Патенты опубликованные 27.04.2009
Способ управления пограничным слоем газового потока и устройство для его осуществления
Номер патента: 1475052
Опубликовано: 27.04.2009
Автор: Курячий
МПК: B64C 21/00
Метки: газового, пограничным, потока, слоем
1. Способ управления пограничным слоем газового потока, преимущественно на стреловидных крыльях летательных аппаратов, в котором в пограничном слое с помощью коронного разряда создают объемный электрический заряд и прикладывают управляющее электрическое поле, с помощью которого разгоняют газ в пограничном слое, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности путем увеличения протяженности ламинарного участка пограничного слоя, газ разгоняют вдоль передней кромки крыла в направлении к его концевой части в чередующихся областях коронного разряда разного знака, причем в конце каждой указанной области создают электрическое поле, обеспечивающее релаксацию заряда этой...
Устройство для проходки скважин в грунте
Номер патента: 1297530
Опубликовано: 27.04.2009
Авторы: Кондраков, Саламатов, Саломатов, Чайковский
МПК: E02F 5/18
Метки: грунте, проходки, скважин
1. Устройство для проходки скважин в грунте, включающее выполненные из материала, обладающего эффектом памяти формы, движитель с расширителем, связанные через поворотный узел с коническим рабочим органом, источники энергии, холода и блок управления, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости проходки за счет увеличения КПД использования внутренней энергии материала, обладающего эффектом памяти формы, оно снабжено стопорными элементами, выполненными из материала, обладающего эффектом памяти формы, а движитель выполнен в виде заключенных в эластичную герметичную оболочку тарельчатых перфорированных гофрированных мембран, закрепленных попарно на жестких дисках по своему периметру и...
Устройство для проходки скважин в грунте
Номер патента: 1362106
Опубликовано: 27.04.2009
Авторы: Волосяный, Иванов, Кондраков, Саламатов, Саломатов
МПК: E02F 5/18
Метки: грунте, проходки, скважин
1. Устройство для проходки скважины в грунте, включающее полый конусный рабочий орган с вибратором и опорным элементом, движитель, расширитель, выполненные из материала с термомеханической памятью формы, источник тока, датчики изменения формы стенок и блок управления, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости проходки за счет повышения эффективности снижения сопротивления грунта, вибратор выполнен в виде размещенных на внешней и внутренней поверхностях конусного рабочего органа электродов, подключенных к генератору электрических импульсов, при этом конусный рабочий орган выполнен из пьезоэлектрического материала. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что опорный элемент...
Устройство для проходки скважин в грунте
Номер патента: 1422961
Опубликовано: 27.04.2009
МПК: E02F 5/18
Метки: грунте, проходки, скважин
Устройство для проходки скважин в грунте, включающее выполненные из материала, обладающего эффектом памяти формы, гофрированные рабочий орган, расширитель и движитель, выполненный в виде спиральной трубы, источник энергии, нагреватели и блок управления, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы в экстремальных условиях, рабочий орган, расширитель и движитель выполнены из чередующихся и соединенных стыками друг с другом вдоль кромок полос из материалов на основе сплавов с эффектом памяти формы и сверхупругости, причем гребни и впадины гофрированной оболочки выполнены из материала, обладающего эффектом памяти формы, а соединяющие их полосы - из материала, обладающего...
Интегральная микросхема
Номер патента: 1480685
Опубликовано: 27.04.2009
Авторы: Костюков, Манагаров, Огородников, Турилина
МПК: H01L 27/02
Метки: интегральная, микросхема
Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчик размещены на переходной пластине, а подложка отделена от переходной пластины слоем диэлектрика.