Материал для пропитки конденсаторов

Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советскни Социалистических Республик,03.72 осударственный комит Соввта Министров ССС по делам изобретений и открытий(45) Дата оп сания 12.07,77 кования(72) Автор изобретени Иностранец алф Хауард Ман) Заявител 4) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПРОПИТКИ КОНДЕНСАТОРОВ одных, в и алкань Изобрете илзамещенных прои эфиров и их алккоторой указат.имеют от 1 до носится к технологии изг гные алкиловые20 атомов углее радикалы естьпил, а упомяну5 феииловых грлкилбифенила к материалам дл бенз на талин дутые арнловь тые поли енил бифенил, потшфе включают от 3 до Б качестве пропилбифенил. Диарил сульфо формулойржит изо. о редставлен стр й)-Аг-Лт-(11 п 1, нафповьй, инданвый радикал с количдо 8, п = 1-3.диарилсульфона он с где Аг - фенило радикал, В - алкил атомов углерода от О 11 ричем в качеств толилк силилсульфо Представителяьп тываемых приведе являются дифенилс д ксилилсульфон, тотвом пения радиоаппаратуры, а именно япропитки конденсаторов,Известен материал для пропитки конденсаторовна основе эпоксидных и ароматических органичес.ких соединений.Однако известный материал является недостаточно устойчивым к атмосферному воздействию.Цель изобретения - повышение устойпвостиматериала к атмосферному воздействию.Для достижения цели он в качестве ароматического органического соединения содержит свободное от галогена ароматическое соединение идополнительно сдержит диарилсульфон при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:Диарилсульфон 10,0 - 80,0Эпоксидное соединение 0,1 - 3,0Свободное от галогенаорганическое соединение Остальное,Свободное от галогена ароматическое органическое соединение выбрано иэ группы, состоящейиз алкилбензола, алкилнафталина, алкилбифевна,алкариловых сложных эфиров и их алкилзамещен.Ных производных, диарилалканов и их алкилзамещенных производных, и диариловых слолапдх т диариловых сульфонов, охва. шюй структурной формулой, ульфон, дитолилсульфон, фенил лилксилилсульфон, фенилтолил67179 Составитель Г, Богдалова Техр ед И, Асталощ Корректор И. Гоксич Редактор Н. Коляда Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Заказ 1767/691 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 35сульфон, индантолилсульфон, индан динафтилсульфон, нафтилфеннлсульфон, нафтилксилилсульфони нзфтилтолилсульфон,К представителям свободных от галогена ароматических соединений относятся алкилбенэол,злкилнафталнн, алкилбифенил, алкилполифевнл,алкариловые сложные эфиры и их злкилэамещенные производные и диариловые сложные эфиры иих алкилэамещенные производные, в которых упомянутые злкиловые группы и злканы имеют от 1до 20 атомов углерода, причем упомянутые арило.вые радикалы есть бензол, нафталин, бифенил илиполнфенил, а упомянутые полифенилы включают оттрех до пяти фениловых Групп.Специфическими примерами таких ароматических органических соединений, свободных от галоГеноВ, ЯВлЯютсЯ СззлкилбензоциклоГексил"атилбензол Сззлкилнзфтзлин, Сззлкилтетраалинизопропилбифенил, циклогексилбифенил,С 4-а алкилфенилэфиры, дифенилметилпентан, бен.зилэтнлбензол, дифенилэфир и феноксибифенил.,В качестве представителей эпок сидйых соедипений в материале для пропитки конденсаторовмогут быть использованы 1зпоксиэтил . 1,3,4-эпоксициклогексан, 3,4 - эпокси - 6 - метилциклогексзн карбокснлзт, Эти эпоксиды содержатся вматериале в количестве от 0,1 до 3 вес.%.Оптимальное содержание исходных компонентов материала для пропитки конденсаторов, вес. %.Толилксилилсульфон 10 - 3173,4 - эпок сициклогекалметил.-1,3,4. эпоксициклогексанкарбоксилат 0,1 - 3,0Иэопропилбифе пил Остальное Формула изобретения 1, Материал для пропитки конденсаторов на основе зпоксидных и ароматических органических соединений, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повн дения устойчивости.его к атмосферному воздействию, он в качестве ароматического органичес.кого соединения содержит свободное от гзлогенаароматическое соединение и дополнительно содержит диарилсульфон при следующем соотношенииисходных компонентов, вес.%:Диарилсульфон 10,0 - 80,0Эпоксидное соединение 0,1 - 3,0Свободное от галогена19 органическое соединение Остальное.2. Материал по п. 1, о т л и ч а ю щ н й с я тем,что свободное от гзлогена ароматическое органическое соединение выбрано из группы, состоящей изалкнлбензола, алкилнафталина, злкилбифеннла,15 алкариловых сложных эфиров и их алкилзамещенных производных, диарилалканов и их злкилзамеще нных производных, диариловых сложныхэфиров и их алкилзамещенвых производных, вкоторой указанные алкиловые группы и алканыоп имеют от 1 до 20 атомов углерода, причем упо.мянутые ариловые радикалы представляют собойбензол, нафталин, бифенил, полнфеннл, а упомяну.тые полифенилы включают от трех до пяти фениловых групп,об 3. Материал по пп.1 и 2, о тли ча ющийсятем, что в качестве алкилбифенила он содержитизопропилбифенил.4, Материал по и. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что диарнлсульфон имеет структурную формулу:а о11(М -Ьп-Ь-Д 1 -Л)П 11 71О где А - фениловьп 1, нафтиловый, индановый ра.Дикал)В - алкиловый радикал с количествоматомов углерода от 1 до 8, и = 1 - 3.5, Материал по и. 1 и 4, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что в качестве диарилсульфона он содержиттолилксилилсульфон,