Датчик считывания информации на цилиндрических магнитных доменах

(43) Опубликова Гооудоротоеиимй иомитет Совета Ииииатров СОС оо делам изобретеией и откропий(7 Ц,Заквител ИК СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ ЛИНДРИЧБСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНА 2Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может бытьиспользовано при построении запоминающихи логических устройств с записью информациина цилиндрических магнитных доменах (ЦИД)Наиболее близким к предложенному является датчик считыванияинформации иа ЦМД,содержащий пленку магнитоодноосного материала с нанесенной на ее поверхности магнито. резистивной пленкой и источник полл управления 11. ЮПовышение уровня выходного сигналадостигается увеличением количества магниторезистивных слоев, Однако этот эффект сопровождается увеличением уровня шума, возникающего за счет перемагничивания магниторезистивного слоя управляющим магнитным по. 1 блем,Целью изобретения является повышение надежности считывания сигнала .путем повышения отношения сигналшум.Это достигается тем, что предложенное устройство содержит дополнительную пленку измагнитожесткого материала с козрцитивнойсилой большей величины внешнего долл управления и меньшей полн рассеяния ЦКДи магнитосвязанную с магниторезистивпоипленкой. М На фиг. 1 показан датчик считывания ЦМД, вариант; на фнг. 2 - то же, другой вариант; на фиг, 3 показана связь между пленками, обусловленная ферромагнитным обменом; на фиг. 4 - магинтостатическая связь, обусловленнал взаимодействием полей рассеяния пленок, разделенных изолирующим слоем.Если элемент выполнен в виде двух магнитосвязанных пленок, в результате ферромагнитного обмена либо магнитостатического взаимодействия между слоями, намагниченности слоев располагаются параллельно (антипараллель. но).Датчик состоит из кристалла 1 (носителя ЦМД), на котором сформирована двухслойная нли трехслойная структура магнитосвязанных пленок 2 с контактными выводами 3, а радиальная компонента магнитного поля рассеяния ЦМДвзаимодействует с магнитопле-, ночной структурой. В результате ферромагнитного обмена (фиг,н 3) либо магнитостатической связи (фиг, 2 и 4) пленки образуют магнитосвязанную структуру, состояние которой зависит от ориентации ее магнитного мо. мента. Лнизотропия в пленках индуцируется таким образом, чтобы ось легкого намагни. чнвания совпадала с вектором плотности вход. наго тока устройства. Тогда, если выполняет.б 2282 формула изобретения Романова ан Ко Составитель Техред О. Л Тираж 717 ректор А. Граце нсное Редактор Е, КЗакаа 3467/45 НИИПИ Государственного комнт но делан изобрет 303, Москва, ЖВ,Фмнаа ПОП ейатентэ, т. Уета Совета Министров СС еннй н открой аувскан наО.д. 4/Ь жзород, уя. Проектнан 4ся условие, прн котором коэрцнтнвная сила магннтожесткой пленкн На больше поля управленца Нч., устройство не реагирует на него н уровенв помехи, обусловленный действием Ич, равен нулю.Для надежной индикации ЦМД необходимо выполненне второго требования, прн котором поле рассеяння ЦМДНв должно быть больше Нсв, при этом устройство перемагничивается полем ЦМД Нв н выделяет сигнал считывания.Таким образом, выполнение условия (тре.бовання) Н Н,в )Н в позволяет обеспечить зффектнвносгь устройства счнтывання, В качестве магннтожесткого матернала. выбнрают сплав 1 ч - Со, ге - Со, либо М 1 - Ге - Со с Нов, удовлетворявщнй, сформулнрованным требо ванюм. В качестве магннтомягкого матеряала выбнравг сплав е ввкокнм значеннем эффекта магннтосопротнвлення (например ВОЯ - 20 Ге, либо иермаллой 79 НМА).С точки зрения повйщення уровня выходного снгнала датчик с магннтостатнческой связью пленок (фнг. 2 н 4) предпочтнтельнее датчика с обменной связью (фнг, 1 н 3), но скольку в первом случае магннторезнстнвный слой не шунтнруется высококоэрцйтявным слоем, Однако датчик с обменной связью более прост по конструкции, Количество слоев (элементов) в датчике определяется требованиями к величине выходного сигнала, отношению сигнал/шум н технологическнмн возможностями. Датчик считывания ннформацнн на цнлнндрнческнх магнитных доменах, содержа шнйш пленку магннтоодноосного матеряала с нане-.сенной на ее поверхности магниторезистивнойпленкой н источник ноля управления, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности счнтывання сигнала. путем повышення. отношения снгнал/шум, устройство содержит.ф донолнйтельную пленку нз магннтожесткого матернала с коэрцнтнвной силой большей величины внешнего. поля упрввлення н меньшейполя рассеяния цилиндрического магнитногодомена н магнитосвязанную с магннторезнсвв тнвной пленкой.Источники ннформацнн, принятые во внн.мание прн экспертпзе:1. Авторское свндетельство СССР М 485500,кл. б 1 С /02, 1972,