Способ металлизации отверстий многослойных печатных плат

Номер патента: 1487793

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Голачев, Опрышко, Селиверстов, Синяков, Слонимский, Шустов, Щербаков

МПК: H05K 1/02

Метки: качества, отверстиями, печатных, плат, тест-купон

ТЕСТ-КУПОН ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ С ОТВЕРСТИЯМИ, содержащий многослойную структуру с металлизированными сквозными отверстиями, соединенными с контактными площадками внешних и внутренних слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, соединение металлизированных отверстий тест-купона с контактными площадками внешних слоев выполнено по всему периметру отверстий, при этом участок перехода контактная площадка металлизированное отверстие выполнен скругленным с радиусом скругления r (0,1 0,25)l (мкм), где l толщина многослойной структуры (мкм), а толщина слоя металлизации d в отверстиях тест-купона выбрана из выражения a d

Номер патента: 1600011

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Минченко, Поезд, Филиппов

МПК: H02G 3/32, H05K 7/06

Метки: кабеля, крепления, отверстиями, печатной, плате, плоского, узел

...Раушская наб., д. 4/5,Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в приборах радиоэлектроннОго оборудования с печатными монтажемеЦелью изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов.На фиг. 1 изображено сечение печат ной платы в месте крепления кабеля;на фиг. 2 - пружина.Узел крепления плоского кабеля 1на печатной плате 2 предполагает выполнение в ней отверстий 3 и 4, расположенных перпендикулярно направлению кабеля 1. Устройство содержитпружину 5, выполненную в виде трапеции беэ нижнего основания, верхнееоснование 6 которой имеет форму вогнутой дуги, а боковые стороны 7 оканчйваются полукольцами 8.Пружина может...

Номер патента: 1364248

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Андреас, Карел, Хенк

МПК: G01N 21/00

Метки: анизотропного, вещества, насыщения, оптически, раствора, температуры

...посредством фотодетектора17 (верхняя кривая 23).Измерительный цикл включает всебя следующие операции,В измерительный сосуд 2 подаетсячистый раствор. Поляриэационныйфильтр 1 препятствует прохождениюсвета лазера, так что яркость света,который измеряется фотодетектором13, имеет низкий, фактически постоянный уровень, яркость света, котораяизмерена фотодетектором 17, имеетвысокий уровень.Теперь температура растворов постепенно уменьшается, и при температуре Трастворенное вещество начинает выкристаллизовываться. В представленном здесь случае раствор сталпереохлажденным, так что Тне является истинной температурой насыщения. Это обусловлено тем, что поскольку количество кристаллов мало,свет, плоскость поляризации которого повернулась в...

Номер патента: 659945

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Александрова, Бучаченко, Вассерман, Коварский, Тагер

МПК: G01N 27/78

Метки: полимеров, расслаивания, растворов, температуры

...1 пографиа, пр. Сапунова, 2 3состоит пз трек линий сцсрхтоцкой стр 1 кгуры, ширина которых определяется временем корреляции вращательной диффузии т. Величина т определяется соотношением где ЬН+1 - ширина между экстремумами первой производной линии, лежащей в низком поле (в эрстедах), 1+1, 1- интенсивности линий, лежащих в высоком и низком полях соответственно.Величина т радикала обусловлена микро- вязкостью среды, в которой оп находится,Для определения температуры расслаивани 5 раствора полимера в нем растворяют нит 1 зокси:.ный радикал в количестве 10 - " моль/литр и, регистрируя спектр ЗГ 1 Р, снимают температурную зависимость т для растворов разных концентраций полимера. Б точкс расслаивания происходит резкое перераспределение...

Номер патента: 1096312

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Войцеховский, Николаева, Якобсон

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, раствора, температуры

...насыщения), раствор 1 в дворике растворения имеет более высокую концентрацию и, следовательно, более высокий показатель преломления по сравнению с окружающей массой раствора. При росте кристалла т.е. при температурах ниже точки насыщения (при концентрациях вьппе концентрации насыщЕния, концентрация раствора и показатель преломления в дворике кристаллизации ниже, чем в основной массе раствора. В насьпценном растворе, когда кристалл не растет и не растворяется, отсутствует различие в концентрациях, а следовательно, и в показателях преломления в основной массе раствора и в слое, примыкающем к кристаллу. чтобы часть очертаний предмета просматривалась через дворик кристаллизации. Искажения очертаний предметов или их линий при росте и...