Запоминающее устройство

Номер патента: 318948

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борисевич, Гщг, Симоненко, Смирновр

МПК: G06F 12/00

Метки: запоминающих, памяти, распределения, устройств

...каждый; параллельной работой этих регистров управляет распределитель 12, который обеспечивает занесение кода свободной зоны из счетчика свободных зон только в один свободный регистр, если регистры свободны, и выдачу кода в процессор только из одного занятого регистра, если регистры заполнены, Узел управления 13 представляет собой группу триггеров и логических схем и предназначен для формирования управляющих сигналов для работы устройства в режиме поиска свободной зоны и в режиме приема освободившейся зоны. Схема совпадения 14 предназначена для анализа отдельных разрядов регистра обмена,В режиме поиска устройство работает следующим обр азом.В группу старших разрядов счетчика 2 зон добавляется + 1, и их содержимое записывается в...

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...

Номер патента: 1109799

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Сабуров, Сабурова, Селиванов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...к информационным входам со- второй счетчик, допетчик ополннтельный деответствующего коммутатора, причем. шифратор. триг Р, РУто т игге ы нагрузочный и навыходы коммутаторов являются выхода- копительный элементы и регистр, вхоми устройства, и счетчик, вход кото- ды которого являются информационными рого подключен к синхронизирующим входами блока, а одни выходы - одни- входам преобразователей кода и явля- ми выходами блока, дру д35ется синхронизирующим входом устрой- которого являются другие выходы рества, а выходы счетчика подключены к гистра и выходы первого и второго управляющим входам преобразователей триггеров, первые входы которых подкода и коммутаторов 23. ключены к одним выходам дополнительнедостатком известного устройства...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гаштольд, Камбалин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...