Уплотняющее устройство

Номер патента: 394624

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Давыдов, Зарецкий, Левин, Синицын

МПК: F17C 13/00

Метки: газа, двойными, опора, резервуара, сжиженного, стенками, хранения

...опора резервуара с двойными стенками для храггвния сжиженных газов, включающая кронштейн, прикрепленный к наружной стенке резервуара и установленный внутри подшипника.Для уменьшения ростока ела к ри. мому продукту поверхность кронштейна, взаимодействующая с подшипником, выполнена со сферическими выступами, а внутренняя стенка связана с подшипником хомутами с прокладками, причем прокладки выполнены со сферическими выступами, а кронштеглн и хомуты с прокладками выполнены из высоко- легированной стали.На фиг. 1 изображен продольный разрез опоры; на фиг. 2 - вид по стрелке 4 на фиг. 1.Опора резервуара с двойными стенками (внутренней 1 и наружной 2) включает кронштейн 3, прикрепленный к наружной стенке 2 резервуара и...

Номер патента: 1134671

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Дубянский, Майборода, Рыбянцев

МПК: E02D 27/46, E04H 7/02

Метки: монтажа, откосными, резервуара, стенками

...и повышение надежности работы резервуара.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу монтажа резервуара с откосными стенками, включающему укладку на грунт сборных железобетонных элементов, соединение их между собой и герметизацию швов, сборные элементы поэтапно укладывают полосами, расположенными поперек резервуара, при этом каждую полосу после соединения в ней железобетонных элементов охватывают обоймой, возвратно-поступательными движениями перемещают по грунту вдоль резервуара до установки в проектное 4 положение и осуществляют герметизацию швов.На фиг. 1 изображен фрагмент канала, резервуара, план; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - обойма, вид сбоку; на фиг. 4 - узел 1 на фиг. 3.Предлагаемый способ возведения...

Номер патента: 1008622

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Бутько, Вайнруб, Изотов, Пергамент, Тимошенко, Тютюнюк, Чулин

МПК: G01G 9/00

Метки: жидкости, заданной, массы, отпуска

...коллектором, с верхней частью резервуара соединен источник 45 сжатого газа через редуктор и вентиль, а механизм гиреналожения выполнен многопозиционным.Кроме того, механизм гиреналожения выполнен в виде электромагнитов, связанных полюсами с постоянными магнитами и размещен на крышке резервуара.На чертеже представлено устройство, для отпуска заданной массы.Устройство содержит резервуар 1 с жидкостью, понтон 2, плавающий на поверхности жидкости, гирю 3 заданной массы, механизм 4 гиреналожения, коллектор 5 с двумя клапанами б и 7, в нижней части полости коллектора 5, 60 соединенными трубопроводами 8 и 9 с резервуаром 10 для основного хранения продуктов и заполняемой тарой 11, причем резервуар 1 выполнен с переливным отверстием 12 в средней...

Номер патента: 1127833

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Ивашин, Мартынихин

МПК: B66B 9/187

Метки: грузов, длинномерных, канатный, подъемник, строительный

...блока 18, На платформе 15 также уста-новлены направляюшие плоскости 20, необходимые для горизонтального перемещения платформы в проем здания. Груэонесущее устройство 13 содержит также стойку 21, на которой рас-. положены блок 22 и ролики 23 для запасовки внешней ветви каната 8, и кронштейн с направляющими роликами 24, предназначенными для горизонтального перемещения платформы относительно стойки 21. Расположение блока 22 и роликов 23 на.стойке 21, а также высота стойки 21 и положедие блока 18 на платформе 15 в основном определяют условия равновесия грузонесущего устройства 13, что обеспечивается за счет натяжения внешней ветви замкнутого каната 8 Кроме того, устройство 13 содержит шарнирно-рычажный четырехзвенный механизм...

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...