Способ очистки моносилана
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 812324
Авторы: Белов, Дубровская, Иванов, Клещевникова, Лебедев, Левина, Рукавишников, Скулкова, Федосеев
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскнкСо 4 иалистическйхреспублик и 812324ао делам взебретеннй и открытий(54) СП ОЧИСТКИ М ИЛАНА осиланамвсей например, от бообработкой егомиаком.Газообразныймиаком тверцыйВН,+ 2 йН ВПарами водигицролизуются спроцуктов гидролделяют Ьт сплав рсоцержащих водяным пар или амЦель изобретени очистки монос- увеличение стеа,Изобретение относится к очистке си . ланов и может быть использовано для получения кремния высокой чистоты, в частности, в полупроводниковой технике для получения полупроводниковых систем, например, транзисторов, фотоэлектронных схем и цругих систем с электромагнитным и световым управлением.Кремний высокой чистоты получают из гидридов кремния, в частности моносилана ( 51 Н). Чистоту моносилана определяют по уцепьиому сопротивлению кремния.Известен способ очистки мон циборан образует с амкомплекс по уравнениюЪ фЪ.борсоцержащие примеси образованием твердыхиза, которые затем ота 11. Недостатком этого способа являетсянеполная очистка моносилэна - уцельноесопротивление кристаллического кремния равно 2000 Ом;см, а также цлительное время контакта моносилана с парамиводы и аммиаком (порядка 48 ч), чтоусложняет процесс очистки,Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ очистки моносиланапутем пропускания последнего через сор-бент на основе цвуокиси кремния (81 .в вице геля с размером частиц 23 мм 21,Недостатком указанного способа является невысокая степень очистки моносилена от борсоцержащик соединений,так как кристаллический кремний, полученный из очищенного этим способом салана, имеет уцельное сопротивление поряцка 500-2000 Ом.см и время жизни,200 1000 мкс.,О 2. Способ по п. щийся тем, что кремния используют 50-150 А. отличаю раствор двуокисй с размером части т е Источники иринятые во внимая ормации,при экспертиз Заказ 613 П ул. Проекти ПП Патентф, г; У ил ПоставлЬнная цель достигается тем, что согласно способу очистки моносидана путем пропускания последнего через сорбент на основе авуокиси кремния, в качестве послецнего используют 20- 40%-ный водный коллоицный раствор авуокиси кремния, содержащий 0,4-1,0% аммиака, и процесс ведут, при скорости пропускания моносилана 15-20 мл/мин. Коллоидный раствор двуокиси кремнияо используют с размером частиц 50-150 А.В процессе очистки борсодержашие примеси, находящиеся в моносилане,взаимодействуют с водой и аммиаком, а продукты их взаимодействия сорбируются на сильно развитой активной поверкности отрицательно зараженных коллоиднык частиц.При такой очистке оановременно с сорбцией протекают реакции гицродиза и аммонолиза, поэтому время контакта цля очистки моносилана составляет всего 2-4 мин. Формула изо 1. Способ очистк пропускания послецн на основе двуокиси чающийся т личения степени очи бента используют 2 коллоидный раствор содержащий 0,4-1,ведут при скорости лана 15-20 мл/мин ВНИ Фи моносидана путемего через сорбенткремния, о т л нем, что, с целью увестки, в качестве сор 0-40%-ный водныйдвуокиси кремния,0% аммиака, и процесспропускания моносиП р и м е р . В колонку из кварца загружают 500 г водного коддоидного раствора цвуокиси кремния с размером коплоианык частиц 80-150 А при со- держании 5 О - 40%, ЫН - 10%.Снизу по трубке в колонку поаают газообразный силан со скоростью 15 мл/мин. Для создания более эффективного контакта моносилана с кремнезолем в нижней части колонки имеется распреаелительное устройство. Время контакта моносилана с,кремнезолем составляет 4 мин. На выхоце из колонки моносилан конценсируют на специальном конденсаторе, аалее очищают.от воаного аэрозоля на фильтре и подвергают обычной низкотемпературной ректификации. Выход кремния с удельным сопротивлением 10000 Ом.см и временем жизни 1000 мкс составляет 30% от общего содержания кремния.Данные испытаний при различных ско- ростяк поаачи моносилана и характеристиках сорбента свецены в таблицу. 1. Патент ФРГ М 1171884,кл, Х 2 1 33/04, 1958.2, Патент ФРГ й 1073460,кл. 1233/04, 1960 (прототип)Тираж 706 Подписное
СмотретьЗаявка
2788449, 20.06.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4236, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5168
ЛЕБЕДЕВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ, БЕЛОВ ЕВГЕНИЙ ПЕТРОВИЧ, КЛЕЩЕВНИКОВА СОЛОМОНИДА ИВАНОВНА, РУКАВИШНИКОВ ВАЛЕРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ДУБРОВСКАЯ ГАЛИНА АДОЛЬФОВНА, ФЕДОСЕЕВ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, ЛЕВИНА ЕЛЕНА ФЕДОРОВНА, СКУЛКОВА ДИНА ПАВЛОВНА, ИВАНОВ ГЕННАДИЙ СЕРГЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01D 53/14
Метки: моносилана
Опубликовано: 15.03.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-812324-sposob-ochistki-monosilana.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки моносилана</a>
Предыдущий патент: Состав для очистки газа
Следующий патент: Устройство для распределения жид-кости b тепломассообменном аппара-te
Случайный патент: Прибор для определения коэффициента трения покоя материала