Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(45) Дата опубликования описания 12.09,13. М. Кл.В 29 О 11/О 29 С 1/О сударстаеннаи камите авета Министров СССР па дела)и изобретенийи откр)(тий 53) УДК 678, .057 (088,8 Харитонов, В. А, Шишкина, А. И. Песк и В. Г. федосеев(7 тель 54) МАТРИ 11 А л 1 ЛЯ 11 ЗГОТОВЛЕНИЯ ОЛНОСТУПЕНЧАТЬ ФАЗОВЫХ ОПТИЧЕС 1(ИХ ЭЛЕМЕНТОВ 2 5 Из(орет(:цц 1,тся изготовлеция ОдцоСТХ ПЕЦЧ 531. 1 Х ( . (ОНЫХ ОПТИЧЕСКИХ 3 1 СХ 1 СНТОВ из 1305(цч 1:Ь 1, ч;(т(р,2.10 в, в частное Ги, оц- Н(1 РНЫХ;(СТУ ЦС 11 ЧВТЫХ ) фс)ЗОВЫХРОЗ.р(ц,х:. ц Г)т)2)кц Г 51 ьнь) мчг 1 ьти;1, (икатО- р 013,1 и Си(. Ст Г)(/)20(гки оцтчески х (.иН(1.ЛОВ.Из(5(, ы металлические матрицы для изсция Оц И(сских изд(.,ий 1.3 с Н 51 я 312 Г 13 ипа имеет недостаточц ( и).; Вцчрцость высоты рельефного рисунка 1(1 (.с ц 013 срхности, что Отрицательно сказы. ае(ся ца характеристиках мультипликаторов с 3 ысото рель(фцого рисунка, соизм- ричой с длии й 30 лны опти еского;1 иапазоца.11 с (ь из 0(1 ст ни 5 . Новы 3 Сцис р(ВНО- х(рности рсгЬсНь.х р(сл(ко 3 цо цовсрхцсГи ООР 513(2 1 ц( и;51 ОтОВ.1 еции Оиц(РНЬх 51- НОВЫХ )ЧЧ.1 ЬТ 1: Икс(т(ОРОВ Г 1 УТЕМ СЦ 5 ТИ 5 )1 ЬЕфиы.( КОПИЙ С МатРИЦ, ИМСЮ(ЦИХ РЕЛЬеф(1 Ый ри(.) ц( ВЬ 1(.т Ои В прс,(е,5 х ( Од(1 Х цсс - КОГ 1 ЬК: Х .1 И Ц ВО 1 Ц 1 ЗЛЧЧЕН И 51 ОЦТ ИЧССК 1 О ДИВП 230 иа.Эт(1 ц(ь дост( ается применением метал лизироваццого фотоц(аблоца в качестве м;и) и ц Ь 1 дл я 1 Гз Г ОГ О В 1 с и и 51 Од и 0 с т М ц е и ч а т ы х ф азовых опти:1 ских 3,1 мсцтов из полимерцых материалов.На фиг. 1 И,5 ора)ксц металлизированцый фотоц;лц, ца фиг. 2 - фотоНблоц с На и(СЦЦЬ 11 Ц(1 ( О СЛОСХ 1 ЦОЛИХ 1(. Р(1 И СТСК иЦ(п ЦЛСТИЦ1:, Ц;1 фцГ. 3 1 5;1 ЛЦЕ..)1 талл 13 Н Рог 11 ц ны Й ф ГОН 1;10 л Оц с ОдеРК 1 Т СТКГ)яцНМК) цод 1(лике 1 С цацСЕННЫМ Ц(1 ЦСС РИ(."ИКОМ, Д(Л 51 СОЗД(1 ЦИ 51 КОТОРОГО ИСЦОЛЬЗОВВЦРОЧ.И 3 Г От 0 Вл е ис ф 2 3 0 Ги) ГО ( ч Г ь ти л и к(1 т 0 1) а осу(цест 35(к)т цут(.ч заливки цверхисти м- таллизированного фотошаолоца полимером 3 Ц 2 1 ОТО П Ы И Ц 2 КГ 2;1 В 2 Ю Т ( Т(. К:1 Я Ц ЦНЦ, 1(1( 1 И- ц) 4. 11 Ос,1( п 0,1 И)1 ри:аппп цлих 1(р(1 Н.1;(- типу с полимерц Сл( чг:1 ля(от г ф(;- (1320510 ца.1 исчцйк (1)ОГОН 12 ЙГ 1 ц(1 (.О В,т(ГГВ) (.Г из.ГОТОВЛ 51 С)10(1 Х )1 ЧЛТИЦ 1 цкаОРЧ, (1 В 11 от( 1 ЬЕфа РИ ЦК; С(ВГЯ(.Т (,. ХКЧСТ(1,1 ЛИ.3 и ) О В (1 ц ц ч ц О 15 (1)ц 0 ( 1 ь фи г 0 ц 111 б, 10 ц (1 ц ) С Д Ц(1 ЦСССЦ И 1 1 Г Ц М,( ИКРЫВ(1 ОТ )ЦТИ 1:1 Г(.3 И Оццых с(ч. 1 с (кг 5 Нцх 1 О илатип .1 цод- Врг 2 ОТ;ДГ(31;(Г 1(ч ОораООТКС. 1(,1(. ОТДслс 1151 ф( Г;)б ( (Ст(кг(5110 Й и. ( Ств НЫ С ПО ИМ СРО)1З ЧТ 1,1 Ц К(1 ТРЦ 1 ЦС, 1(. Д неи НО,х чат рельфць)й рисх нОк, обратцыйФор,)у.и и;зоб)ретс и ггн Риг. 2 Составитеь Б. Зиблова Релактор 1. Ушакова Текре О., 1 тгова 53 КорректО) Л. Кр)33)3 Закс Заказ 5541/19 Тираж 810 Под)333 нос ЦНИИПИ Годарств 333 ого ко 333 та г,овта М 3333 итрон С,(Х 3 но )ам нзобретс нив 3 открыл нй 113035, 33 оква, Ж.35. Раушскнн араб. л. 4 5 Филиал 11 ПП Пнтснп вь 3. Уж орогь ул. 11 ро к 3 нзн,)рисунку фотошаблоца. В результате получяк)т прозрачныи фазоезый рег 1 ефц 133 р 33 су 133 сжк высотой 0,3 мкм с отклонениями В прстсггяк +0,02 мкм по плогцади 5 Х 50 мм.Влаголяря применению металлизировянного фотошаблона В качестве матргсисы лггя изготовлен)3 я о 13 осту)сцч,)гык фазовык оптичсскик э,гсмси гогз повыцгяегся равномерность высоты рсльефнык рисунков на поверкносги ф 130 Вы ыуггьт 33 п,гикаторОВ В прс,)еляк цс ниже 0,05 мкм цри высоте рельефа от 0,3 ло 3 мкм по пошали матрицы 50 Х Х 50 мм, что повышает точность работы систем обработки оптическик с)згнаггс)в, в котс)рык использук)тся фазовьге м.гьти 33 л 33 к 3 торы. 11 рименение металлизировацного фотоша.О,ЗОЦЯ В 3 СЯ 1 ЕСгве МЯТРгисЫ Л,1 Я 31 ЗГО 03 З,1 ЕЦИЯолгзоступег)цагтьгк фазогзьгк о 3 т 33 чес 3433 к з 3 с -)1 сцтОВ из ПО, изегцы. з ЯсР 31 Я,30 В.1 О 11 сточцики ицфорнги ирВятг 3 с"мяцис при эксцсргизе:1. Авторе.с)с св 33,гете,1 ствс) О,С.РЛЪ )1095, кл. 6 03 С 7/14, 191)8.
СмотретьЗаявка
2465961, 28.03.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8584
ХАРИТОНОВ ЮРИЙ АРСЕНЬЕВИЧ, ШИШКИНА ВАЛЕНТИНА АНДРЕЕВНА, ПЕСКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, ФЕДОСЕЕВ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: B29D 11/00
Метки: матрица, одноступенчатых, оптических, фазовых, элементов
Опубликовано: 05.10.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-626967-matrica-dlya-izgotovleniya-odnostupenchatykh-fazovykh-opticheskikh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов</a>
Предыдущий патент: Устройство для ультразвуковой сварки термопластичных материалов
Следующий патент: Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов
Случайный патент: Устройство для определения концентрации нефти и нефтепродуктов, находящихся в воде