Способ изготовления масок для нанесения на подложку

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ оц 901355 Соеэ СоаетснинСоцнаннстнчеснннреспублик(И)М. Кл. С 23 С 13/06 РВуларсжввй квинтет СССР аф делен нмбрвтвннВ н етнрнтнй(54) СНОСОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСОК ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ НА ПОДЛОЖКУИзобретение относится к способам производства радиоаппаратуры, в частности масок для изготовления печатных схем иэлектронных деталей.Известен способ изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающий выполнение методами фотолитографии рисунка иэ Фоторезиста на металлической основе маски 111 .Однако известный способ изготовления масок не позволяет получить. сложный рисунок тонкопленочных элементов за один цикл нанесения, так как необходимо применять последова" тельно несколько масок.Цель изобретения - получение слоаного рисунка за один цикл нанесения.Укаэанная цель достигается тем, что е способе изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающем выпоннение методами Фотолитографии рисунка из Фоторезиста на металлической основемаски, рисунок из фоторезиста выл полнявт на металлической основе маски в виде сетки, на рисунок из фоторезиста и на пробельные местасетки наносят маскирующее защитноепокрытие, стойкое к травильным растворам, после чего удалением Фотореэиста с нанесенным на него маскиРующим защитным покрытием получают рисунок маски. На чертеже схематически изобраае" ио осуществление предлагаемого способа.На подложку 1, изготовленную из фенольной смолы, для улучшения сцепления нанесенного, например вакуумным испарением, рисунка структурного слоя 2 наносится сцепляющее вещество 3.901355 Плотно прилегающая к сцепляющему веществу 3 маска 4 состоит из металлической основы в виде сетки 5 . на стали, настолько тонкой, чтобы не было теней рисунка из фоторезиста 6 и нанесенного испарением защитного .слоя 7 из хрома, который предохраняет фоторезист 6 от нагрузок во время процессов испарения и восстановления. Предназначенный для испарения материала, например медь, при испарении в виде струи через маску 4 поступает на подложку . 15 Изменение направления испаряемых или напыляемых частиц материала, возникающее при столкновении их друг с другом или молекулами газа, влечет за собой проникновение испаряемого материала на сетку 5, за счет чего образуется замкнутый структурный слой 2.1 20 9/27 Тираж 1048 Подписно В Зака Патент", г.ужгород,ул.Проектная,Филиал При изготовлении тонкопленочных интегральных схем применяется сетка с шириной ячейки 60-100 мк и толщиной проволоки 30-50 мк,Чем меньше проволока сетки, тем точнее могут быть выполнены структуры. Формула изобретенияСпособ изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающий выполнение методами фотолитографии рисунка из фоторезиста на металлической основе маски, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения сложного рисунка за один цикл нанесения, рисунок из фоторезиста выполняют на металлической основе маски в виде сетки, на рисунок из фоторезиста и на пробельные места сетки наносят маскирующее защитное покрытие, после чего удалением фоторезиста с нанесенным на него маскирующим защитным покрытием получают рисунок маски.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Труды института инженеров по электронике и радиоэлектронике.1966, У 3, с. 23-26.

Смотреть

Заявка

1845753, 01.11.1972

ФЕБ ХОХВАКУУМ ДРЕЗДЕН

ХЕЛЬМУТ БОЛЛИНГЕР, ХАНС-ДИТЕР КОРНЕЛИУС, ДЕТЛЕФ ЭЛЬБЕ, ВЕРНЕР ФЛЯЙШЕР, ЭЛИМАР ГЕРИНГ, ЛОТАР НАУМАН, КЛАУС ПЕТЦОЛЬД, ВОЛЬФГАНГ ШВЕНКЕ

МПК / Метки

МПК: C23C 13/06

Метки: масок, нанесения, подложку

Опубликовано: 30.01.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-901355-sposob-izgotovleniya-masok-dlya-naneseniya-na-podlozhku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления масок для нанесения на подложку</a>

Похожие патенты