Искусственное основание здания, сооружения

Соов Соевтскик Соцмалмстнчесийк Респубпии(23) Приоритет Я (51) М. Кле 022 гпо Е 02 2 17/О Геоударстееннай комитет Совета Миняотров ССС во делам иэабретеня и открытий(43) Опубликовано 05,12,78 Бюл (45) Дата опубликования описан ень45 07. 1 2. 78(72) Ав И. И. Романенко аобретеиия 71) Заявитель 4) ИСКУССТВЕННОЕ ОСНОВАНИЕ ЗДАНИЯ, СООРУЖЕНИЯ 1Изобретение относится к области строительства и может быть использовано при сооружении оснований фундаментов зданий ялн сооружений в районах с глубоким сезонным промерзаннем нли распространением вечномерзлых грунтов. 5Известно искусственное основание ввиде подсыпки под сооружение, выполнен ной нз крупнозернистого дреннруюшего грунта (1),Такие искусственные основания маловффективны так как дреннруемая влага в теле подсыпки и мйграднонная влага в подстилающем мелкодисперсном грунтепереувлажняют последний у подошвы подсыпки, что влечет за собой деформации подсыпки, а следовательно, н деформапннзданнй н сооружений на ней.. Наиболее близким решением к описываемому изобретению по техннческойсушностн н достигаемому результату являет- ф ся искусственное основание здания, сооружения, включающее слой насыпного грунта и полимерную пленку 2 . Известюе основание включает также расположенный в насыпном грунте фильтруюший слой из гнилостойкого инертного материала закрытый сверху и снизу водопронкцаемой (порнстой) пленкой и виде ворсистой ткани для предотвращения загрязнения фильтруюцего слоя мелкодисперсным грунтом.Водопроннцаемая (порвстая) пленка в известном основаннк допускает проннкновенне дренированной в подсыпке влаги в подстилающий грунт. Кроме того, выполнение дренажа в крупнозернистом грунте с двумя слоями пленки вызывает излишннй расход пленки, так как такой грунт сам является дренируюшим.Цель изобретения - улучшение протнводеформапнонных свойств основания.Указанная пель достигается тем, что в известном искусственном основании здания, сооруженяя, включающем слой насыпного грунта н полимерную пленку, последняя выполнена сплошной н размешена в насыпном грунте одним горизонтальным слоем на расстояннн от поверхности под636325 филиал ППП Па г. Ужгород, ул. Проектентая,4 стилающего грунта. Расстояние между поверхностью подстилающего грунта и полимерной пленкой в 2 3 раза превышаеттолщину проникновения насыпного грунтав подстилающий. 3На чертеже изображен вертикальныйразрез искусственного основания,Дренируюшая подсыпка 1 из крупноскелетного материала (крупнообломочного грунта), в которой заложен фундамент 2 здания или сооружения, возведенана пучинистом подстилающем грунте 3,Между подсыпкой 1 и подстилающим грунтом 3 образован слой 4 взаимного проникновения крупноскелетного материала Иподсыпки и мелкодисперсного грунта, Втеле подсыпки 1 уложена горизонтально полимерная пленка 5 из термопластичнойсмолы, образующая нижний дренируюшийслой 6, толщина которого в 2-3 разапре-ЭВвышает толщину проникновения насыпногогрунта в подстилающий. Пленка выполненаводонепроницаемой и имеет ребра жесткости 7,Свободная влага в оттаивающей или Иоттаявшей подсыпке дренируется сквозькрупноскелетный материал до достиженияводонепроницаемой пленки 5 и отводитсяв сторону, не проникая в дренируюшийслой 6, Аналогично отводится "отжатая" Ивлага в промерзающей подсыпке. Миграционная влага при промерзании основанияподнимается из подстилающего грунта 3,проникает сквозь слой 4 и по нижнемудренирующему слою 6 отводится в сторонуф Указанная толщина нижнего слоя 6 дренируюцей подсыпки 1 принята из условий более эффективного, отвода свободной отжатой и миграционной влаги.Подстилающий грунт не переувлажняеч- ся за счет свободной и "отжатой" влаги подсыпки. Снижаются его деЖормативные свойства уменьшаются знакопеременные деформации подсыпки и, следовательно, фундамента здания, сооружения на ней. формула изобретения 1, Искусственное основание здания,сооружения, возводимого на пучинистомподстилающем, преимущественно вечномерзлом грунте, включающее слой насыпногогрунта и полимерную пленку, о т л и -ч а ю ш е е с я тем, что, с целью улучшения противодеформационных свойств основания, полимерная пленка выполненасплошной и размещена в насыпном грунтеодним горизонтальным слоем на расстоянии от поверхности подстилающего грунта2, Искусственное основание по п,1,отличаюцееся тем, что расстояние междуповерхностью подстилающего грунта и полимерной пленкой в 2-3 раза превышаеттолщину проникновения насыпного грунтав подстилающий.Источники информации, принятые .вовнимание при вкспертиэе:1, Авторское свидетельство СССРМо 347386, кл, Е 02 33 17/00,1972.2, Патент США Ио 3654766,кл. 61-37, 1972,11 НИИПИ Заказ 6901/23 Тираж 777 Подписное