Резистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 972603
Автор: Хайрюзов
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик п 19726 ОЗ(51 М Кл з Н 01 С 7/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) РЕЗИСТОР 10 15 20 25 30 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии производства резисторов.Известен резистор, содержащий диэлектрическое основание, на котором расположена резистивная пленка с изолирующими канавками, и электрическиеконтакты 1).Недостаток известного резистора состоит в низкой надежности, обусловленной неравномерным распределением плотности тока и локальными перегревами резистивной пленки.Наиболее близким к изобретению техническим решением является резистор, содержащий диэлектрическое цилиндрическое основание, на котором расположены резистивная пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, и колпачковые электрические контакты (,2 )Недостаток известного резистора заключается в его низкой надежности. Цель изобретения - повышение надежности.Поставленная цель достигается тем,что в резисторе, содержащем диэлектрическое цилиндрическое основание, накотором расположены резистивная пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, и колпачковые электрические контакты, на поверхность резистивной пленки нанесен прямоугольный слой низкоомного проводящего материала, причем продольная изолирующая канавка выполнена в резистивной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего материала по его центральной оси, а каждая из поперечных круговых изолирующих канавок выполнена в,резистизной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего материала поочередно с противоположных сторон продольной изолирующей канавки.На чертеже схематично изображен резистор.Резистор состоит из диэлектрического, например из стекла или керамики, цилиндрического основания 1, на котором расположена резистивная пленка 2На поверхность резистивной пленки 2 нанесен прямоугольный слой 3 низкоомного проводящего материала, В качестве резистивной пленки 2 может быть использован резистивный материал с высоким электрическим сопротивлением, например сплав ИЛТ,972603 Составитель Н.ГлеклерРедактор Н.Бобкова Техред,Б,Кастелевич Корректор А.Гриценко Заказ 8528/46 Тираж 761 ВНИИПИ Государственного Комитета СССР по делам, изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб д. 4/5Подписное Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 РС 3710, хром и др., а в качестве ниэкоомного проводящего материала ,прямоугольного слоя 3 - алюминийсе-, ребро, индий и др, В резистивной пленке 2 сквозь прямоугольный слой 3 низкоомного проводящего материала по его центральной оси выполнена продольная йэолирующая канавка 4.Также сквозь прямоугольный слой 3 низкоомного проводящего материала в резистивной пленке 2 выполнены поперечные круговые изолирующие канавки 5, каждая иэ которых расположена поочередно с противоположных сторон продольной изолирующей канавки 4.Резистор снабжен колпачковыми электри 5 ческими контактами 6 с выводами 7,Резистор характеризуется малой индуктивностью и равномерным распределением плотности тока в реэистивной пленке, что позволяет устранить 20 локальные перегревы при импульсных нагрузках, повысить надежность резистора и расширить область его применения.Формула изобретения 25Резистор, содержащий диэлектрическое цилиндрическое основание, на котором расположены резистивная пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, иколпачковые электрические контакты,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения надежности, на поверхность резистивной пленки нанесен прямоугольный слой низкоомногопроводящего материала, причем продольная изолирующая канавка выполнена в резистивной пленке сквозьпрямоугольный слой низкоомного проводящего материала по его центральной оси, а каждая из поперечных круговых изолирующих канавок выполнена вреэистивной пленке сквозь прямоугольный слой ниэкоомного проводящего материала поочередно с противоположныхсторон продольной изолирующей канавки. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР Р 382152, кл. Н 01 С 17/00, 1970. 2. Патент Англии Р 1539774,кл. Н 01 С 7/00, 1979 (прототип).
СмотретьЗаявка
2890958, 05.03.1980
заявитель ВйБлкй: );
ХАЙРЮЗОВ ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: резистор
Опубликовано: 07.11.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-972603-rezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистор</a>
Предыдущий патент: Устройство для контроля блоков памяти
Следующий патент: Устройство для защиты от перенапряжений
Случайный патент: Сталь