Устройство для измерения темпера-туры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11821953(5 Цм. кл. с присоединением заявки И 0 -С 01 К 7/16 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 1504,81(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРА РЫ Изобретение относится к технике измерения температуры.Известны устройства, содержащие полупроводниковые приборы в качестве датчиков температуры 1 .Наиболее близким к изобретению является устройство для измерения температуры, содержащее полевой транзистор в качестве термочувствительного элемента и регистратор (21 .Недостатком данного устройства является невысокая точность измере" ний, обусловленная необходимостью жесткой фиксации рабочей точки термочувствительного элемента.Цель изобретения - повышение точности измерений. Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для измерения температуры, содержащем полевой транзистор в качестве термочувствительного элемента, включенный на входе усилителя, выход которого .подключен к регистратору, между истоком и затвором, а также между стоком и затвором транзистора включены резисторы с идентичными параметрами.На чертеже показана схема устрой" ства. Устройство содержит полевой транзистор 1, резисторы 2 и 3, усилитель4, регистратор 5.Устройство работает следующим образом.Изменение температуры приводит кизменению тока через полевой транзистор 1, что в свою очередь приво дит к изменению напряжения на входеусилителя 4, которое регистрируетсярегистратором 5. Повышение точности измерения обеспечивается включением в схему резисторов 2 и 3, которые линеаризут выходную характерис тику полевого транзистора 1.Действительно, ток стока полевоготранзистора равен 1 с= (Г(ОЗ Опор) Осгде- коэффициент,Оз -на 2 -12 О пря:.ение затвор-исток, Он р- пороговое напряжение, Ос - напряжение сток"исток. Равенство сопротивлений резисторов 2 и 3 приводит к тому, чтополовина напряжения О подается на 2513 сзатвор транзистора, т.е. Оотсюда следует, что 1 ( О 0 рОс.Следовательно, ток стока является вэтом случае линейной функцией напряЗ 0 жения Ов а сопротивление Вв Ов /1 в821953 Формула изобретения Составитель Ю.Андриянов Редактор Л.Копецкая ТехредМ, федорнак Корректор О. Билак.Заказ 1799/63 Тираж 907 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5ша емюееве е 1Филиал ППП "Патентп, г.ужгород, ул.Проектная,4 в фОсопзФ, где йс - сопротивлениеканала транзистора. Сопротивлениеканала не зависит от Оси требования к стабильности О значительноуменьшаются. 5Для реализации максимальной чувствительности устройства необходимо, чтобы сопротивления резисторов 2 и .3 были в 10-100 раэ большими, чем сопротивление канала полевого транзистора а для получения линейной зависимости отношение сопротивления должно удовлетворять неравенство 0,.86 й/й с 1, 2.Предлагаемое устройство имеет более высокую точность измерения при 15 пониженных требованиях к стабильности напряжения на полевом транзисторе. устройство для.измерения температуры, содержащее полевой транзисторв качестве термочувствительного элемента, включенный на входе усилителя,выход которого подключен к регистратору, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения точности измерений, в нем между истоком и затвором, а также между стоком и затвором транзистора включены резисторыс идентичными параметрами.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Фогельсон И.Б. Транзисторныетермодатчики. М., "Советское радио",1972,2. Заявка франции Р 2309849,кл.6 01 К 7/24, опублик.1976.
СмотретьЗаявка
2734487, 07.12.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4371
БУРБАН МАРК НАУМОВИЧ, ГРАБОЙ ЛЕВ ПАВЛОВИЧ, КОРОЛЕВ СЕРГЕЙ ПЕТРОВИЧ, РОМАНЕНКО ЕВГЕНИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МОЙСЕЕНКО АНАТОЛИЙ ПРОКОПЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01K 7/16
Метки: темпера-туры
Опубликовано: 15.04.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-821953-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-tempera-tury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения темпера-туры</a>
Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Номер патента: 1530059
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...
Способ измерения максимальной температуры в структуре мощных транзисторов
Номер патента: 746346
Опубликовано: 05.07.1980
Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич
МПК: G01R 31/26
Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов
...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...
Способ регулирования температуры рабочей поверхности окисного нагревательного элемента
Номер патента: 684520
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Гимпельман, Маурин, Плинер, Рутман, Таксис, Торопов
МПК: G05D 23/00
Метки: нагревательного, окисного, поверхности, рабочей, температуры, элемента
...дифференциального уравнении теплопроводности для бесконечной пластины с внутренними источниками 3этой поверхности уменьшается, в сопротивление увеличивается. Это приводит ктому, что плотность тока вблизи даннойповерхности уменьшается, а вблизи рабочей поверхности - соответственно возрастает.Увеличение плотности тока вблизи рабочей поверхности окисного нагревательного элемента в свою очередь приводитк повышению ее температуры. При этоммаксимум температуры смещается к рабочей поверхности окисного нагревательного элемента, что позволяет существенноповысить максимально возможную температуру рабочей поверхности этого элемента. Подвергая охлаждению определенныеучастки противолежащей поверхности нагревательного элемента, можно...
Способ контроля качества чувствительных элементов приборов
Номер патента: 1793310
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Бармотин, Белокопытов, Колтунов, Кузьмичев, Тюгашов
МПК: G01N 3/00
Метки: качества, приборов, чувствительных, элементов
...любом разрушении единственнымкритерием подобия накопления повреждений элемента материала является отношение характерных времен, Поэтомувзаимосвязанные процессы исчерпаниясопротивления упругой, пластической инеустойчивой деформациям и соответствующие им процессы накопления повреждений логично оценивать с помощьювеличины накопленных повреждений мате.риала образца при кратковременном разрыве, а именно, в виде отношений 35длительностей упругих супр, пластическихспл и неустойчивых снеуст деформаций к общему времени до разрушения образцасразр, супр/сраар, Спл/сразр, Снеуст/сразр.П р и м е р. На исследование с целью 40определения причины потери упругихсвойств в процессе эксплуатации поступилиспиралевидные пружины одного...
Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре
Номер патента: 669300
Опубликовано: 25.06.1979
МПК: G01R 31/26
Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером
...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...
Предыдущий патент: Устройство для измерения температуры
Следующий патент: Устройство для измерения темпера-туры
Случайный патент: Устройство для загрузки бункера изделиями