Формирователь импульсов

О П И С А Н И Е 63678 161) Дополните:ьное к авт. св)1 д-Ву е д 11;- Г) 122) ЗЯЯвлено 23, 06,7(21) 24585 н, 3-2 т с присоединением заявки Хс 1- 03 1 л 5/04 1- 03 Е 3284 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открьтий(71) Заявитель р Ор,"(, 1,1 р О р А -г Е г (,г, Г; л, - , , - Г.) 2 ИзобрГцГ лносится к импульсной).; - нике, может быть использовано лля формироцН 5 стаои.ьны пр 5.10 ъГОГь(ы. им 1)ь,(ь - СОБ.11 яцболес близок к предлагясмо)у форми роватсль импульсов, солсржа гний Бколцю и Бькопной кяскялы ця трянзисторяк, Вк.юч 1 цын ПО сксм( с Обцим эмитте;)ом,пс,1 ьсцыЙ тряс 1)Ор)1 ятОГ). 1 л 0.1:Скр тряцЗИСтОРа ВЫКОДНОО КаСКЯЛЯ ОСЛИ)ог гСРСЗ ли)л 11 рсзистор оязой тряцзисгоря вколкскядя. 1100 БИ ияя Обмокя имцлгльс - в ного трансформатора включена В КО,(лекторную цепь Вколного трянзистора, а вторичная ЕГО ООМОТКЯ ЦОЛ 1 1 К)ЧСЦЯ ПЯРЯЛЛСЛЬгО ЭК(ит- ТЕРНОМ ПЕ)с.О,ЛМ ТРЯЦЗИСТОРЯ ВЫКОЛЦОГО каскада 1.11 слОс ятг;Ол про ГО Г)(Г я я Вл 5 ется 1",иЗкя 5115 СТЯОИ;1 гЦОСТЬ ЦЛ)ПМЛЬСО 15 ЦПИ ВОЗ)С 1 СТВИИ лсстяои 1 изир,ОНих факторов. Напоилп ко- лсбаниЙ тем;Срат(, ры Окр) ж)10(ц.; сЗель, СТЯРЕЦИ 51 ЭЛСМЕ 1 ТОБ И т. Г 1 Б РЕЗУС ЬГЯ ГЕ КО ГОЗЫХ ИЗ)СцяОТ( я Парс лст рЬ Э, СМЕНТОВ 2 В схемы.С целью повыгпеция стабильноти ил- ил Гьсов Б изВГ стиыЙ (рорл 1 ирГ)Батс;)ь члц",ль. СОБ БВЕЛСЦЫ тРаНЗИСтОР, РЕЗИСТОР г: ПОСЛЕ , Б Я. : г. , ,((.;И(. 1: г г,15( и 11 Ц 3 С Г г О 11511 Т Р О - : 3.,".Езц Г(РЯ И К ЬгС 1 ) )1, ОКГЮЧ(Н.К Кл;ЛКТОР(;(л Сг; ( ТРЯЦЗИСТОР(1, :; и;г .,г) С)Тр )Я 1 ц ИП(В( Н ПОС 1 ЛО,,1 цс .:(и 1.ни ы)1 р 31Ором и эл(ит.ЦЙ.ОЯЗцьг М )С,)С.ИЛОМ ТгРЯНЗЦГО)Я, К 0.1 Л 31)р Кгдп 01) ОЛСОСЛИ 1 ц К ТОИл ОСЛИ ц.1 я СГЯЗИГИ. г рмЯ И рЗНСТОр.ч(.Р " гк( 1: Р(Лт)1 ВГ()г 1(ии 1 ь - " Яе ЭГСИТ "1 гСКс 5 СкЛ( фОРЛ)ИОЭБ)1 тг 15 ИМго1Ог)Л.,1;)(ВТГСОЛ(Р)КИ Г ВКОЛНО КЯСКЛ НЯ 1 РЦ 31 СТО;)(дЫлО 1 Н(гп КгСКЯЛ НЯ тряцзис Г)рс 2). 11 коллктр(ю пь тряц- ЗИС:О):Б.,цогСЧ Ь, ЦГ)(Ч:(Ы 1; РЗИСТОР,3Првиг.(я ОблОт.) ИМИ.1 Ь(.НОГО ТрацсфО). )1 ПТОря г. БТОрц 1 цгя ОЙЛ 1)ТКя Которо 0 ПодКЛК)Ч. 1 Я)Япг 1 ЛЬО ЗЛцттсрцо.1 Л цс)ХО;.1 Л ГРЯЦ 31 ГОРЯ , ЛО,151 КГОР ПО 01:ЛИГО ЧСРЕЗ Лц). 5 г ргЗИСТОгр 6 СОСЛ 111 Ь С бг)301 ряц с Гоп 1. Форл(родя Гсг ь 1 мпл 1 ьсОВ (.0- Л(. рж ИЛ. К)К г ра цзцсторИ р(31(ТОр ) И 1 СИЬ ИЗ цСЛС(ОВЯТЛЬгО СЛИ цсццы) Л Я оц,Итр:; г), рзисторя 1 и кс)1,.1 нс)тора 11, Ц)гЧЧ))НЛСЦС;ТОР ,ЦЛЦТ 11 Р)БЯЦ г)ОСЛС- ,с)вы ЫО Э) 1) ТСРЦО-О;ЗОБЫ) П(РКО,О. т Я г 1 3 Ст(гг)10 15 20 сс. и из(5) гп"ся и к сд -сирвГсгп и.,3.ь(.Ов ряоотяст (1(- Л) )Опс ОбряЗОМ. В ИС.СОЛНОМ СОСтОНИ) трацзисротперт, 2 транзистор 2 заперт. При этом и серлечникс трднсформяторд зд- П Я СИ Д Э и Р Ри, 0 П Р СС Г Я .) М Я 51 К ОГ), 1 Р КТ 0 ) И Ыток)м транзиспра . Вел)чина этого ткд. а слс ловят льно 31 энер. и в ссрле )и(к м)кт рег)лировяпгься п.рРМРциым рези.1 Ори)( 3. КОГЛя Нд базу Тря НЗИ С 1 Орс 1330 сту 32 Р заии(эдюц)(й изГ 1лъс, Гок чс рсз иср вич(ую обмс)гку имп)льспого трянсформаТОРа СКДЧКОООРЯЗИГ) УМСЦЬПЯРТСЯ Ло ВРГИЧИ- ны, залявдемой кдскалом на транзистор 7. ИЗЛИИРК Э(ЕРГИИ, ЗацаСН 01, В СРРЛРЧИИКС Тза ЦСфОРМ ДТОРЯ, И НЛМКИ РУСТ ВО ВТОРИ 1 Цо оботкс этго трдцсформатора ЭЛС (полярность покяздид ца чертеже), которая 0 п 3- рает трянзстор .Низкое вы.солное сопротивление отисрто)0 трд зитора 2 иуГирует в:ОЛцу)0 31 и(, ТРЯЦЗИСТОРЯ 3, ООССИЧИВДЯ ЗсРТо 0(Г 53- ни ислслнс.Г Вк 310 чРни ия ) 3 озв 351. Р УГЧЦЦТЬ УСЛВИ 5 эсИИР"ИЦ 5 ГРЯНЗИ(.О. ра 1.Вр. и расРивдиия изоь)сочной энсргии Т р Я НС(Г)П М 1 0.) сОП рСЛ СС ЛСТ ГрОЛОЛ Ж И 1 (.Г Ь ность гРНри 1 смо и.(илиса. 11 ри выоряц- НО)1 В.ГИИ Н КОРКТОПЦО 0 ГОКЗ ТРс 11:ИС- торяв с;0 ис;5 иоч сосгояции (трднз(стр отпсрт) то время зависит от вели ииы тока, зялдвдсмого каскдлоч ид транзист- рс 7, сслук)13 им ооразом: ири умен(и(РН(и тока оцо вс)зпд(таст, иривеличеиии ум 33/сзс Гя. Вь:соли 13 тОК к 1(калс( 3 с Грс 1 и з и сго)( 7 В сВОю О с рс,ь, си рслл 5 и.Гс 5 ицтсри 1)мюпсй цепью, сосгояией из рсз стори 11) и конденсатора 11. Ня коцлецсятрс фрмир(ется сглаженное напряжение, пр- И)сцНЯЛЬ(ОР ГЛИТСГЬ(ОСТИ ИМИУЛЬСВ,и)ЯВляюшРС 1)231 зистс)ромГс 1 КИ ОбрсЗО 3, СС 3 И ЛГцт СГЬНОСТЬ ИМИ )ИСОВ, ИЯПР)СР, Во.РсСТс 1 С Г В РРЗ ЛЫ Я тс измснения параметров )рднзисторов 1 3 - .раис(Ор)с( Грд . и Г.;., Вьзи, 3, Г с(П")И 3(Р. (Ицо(ТЯИ( ГНОМ Т(И 1 С )ЯРЫ С;К - р у Ж 3 10 Ш Р И С р; Ы, И;3 р 5Ж С И3 (. 3с 1 и 0 И; ц С д- Т,)РС ТЯ КЖ С 3 РЯСТсс" И ВЫЗЬнс(Ст У СИГС .1)г( вь);олни тока кдскялд цд трднзистрР 7 11 р 1 см л,)31.)ьноси имиусьов, умснь- И с 15 С Ь, ИРИ 0,1 И Жс. Г 5 3( ЗЯЛЯ И НОМУ ЗНДЧ(.НИ 30. Гчцс)сть поллсрждиия зала(иой ллител).- ности импульсов зяьчсит глс)ГЫ)1 образом от ус(литеи)ь); свойств каскдлд на трдцз(стор 7, и)Цссм с 3 вьисНРч Го 0)эфф 3 ИРНТЯ 13;Р:ИЯ СГДОИИЗс 11351 ИОВЫ(с. .г 1,Ввслс иис В схему с) яолирона с) пози- ,и,О 3 Скл очить влияние ы)олного тока каскада ия тр)изисторР 7 нд когл(к)орцый ток тря 331 с 1 рс 1 и РГО ис.0",нм .От 05 ииР.Г ,Л гкСИ)й С)Орунрд)с ,С ИММЛЬ- ссн (н)ссцс чи)12 т иогучмие дби ьи(х им У ьсОВ,п; Колвос 3 пи к, и 1) 13) 3)1 ОКР) Ж ИоцСЙ Р .)Ь 3, ) ЛС ИДРД МСРов Э,(.МС)(ТОВ В З(т(ЬТЯТ 1 с(РСИИЯ 3 . И. Ф( р)ИЬс ГС,ИИу,И И сВТ.0 И Л;167 С), .Исии(ийСс ГМ, Г О, С и, и,ю иовыпениятдбильности 3(ми ул ьсов, в него ввс сс(иы транзистор, р.3 стор и после. .(Вс(Т(.,)ЬНО СОСИИС(ИИ 1 РПЬ .3 СТЯбИГИ ГРОНа, р((сСТОрс( И Со.3,ссрс(, Г 0,КЛЮЧ(.Нная к КОЛ, 3: к(0 э в.,0,130(рс НЗИСТр 2, ирИ сС. Коц,Спас)Р ЗЯИУН 1 И)0)с(ц СГ 1 РЛОВЯТСЛЬ- но сое)иценными рсзистороч и эмиттерн- баз(вым цср 05 о транзистора, кос.сктр которого ио.соелииен к точке соелиис(и стабилитронд и резистора.11 с 30 Ники информации принятые во внимание при эксериз:1. Авторкос снл) Р,ьство С:О;Р Л Г)167, 1-1 03 Е 1,51, Н (,3 К 54, 137 )