Стробоскопический преобразователь

Номер патента: 566291

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Ефременко, Малевич

МПК: H02K 5/08

Метки: диодах, заряда, импульсных, накоплением, порогом, срабатывания, устройств

...зависимость от режима переключения по току (точка Ь (Д) аля тока 1 А) и точка 1,И(,Ф ) для тока 1 ( ь ), При етом каждая зоив вшсогой проводимости диода М Нл под вержена флуктуациям и зона флуктуаций порога срабатывания 17 произвольно дрейфует на границе эоны высокой проводимо. сти 1 зп и зоны срабатывания в низкую провоаимость диода Фс, . При воздействии СВЧ колебания на диод с накоплением заряда гладкая непрерывная зависимость по рога срабатывания.от режима переключении в току диода исчезает, а.регистрируетса набор дискретных значений порогов срвба. тывания импульсного элемента, равных пе.оиоду СВЧ колебания (точки Ь ( 4, )к ( л ). Минимальная моиь.- ность СВЧ колебания, при которой наблюдается явление управления порогом...

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 942252

Опубликовано: 07.07.1982

Автор: Фендриков

МПК: H03K 5/04

Метки: диода, заряда, импульсов, коротких, накоплением, помощью, формирования

...тока Ъ выбирают совпадающим с направлением прямого тока ДНЗ, вследствие чего в течение пер942252 Филиал ППП Патент, ,Ужгород,ул. Проектная вого и всех последующих нечетных полупериодов колебаний в ДНЗ накапливаетсязаряд. В течение второго и всех четныхполупериодов колебаний происходит рассасывание заряда в ДНЗ. Однако полного 5рассасывания заряда не происходит вследствие уменьшения амплитуды тока от одного полупериода к другому. ДНЗ в любоймомент времени в течение длительностиуправляющего импульса находится в заряОженном состоянии,По окончании управляющего импульсачерез ДНЗ пропускают затухающие колебания тока д протиповоложного направления (знак первого полуколебания совпа-дает с обратным током ДНЗ). Под дей Фствием первого же...

Номер патента: 773503

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Липкань, Манойлов

МПК: G01R 13/22

Метки: входное, осциллографа, стробоскопического, широкополосное

...накоплением заряда, полосковойлинии 3, двух смесительных диодов 4,конструктивных емкостей 5 и прямоугольной ферритовой пластины б.Устройство работает следующим образом.Диод 2 с накоплением заряда формирует перепады напряжения, которыераспространяются к боковым стенкамволновода и, отражаясь от них, способствуют созданию между среднимиточками горизонтальных стенок волновода 1 коротких стробимпульсов. Стробимпульсы, полярность которых на верхней и нижней стенках волновода 1 противоположна, поступают через конструктивные емкости 5 на диоды 4, мо773503 Составитель В. ЛившицТехред Н, Бабурка Редактор М. Недолуженко КорректорМ. НигулаПодписное Заказ 7493/5 б Тираж 1019ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035,...

Номер патента: 422094

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Алексеев, Анань, Песковский

МПК: H03K 5/156

Метки: бi1п, импульсовv, прr-rfi, формирователь

...9 и 10 закрыты. Через диоды 1 и 15 протекает прямой ток.С носгуплением входного сигнала отрицательной полярности транзисторы 10 (работает в режиме ОЭ) и 9 (работает в режиме ОБ) открываются, Прн этом на их коллекторах одновременно формируются положительный и отрицательный перепады соответственно. Положительный перепад напряжения прикладывается к катоду диода 15, а отрицательный перепад напряжения - к аноду диода 1. Благодаря такому включению диодов 1 и 15 и создается форсированный режим рассасывания заряда в их базах. При прочих равных условиях это способствует резкому уменьшению длительностей фаз 1, - высокой обратной проводимости и 1 - восстановления обратного сопротивления.Таким образом, на резисторе 2 формируется импульс с...