Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов

Номер патента: 626968

Авторы: Звездочкин, Песков, Федосеев, Харитонов, Шишкина

ZIP архив

Текст

(45) Дата опубликования описания 2.03,7. кудеротееннье номнтетСовета Мнннстрое СИрео делам нзооретеннйи етнрьлнй УДК 678.(54) МАТРИЦА,ЦЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОДНОСТУПЕНЧАТЫ ФАЗОВЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ асти ну сук кем Изобретение касается изготовлеция одноступенчатых фазовых оптических элементовиз полимерных материалов в частности бинарных (одноступенчатых) фазовых йрозрачных или отражательных мультипликаторов для систем обработки оптических сигналов,Известна матрица для изготовления оптических изделий, изготовленная из метал-лической пластины с нанесенным на неерельефным рисунком ).Такая матрица имеет неравномерную вы- .1 Всоту рельефного рисунка, что отрицательно сказывается на характеристиках мультипликаторов с высотой рельефного рисунка,соизмеримой с длиной волны оптического диапазона,Равномерность высоты получаемого рельефа по поверхности матриц с оттиснутымрисунком зависит от режима изготовлениярельефных рисунков на них, например, отточности формообразующего инструмента,от точности его перемещений при механических способах изготовления и от локальных свойств материала матрицы.Цель изобретенияповышение равномерности рельефных рисунков по поверхности образца при изготовлении бинарных фазовых мультипликаторов путем снятия ре. льефных копий с матриц, имеющих рельефный рисунок высотой в пределах от одной до нескольких долей волн излучения оптического диапазона.Поставленная цель достигается применением окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окис. ла кремния, в качестве матрицы для изго товления .одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов.На фиг. 1 изображена маска; на фиг. 2 - маска с нанесенным на него слоем полимера и стеклянной пластиной, на фиг, 3 изделие.Матрица содержит кремниевую пл(подложку) с нанесенным на нее ри 2, образованным окислом кремния,Изготовление фазового мультипликатора осуществляют путем заливки матрицы полимером 3 с последующим наложением на поли мерный слой стеклянной пластины 4, После отверждения полимерного слоя последний отделяют от матрицы. Рисунок, образованный окислом, соответствует изготовленному мультипликатору, а высота рельефа рисунка626968 формула изобретения Составитель В. ЗябловТехред О. Луговая ираж 810 ого комитета Совета изобретен нй н от к р Ж-З 5, Раушская наб нт, г. Ужгород, ул Корректор А. КравченкПодии с ноеиннстров СССРытий Редактор Л, УшаковЗаказ 5541/19цниипи г осударствен по делам 1 13035, Москва Филиал ППП Патсоставляет 0,31 мкм. Рельефную поверхность маски перед нанесением полимера покрывают антиадгеэионным слоем а стеклянную пластину подвергают адгезионной обработке, После отделения матрицы от стеклянной ф пластины с полимером (мультипликатор) на последней получают рельефныйрисунок, обратный рисунку матрицы, В результате получают прозрачны 9 фазовый рельефный рисунок высотой 0,31 мкм с отклонениями в пре-делах:й 0,01 мкм по площади поверхности диаметром 32 мм,Повышение равномерности высоты полу.чаемого рельефа по поверхности образца происходит за счет того, что высота рельефного рисунка бпределяется только толщиной окис- И ла материала подложки, которая может быть выдержана с помощью известной в практике технологии с высокой точностью по всей поверхности образца. Окисел материала может быть образован, например, вакуумным испарением, термическим окислением материала подложки.Опытами выявлена высокая износостой. кость рельефного рисунка структуры, образованной окислом материала подложки и са. мой подложкой, Это позволяет многократно использовать описанную маску в качестве матрицы для изготовления. мул ьтипл и каторов.Применение предлагаемой маски позволит повысить равномерность высоты рельефного рисунка по поверхности фазового мультипликатора в пределах 0,01 - 0,03 мкм при высоте рельефа от 0,15 до 1,0 мкм, что повысит точность работы систем обработки оптических сигналов, в которых используются фазовые мультипликаторы. Применение окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окисла кремния, в качестве матрицы для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов иэ полимерных материалов,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Авторское свидетельство СССР21095, кл. 6 03 С 7/14, 1968.

Смотреть

Заявка

2467062, 28.03.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8584

ХАРИТОНОВ ЮРИЙ АРСЕНЬЕВИЧ, ШИШКИНА ВАЛЕНТИНА АНДРЕЕВНА, ПЕСКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, ФЕДОСЕЕВ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ, ЗВЕЗДОЧКИН АЛЕКСАНДР РЕВИЗОВИЧ

МПК / Метки

МПК: B29D 11/00

Метки: матрица, одноступенчатых, оптических, фазовых, элементов

Опубликовано: 05.10.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-626968-matrica-dlya-izgotovleniya-odnostupenchatykh-fazovykh-opticheskikh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов</a>

Похожие патенты