Усилитель-формирователь

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике и можетбыть применено в каскадах логических устройств, формирующих выходное напряжение с высоким уровнем логической "1"5Известен усилитель-формирователь на МДП-транзисторах, содержащий пере ключательный МДП-транзистор, затвор которого подключен к входной шине, исток - к шине нулевого потенциа ла, а сток соединен с выходной шиной и истоком нагрузочного МДП-транзистора, затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора предварительного заряда и первому выводу ус- коряющего конденсатора, сток и затвор МДП-транзистора предварительного заряда объединен со стоком нагруэочного МДП;транзистора, Второй выВод, ускоряющего конденсатора подключен к выходной шине, При формировании выходного напряжения логической "1" его амплитуда относительно шины нулевого потенциала достигает значения величины питающего напряжения 4.Недостатком устройства является25 низкое напряжение логической "1", поскольку при построении логических устройсв на МДП-структурах часто возникает необходимость в формировании выходного напряжения, ЗО превышающего величину питающего напряжения в два и более раэ.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является усилитель-формирователь на З 5 МДП-транзисторах, содержащий разрядный и зарядный МДП-транзисторы, первый и второй и третий конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шины, шины пита ния и нулевого потенциала. При этом затворы разрядного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине, истоки указанных.МДП-транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, 45 сток разрядного МДП-транзистора соединен с истоком зарядного МДП- транзистора и с первой обкладкой пер ,вого конденсатора, вторая обкладка которого подключена к стоку 50 ,первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзисторов, исток первого нагрузочного МДП-транзистора соединен со стоком переключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого под" ключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, объединенные сток и затвор третьего нагрузочного МДП-транзистора соединены со стоками зарядного и второгсь нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питания. Затвор четвертого нагрузоч ного МДП-транзистора объединен состоком этого же МДП-транзистора и ф 5 с шиной питания, исток четвертого нагрузочного МДП-транзистора соединен с затвором второго нагруэочного МДП-транзистора и с первой об-. кладкой третьего конденсатора, вторая обкладка которого связана с входной шиной, затвор первого нагрузочного МДП-транзистора .подключен к истоку третьего нагрузочного ОДП-транзистора, а затвор зарядногс МДП-транзистора соединен с истоком первого нагрузочного МДП-транзистора и с выходной шиной 2.Недостатком известного устройств является низкий уровень логической 111 П Цель изобретения - повышение выходного уровня напряжения логической единицы.Поставленная цель достигается тем, что в усилителе-формирователе, содержащем разрядный и зарядный МДП- транзисторы, первый, второй, третий нагрузочные МДП"транзисторы, первый и второй конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шину, шину питания .и общую шину, затворы разрядного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к выходной шине, истоки указанных МДП-транзисторов соединены с общей шиной, сток разрядного МДП-транзистора соединен с истоком зарядного МДП-транзистора и с первой обкладкой конденсатора, вторая обкладка которого подключена к стоку первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзистора, исток первого нагруэочного МДП-транзистора соединен со стоком перключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, объединенные сток и затвор которого соединены со стоками зарядного и второго нагрузочного МДП-тран. зистора и с шиной питания, затворы зарядного и первого нагрузочного МДП-транэисторов подключены к второй обкладке первого конденсатора, затвор четвертого нагрузочного МДП- транзистора соединен с второй обкладкой второго конденсатора, затвор и сток второго нагрузочного МДП-транзистора соединен с шиной питания, исток четвертого нагруэочного МДП-транзистора объединен со стоком дополнительного переключающего МДП-транзистора и выходной шиной, затвор дополнительного переключающего МДП-транзистора подключен к входной шине, и исток его подключен к общей шине.На чертеже приведена схема усили- теля-формирователя.Устройство содержит разрядный 1, зарядный 2 и переключающий 3 МДП1014130 О = 3 Е - 1 Цвых, пит, нор ф 35 Составитель В, ШагуринРедактор О. Юрковецкая ТехредТ.фанта Корректор Е. Рошко Закав 3038/67 Тираж 934 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Фйлиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 транзисторы, первый,4, второй 5 и дополнительный переключающий б МДП- транзисторы, третий и четвертый нагрузочный МДП-транзисторы 7 и 8, первый и второй конденсаторы 9 и 10, шину 11 питания, общую входную и выходную .шины 12 " 14. Затворы разрядного 1, переключажццего 3 и дополни-. тельного переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине. Истоки этих МДП-транзисторов, соединены с общей шиной 12. Сток разрядного МДП-транзистора 1 соединен с истоком зарядного МДП- транзистора 2.и с первой обкладкой первого конденсатора 9. Затворы зарядного 2 и первого нагруэочного 4 МДП-транзисторов объединены и подключены к истоку первого нагрузочного МДП-транзистора 4, истоку второго нагрузочного МДП"транзистора 5 и к второй обкладкепервого конденсатора 9. Исток первого нагрузочного МДП-транзистора 4 соединен со стоком переключающего МДП-транзисто ра .3 и с первой обкладкой второго конденсатора 10, вторая обкладка которого подключена к соединенным вместе затвору и стоку четвертого нагрузочного МДП-транзистора 7, и стоку третьего нагрузочного МДП- транзистора 8.Устройство работает следующимобразом.При подаче на входную шину напряжения логической ф 11 открывают-. ся разрядный 1, переключающий 3 и дополнительный переключающий б .,МДП-транзисторы. Наих стоках устанавливается низкий уровень напряжения и на выходной шине формиру ется уровень лоГического "Оф. Первый и второй конденсаторы 9 и 10 эаряжаются до напряжения на величинупорога меньшую, чем напряжение питания.При поступлении на входную шину13 напряжения логического фОф МДПтранзисторы 1, 3 и 6 закрываютсяНачинается процесс формированиявыходного напряжения логической "1 ф.10 Так как к затвору и истоку зарядного МДП-транзистора 2 подключензаряженный конденсатор 9., то. заряд-.:.ный транзистор 2 открыт и на стокеразрядного МДП-транзистора напряже ние увеличится от низкого уровнядо напряжения питания. Напряжение навторой обкладке первого,конденсатора 9 относительно общей шины приэтом на величину порога меньше удвоенного напряжения питания. Черезпервый нагрузочный транзистор 4предварительно заряженный второйконденсатор 10 оказывается включенным последовательно с первым конденсатором 9. Через четвертый нагрузочный ИЦП-транзистор 7 вторая обкладка второго конденсатора 10 подключается к,выходной шине. Такимобразом нагрузочная емкость выходной шины оказывается подключенной 30 к последовательно включенным конденсаторам 9 и 10. При этом выходное напряжение логической ф 1 ф на выходной шине определяется выражением где Епит, - напряжение питания,О- пороговое напряжение МДП- транэйсторов,