Полупроводниковый датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
, Лунегов, В. С, Павлов, В.,С. Русскихи М, А. Марценюк 2) Авторы изобретени Пермский ордена Трудового Красного Знамени государственцый /университет им. А. М, ГорькогоМ г) Заявитель ОВОДН ЛЕНИЯ ЫЙ ДА опро. ют трудртнои нзоаппаратурои.Цель изобретения -овышение чувстви.ения удельного сопро. ельности эа счет уве тивления.Указанная цельлупроводниковый двительный элементполупроводника Й,лий 7,7,8,8-тетрацитериал чувствительн8-метилтиурониеваяхинодиметана прикомпонентов, вес.%ридилий 7,7,8,8 те60 - 70, З.метплт остигается те атчик, содержащий чувна основе органической.ди метил,4-дипиридианохинодиметанида, в ого элементасоль 7,7,8,8- следующем сооЙ,й-диметилтра цианохиноди иуроний 7,7,8,8 те веде трацианотношении,4-дини етанид рациано. Изобретение относится к иэмерительнои технике и может быть использовано при измерении давлений, усилий и т.д.Известны полупроводниковые датчики, содержащие чувствительный элемент из кремния 1).Недостатком данных датчиков является высокая их термочувствительность, что снижает , точность измерений.Наиболее близким по технической сущнос. ти к предлагаемому является датчик давле. ния, содержащий чувствительный элемент на основе чистых органических полупроводников: простая ион-радикальная соль 7, 7, 8, 8-тетрацианохинодиметанида с 1,1-диэтил,6- дихинолинием; комплексная соль 1,1-диэтил. фенатролиния и 7, 7,8,8- тетрацианохинодиметанида; комплексная соль на основе 1,1-диэтил6.дихинолиния и 7,7,8,8-тетрацианохи. нодиметанида 21,Недостатком известного датчика является низкое электрическое сопротивление за счет того, что материал чувствительного элемента нри низком температурном коэффициенте сопротивления имеет низкое удельно тивление и, вследствии этого, возник ности сопряжения датчиков со станда хинодиметащщ 30-40.Чувствительный элемент цолупроводникового датчика может быль вьпвлнен, например в виде спрессованной таблетки из указанной смеси, Электрические контакты могут быль впрессованны в тензочувствительный элементСоставитель В, КазаковТехред К,Мыцьо Корректор А, Гриценко Редактор В. Пилипенко Заказ 10160/66 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3 985719 4или осуществлены путем напыления металла танида,отличающийся тем,на поверхносп. что, с целью повышения чувствительности заТаким образом, применение предлагаемого счет увеличения удельного сопротивления, в; полупроводникового датчика позволяет новы- материал чувствительного элемента введенасить электрическое сопротивление н уровень 5 8-метилтиурониевая соль 7,7,8,8-тетрациановыходного сигнала за счет повышения удель. хинодиметанида при следующем соотношенииного электрического сопротивления, сохра компонентов, вес.%: й, М.диметил.4,4-дили.няя низким значение температурного коэффи- . ридилий 7,7,8,8-тетрацианохинодиметанидциента сопротивления. 60 - 70; 8-метилтиуроний 7,7,8,8.тетрацианохи0 нодиметанид 30 - 40,Формула изобретения Источники информации,принятые во внимание при экспертизеПолупроводниковый датчик давления, содер. 1. Авторское свидетельство СССР Иф 297874,жащий чувствительный элемент на основе кл. 6 01 К 7/16, 1963,органического полупроводника И, й"диметил 1 2, Авторское свидетельство СССР У 301583,4,4-дипирнцилий 7,7,8,8 тетрацианохиноубчме - кл, 6 01 1. 9/12, 1969 (прототип).
СмотретьЗаявка
3008237, 17.11.1980
ПЕРМСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО
АБАШЕВ ГЕОРГИЙ ГЕОРГИЕВИЧ, ЛУНЕГОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ПАВЛОВ ВАСИЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ, РУССКИХ ВАЛЕРИЙ СЕМЕНОВИЧ, МАРЦЕНЮК МИХАИЛ АНДРЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Метки: давления, датчик, полупроводниковый
Опубликовано: 30.12.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-985719-poluprovodnikovyjj-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый датчик давления</a>
Предыдущий патент: Имитатор резьбовых нагрузок
Следующий патент: Индикатор давления
Случайный патент: Способ получения двойного сульфата титана и ниобия