Раствор для травления резистивных сплавов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
"ф т ОП ИИЗОБРЕТЕН ИЯ и 11777887 Союз Советских Сониолистических Республик(45) Дата опубликования описания 07.11.80(51) М, Кл.зН 05 К 3/2 С 09 К 13/О Госудорствеинык квинте СССР по лелем изобретений(54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ СПЛАВО Этилен Фторис20 - 27 Наиболее ности являе зистивных с кислоту, сол ду 11 лизким по технической сущя раствор для травления релавов, содержащий азотную и плавиковой кислоты и воявляет приводложек. ышение ения вы- по- едо- схем 28 - 33 15 - 20 2 - 7 Азотная кислотаМетакриловая кислотЛимонная кислота Изобретение относится к изготовлентонкопленочных микросхем. Недостатком известного раствора ся неравномерность травления, что дит к повреждению ситалловых поЦелью изобретения является пов равномерности травления,Поставленная цель достигается тем, что раствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты - фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес. %): гликольтый аммонийьпценный раствор) остальное.ы. Для получения схемного риодят химическое травление тони резистивного сплава марки содержащей 37% хрома, 10% ниьное кремний, В качестве заслоя используют ф ото резист Примерсунка провкой пленкс 37 10 фкеля, осталщитногоФП-РН. Составы травил зультаты травления св у у таблицу.Температура травления комнатная, После травления подложки тщательно отмывают, Процесс травления протекает равномерно, происходит полное вытравливание слоя тонкой пленки без повреждения ситалловой подложки во всех трех случаях. Использование данного изобретобеспечивает мольное равномерноетравливание резистивного сплава безвреждения ситалловой подложки, а слвательно, получение тонкопленочныхвысокого качества,Время травления,сек, Номеробразца Состав травильного раствораАзотная кислота (НУО,)Метакриловая кислота (СаН,СООН)Лимонная кислота (С,Н,О,)Этиленгликоль (СН,ОН - СН,ОН) 28 15 25 - 30 20 фтористый аммоний (МН,Р) насыщенный раствор Остальное Азотная кислота (НИО,)Метакриловая кислота (С,Н,СООН)Лимонная кислота (С 6 НвО)Этиленгликоль (СНзОН - СНОН) 10 - 15 20 27 фтористый аммоний (МН,Р) насыщенный раствор Остальное 31 Азотная кислота (НХО,)Метакриловая кислота (С,Н,СООН)Лимонная кислота (С,НаО,)Этилеигликоль (СНОН - СН,ОН) 15 - 20 фтористый аммоний (ХН,Р) насыщенный раствор 23 Лимонная кислотаЭтиленгликольФтористый аммоний(насыщенный раствор) 2 - 720 - 27 Формула изобретения остальное. Составитель Т. Баранова Техред И. Заболотнова Редактор Б. федотов Корректор В. Дод Заказ 2537/19 Изд.573 Тираж 889 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР ло делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Раствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения равномерности травления, он дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты - фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес, % ):Азотная кислота 28 - 33 Метакриловая кислота 15 - 20 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе10 1. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А.Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники, изд-во Машиностроение, М., 1976, с. 153 (прототип).
СмотретьЗаявка
2651483, 25.07.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4377
СУЧКОВА ЛЮДМИЛА АЛЕКСАНДРОВНА, РУДЕНКО ТАТЬЯНА ВАЛЕНТИНОВНА, КЛИМЕНКО НАТАЛИЯ АРКАДЬЕВНА, ЧЕРКАШИНА НИНА ЕГОРОВНА
МПК / Метки
МПК: H05K 3/26
Метки: раствор, резистивных, сплавов, травления
Опубликовано: 07.11.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-777887-rastvor-dlya-travleniya-rezistivnykh-splavov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Раствор для травления резистивных сплавов</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления двухсторонних печатных плат методом сеткографии
Следующий патент: Способ получения сорбента для очистки воды от радиоактивных загрязнений
Случайный патент: Фотоприемник на видимую область света