемента. Для повыаення бцсч ролействия предлагаемого логического элс мента он содержит дополнительно элемент сдвн. га уровня 1 н цепь нелинейной обрдтной связи, образуемой четвертым днодом 1 О.1 акнм образом, предотвращается пасьпце. не ннвертнрующего транзистора,Техннко-экг)номнческнй эффект в преЯ ложенном устройстве заключается в уве, личеннн помехоустойчивости, что приводит к повышению надежностн работы в условиях псмех, н в увеличении быстродействня, что приводит к увеличению производительности устройств, в состав которых входит пред ложегггьгй логический элемент.Редактор С. Лыжова Закал 8461/5 Г Составитель А. Янов Техрел И. Верес Корректор А. Дзяткг Тираж 936 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород. ул. Проектная, 4