Способ управления профилем энтальпииплазменной струи

тн,.Р Фтед . чуИ С Аи" Е Союз Советскиа Социалистическик Республик(22) Заявлен с лрисоедин (23) Приори 9.03.77 121) 2460120/18-2ем заявки М 5 Н 1/10 рствекнцй коиСССРлаи изобретени открытий блик вано 300381, Бюллетень Й 9 12 ликования описания 30, 03. 81 533.9 (088.8 Авторы обретены,М. Егоров, О.Я. Новиков и В.Ф,ко уйбышевский политехнический инстит им. Ь.В. Куйбышева(71) Заявитель 54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОФИЛЕМ ЭНТАЛЬПИ ПЛАЗМЕННОЙ СТРУИотоспооэдей авленияй струи,пособ не позволяетлять профилем энтализ разрядной камерые я повыОднако этот ффективно упр ии, истекающе труи плазмы. Целью иэобр шение эффективй адиус,зряд ния являетсти управлен Изобретение относится к области техники получения низкотемпературной плазмы и может быть использовано при разработке плазмотронов для различных целей технологии.Известны способы управления профилем энтальпии плазменной струи, заключающиеся в воздействии на длину дуги разрядной камеры, из к рой истекает струя (1 . Такие собы не позволяют однозначно в ствовать на параметры струи, в частности на энтальпию.Известен также способ упр профилем энтальпии плазменно истекающей из разрядной камеры, путем воздействия на разряд магнитным полем )21 . Такой способ позволяет перемещать дугу по поверхности обрабатываемого изделия и тем самым управлять технологическим процессом непосредственно со стороны электрической дуги. Цель достигается тем, что воздействие осуществляют вращающимся вокруг оси разряда магнитным полем,Скорость вращения магнитного поля изменяется путем изменения частоты напряжения источника (генератора, преобразователя частоты) , который питает обмотки индуктора, создающего вращающее магнитное поле,При увеличении скорости вращениямагнитного поля радиальные размерыобласти нахождения электродуговогоразряда уменьшаются, при уменьшении скорости - увеличиваются (т.е. т 5 разряд как бы расширяется или обжи. мается), Радиальный размер областинахождения разряда может быть характеризован эквивалентным радиусомразряда (т.е. радиусом цилиндра), в 20 объеме которого процессирует дугапод действием вращающегося магнитного поля. При протекании газовогопотока через разрядную камеру, где .таким образом осуществлен разряд,на выходе получают плазменную струюс профилем энтальпии, зависящим отэквивалентного радиуса разряда.Принебольших скоростях, порядка3Ф 631037 Формула изобретения Составитель Ю. ЛевитанРедактор М. Кузнецова Техред Н.Келушак Корректор М. Коста Тираж 889 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 1586/47 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 заполняет практически всю разрядную камеру, получают предельнонаполненный профиль энтальпии;при повышенных скоростях вращения, порядка 2000 об/с, вся энергия разряда концентрируется у оси вращающегося поля, и профиль энтальпии получается острый, резко выраженный.Таким образом, изменяя скорость вращения поля, можно плавно изменять профиль энтальпии от предельнонаполненного до острого, резко выраженногоПри дальнейшем увеличении скорости вращеиия (выше .2000 об/с) значительно снижается радиальный тепловой поток за счет подавления диффузного движения частиц плазмы в поле сил вращения. Это приводит к тому, что энергия разряда концентрируется у оси и профиль энтальпии становится еще более острым, резко выраженным, Таким образом, используя зависимость профиля энтальпии плазменной струи от скорости вращения внешнего магнитного поля, можно упростить, облегчить технологический процесс, например, плазменной обработки длинных неоднородных деталей, требующих разного плазменного воздействия по своей длине. Обычно подобные технологические задачи решаются изменением скорости перемещения обрабаТываемого материала перед неподвижной плазменной струей.Использование изобретения позволяет установить постоянную скорость перемещения материала и регулировать плазменное воздействие путем изменения профиля энтальпии, Таким образом, управление технологическим процессом происходит непосредственно со стороны плазменного потока. 15 Способ управления профилею энтальпии плазменной струи, истекающей изразрядной камеры, путем воздействия на разряд магнитным полем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,20 с целью повышения эффективности управления, воздействие осущестауяютвращающимся вокруг оси разряда магнитным полем.Источники информации,5 принятые во внимание при экспертизе1. Патент ВеликобританииР 971063, кл. Н 5 Н, опубл. 1963.2. Авторское свидетельство СССР9 172932, кл. Н 05 Н 1/10, 1965.