Прерыватель тока

Номер патента: 1102458

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чепурной, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазеров, пассивных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД генерации и эффективности модуляции лазеров, облучение производят при температуре от -195 до -40oС дозой в интервале 108 109Р.

Номер патента: 1737399

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Голуб, Карпеев, Сисакян, Сойфер

МПК: G02B 27/44, G02B 27/48

Метки: излучения, лазера, оптическая, полупроводникового, преобразования

...а также низкая 35эффективность преобразования световойэнергии, обусловленная бинарной функцией фазового пропускания элемента,Целью изобретения является коллимация излучения полупроводникового лазера 40и повышение эффективности преобразования световой энергии.Изобретение обладает "с,лее широкимифункциональными возможностями по сравнению с известными оптическими системамй за счет симметричной .формысколлимированного пучка, Оптическая силакиноформного элемента меньше, чем у прототипа, что позволяет увеличить число уровней квантования и, следовательно,повысить эффективность с 20 - 30% у прототипа до 70 - 80.Цель достигается тем, что в оптическуюсистему, содержащую последовательно установленные полупроводниковый лазер и, киноформный...

Номер патента: 545217

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Гальперн, Герулайтис, Горбачев, Короткевич, Лебедев, Лукьянец, Мехрякова, Мизин, Носач, Петров, Семеновская

МПК: H01S 3/113

Метки: вещество, генераторов, затвора, квантовых, оптических, пассивного

...однако не известны составы, просветляющиеся поддействием излучения иодного ОКГ. Известно соединение с максимумом поглощения на длине волны 1100 нм и заметным поглощением.на длине волны1315 нм, однако низкий молярный коэффициент экстннкции (5 х 10 моль "л см ) препятствует использованиюэтого соединения для модуляции добротности иодных ОКГ.Целью изобретения является создание вещества, осуществляющего модуляцию излучения на длине волны 1315 нм,например, иодных оптических квантовых генераторов.Для достижения этой цели предлагается вещество, которое в качестве активной компоненты содержит галоидированный металлический комплекс 2,3 нафталоцианина при следующем соотношении ингредиентов, масД:Бромистый алюминий 62 - 64Бромистый метил 36 -...

Номер патента: 1113772

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Быстрый, Колодий, Молодцова, Судоргин

МПК: G02F 1/01

Метки: затвор, оптический

...другу конусов, например, из плетеной вольФрамовой сетки, изготовленной с возможностью пропускания до 70 оптического излучения. Крайние электроды 5 и 7 подключены к источнику питания 8 (к разноименным его выходам). Средний элект. род 6, подключенный к средней точке источника питания выполнен игольчатым. Его острие размещено в области совмещенного фокуса линз 2 и 3 и может его касаться. Корпус соединен с системой насосов. Внутренний диаметр полости электроизоляционной трубки 4 в плоскости Фокуса выполнен в 1,0 - 35 раз больше диаметра Фокуса, так как меньший диаметр экранирует излучение, а больший приводит к значительному разбросу местоположения разряда исоответственно к ухудшению коммутирования проходящего через затвор излучения....

Номер патента: 1736314

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Васильев, Гольдфарб

МПК: H01S 3/092, H01S 3/13

Метки: лазер, лазера, моноимпульсного, моноимпульсный, режима, стабилизации

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ МОНОИМПУЛЬСНОГО РЕЖИМА ЛАЗЕРА И МОНОИМПУЛЬСНЫЙ ЛАЗЕР1. Способ стабилизации моноимпульсного pежима лазеpа путем упpавления энеpгией накачки активного элемента лазеpа, заключающийся в изменении напpяжения, подаваемого с емкостного накопителя блока накачки на лампу накачки, пpопоpционально pазности величин вpеменной задеpжки зад , измеpяемой пpи каждом импульсе накачки между импульсом накачки и моментом начала генеpации импульса излучения, и опоpной вpеменной задеpжки оп , измеpяемой между импульсом накачки и моментом начала генеpации импульса излучения в начальный...