Элемент дискретно-аналоговый линии задержки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических Республик(51) М, Кл.в Н 03 К 17/28 Н 03 К 3/353 Госудврственнва квинтет Совете Инннстрав СССР во делам нзооретеннв н отнрытнйИзобретение относится к импульсной технике, в частности к устройствам задержки импульсного сигнала и может использоваться, например в динамических фильтрах, на приборах с переносом заряда, бИзвестен элемент дискретно-аналоговой линии задержки, содержащий,последовательно соединенные первый и второйМДП гранзисторы ; и конденсатор, одна обкладка которого соединена с их общей точкой, пер вый и второй тактовые генераторы, соединенные соответственно с затворами первого и второго МДП-транзисторов 111,Однако этот элемент не обеспечивает инвертирования или усиления сигнала. 5Цель изобретения - расширение функциоь нальиых возможностей устройства.Для этого в элемент дискретно-аналоговой линии задержки, содержмций последовательно соединенные первый и второй МДП- О транзисторы и конденсатор, одна обкладка которого соединена с их общей точкой, первый и второй тактовые генераторы, соединенные соответственно с затворами первого и второго МДП- гранзисторов, дополни тельно введены третий и четвертый последовательно соединенныеМДП-транзисторы,причем их общая точка соединена со второйобкладкой конденсатора, затворы соединенысоответственно с первым и вторым тактовйми генераторами, а истокивторогои третьего МДП-транзисторов соединены,На чертеже приведена принпипиальнаясхема элемента,Элемент дискретно-аналоговой линии задержки имеет МДП-транзисторы 1-4, конденсатор 5, причем стоки транзисторов 1и 2 соединены со стоками транзисторов 3и 4 через конденсатор 5 истоки транзисторов 2 и 3 объединецы, затворы транзисторов 1 и 3 подключены к первому, азатворы транзисторов 2 и 4 - ко второму тактовым генераторам,Элемент работает следующим образом,Рассмотрим действие элемента при получении инвертированного сигнала с коэффипиентом передачи -1". В этом случаеисточник входного сигнала ( Ц ф 0)где У - постоянная составлятощая, аоУ - переменная составляющая напряжения,.п и эщющЭще Заказ 2513/39 Тираж 1065 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, улПОоектная, 4 соедянен с нстохом транзистора 1 Вы ходная цепь подключена к истоку транзистора 4, а к истокам транзисторов 2 и 3 подключен источник с постоянным напряжением У . При действии импульса первого генератора транзисторы 1 и 3 Отпираются и конденсатор 5 заряжается до напряжения (Оо+ О.-УО= 1 Х После окончания импульсас выхода второго тактового генератора действует импульс ц),. транзисто ры 1, 3 запираются, а 2,5-, ОтпирЯОтся и выборка входного напряжения Б, до которого заряжен конденсатор 5, прикладывается на выход в обратной полярности, то есть на выходе действует напряжение О о - О15При полу жпии непнвертированного сигнала с коэффициентом передачи +э источник-твходного сигналаИ О, соединен с истоками транзисторов 2 и 3,выходная цепь подкпочена к истоку трапзистора 1 а к исто ку транзистора 4 подключен источник посто, янного напряжеш 1 я 1 ХПри этом па выходе элемаш тд уста 1 авлцвается напряжение Оо" 20,. Ф Ормула изобретения Элемент дискретно-аналоговой линии задержки, содержащий последовательно соединенные первый ,и второй ЯдП-транзисторы и конденсатор, одна обкладка которого соединена с их обшей точкой, первый и второй тактовые генераторы, соединенные соответственно с затворами первого и второгоМДП-транзисторов, о т л и ч а ю ш и йс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностефв него дополнительно введены третий и четвертый последовательно соединенные МДП-транзисторы, причем их общая точка соединена со второй обкладкой конденсатора, затворы соединены соответственно с первым и вторым тактовыми генераторами, а истоки, второго и третьего МДП-транзисторов соединены,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Патент СЕЛ 34 3597707, кл.333-18, 1971,
СмотретьЗаявка
2194871, 01.12.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
ПОПОВ ВАЛЕНТИН ПЕТРОВИЧ, ТИМОШЕНКО НИКОЛАЙ АНДРЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 17/28
Метки: дискретно-аналоговый, задержки, линии, элемент
Опубликовано: 25.07.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-566350-ehlement-diskretno-analogovyjj-linii-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент дискретно-аналоговый линии задержки</a>
Двухвходовый элемент трехзначной логики на кмдп транзисторах
Номер патента: 1336226
Опубликовано: 07.09.1987
Автор: Виноградов
МПК: H03K 19/094
Метки: двухвходовый, кмдп, логики, транзисторах, трехзначной, элемент
...источников напряжения питания.На чертеже изображена электрическая принципиальная схема двухвходового элемента трехзначной логики на КМДП-транзисторах х. 15Схема содержит первую входную шину 1, первую шину 2 питания, общую шину 3, выходную шину 4, пять инверторов 5 - 9, вторую входную шину 10, вторую шину 11 питания, первая входная шина 1 соединена с входом первого инвертора 5, выход которого соединен с входом второго инвертора 6, выход которого соединен с истоком р-транзистора пятого инвертора 9, выход которого соединен с выходной шиной 4, а вход - с выходом четвертого инвертора 8, вход которого 25 соединен с выходом третьего инвертора 7, вход последнего соединен с второй входной шиной 1 О. Цепи питания первого, третьего и четвертого...
Способ изготовления обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем
Номер патента: 1829792
Опубликовано: 10.10.1996
Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич
МПК: H01L 21/82
Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента
...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...
Устройство для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в мдп-конденсаторах
Номер патента: 919486
Опубликовано: 30.08.1983
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей
...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...
Мдп-конденсатор
Номер патента: 1795837
Опубликовано: 20.09.1996
МПК: H01L 29/94
Метки: мдп-конденсатор
...второго типа проводимости, сформированные в подложке и расположенные по 95837 4длине с обеих сторон обкладок без перекрытия с ними, введен источник напряжениясмещения, один полюс которого подключенк подложке, а второй полюс соединен свысоколегированными областями второго типа проводимости и его полярность противоположна знаку заряда основных носителейвысоколегированных областей.На фиг.1 представлен МОП-конденсатор,общий вид; на фиг,2 - то же, поперечныйразрез,В представленном на чертеже примереконкретного выполнения МОП-конденсаторав качестве полупроводника первого типапроводимости принят полупроводник, легированный примесью р-типа; второго типапроводимости, легированный примесью и-типа,МОП-конденсатор выполнен на подложке1 р-типа,...
Замок для соединения концов обвязочного элемента
Номер патента: 603615
Опубликовано: 25.04.1978
Авторы: Борисов, Дерстуганов, Козлов
МПК: B65D 63/16
Метки: замок, концов, обвязочного, соединения, элемента
...замка;на фиг, 2 - то же, разрез А-А на ф 1 г. 1на фиг, 3 - соединеие канатов предлагаемым замкэм,Замок содержит тяговый стержень 1 с упорным буртиком и проушиной по торцам,и втулку 2, свободно поворачивающуюся на тяговом стержне, На пэверхности тягового стержня 1 выполнена винтовая спиральная канавка для размещения каната, Конец канавки заканчивается прорезью в буртике. Размещенная на тяговом стержне втулка 2 имеет прорезь по длине, причем одна кромка првыполнена с внутренним скосом. Для фиксации втулки 2 от смещений пэ тяговому стержню 1 служит упорное кольцо 3,603615 ИИПИ Заказ 1 20 Тираж 10 Подписное лиал ППП Патен. Ужгород, ул. Проектная, 4 Замох работает следующим образом, Прорезь втулки 2 совмешается с прорезью в буртяке...
Предыдущий патент: Реле времени
Следующий патент: Реле времени
Случайный патент: Устройство для учета электрической энергии