Способ электрохимического маркирования

Номер патента: 646372

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Куссуль, Малецкий, Фоменко

МПК: G11C 13/02

Метки: записи, информации, памяти, стирания, электрохимическом, элементе

...электролита,ф при этом происходит выделение его газовой фазы, удаление которой производят принудительной циркуляцией потока электролита;Такой способ может быть осуществлен устройством новой конструкции для записи и стирания информации в электрохимическом элементе памяти, содержащем корпус, разделенный на две полости, в одной из которых установлены электроды.Отличие устройства, позволяющее осуществить новый способ, состоит в том, что устройство снабжено капиллярными трубками и насосом, соединенным с полостями корпуса.На чертеже изображено устройство для .осуществления способа.Устройство содержит электроды 1 и электроизоляциоиный корпус 2, разделенный на две полости 3 и 4, соединенные между собой капилляром 5. Полость 4 сообщается с...

Номер патента: 1087294

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Андросова, Кадемик, Мухин

МПК: B23P 1/12

Метки: маркирования, станок, электрохимического

...шарниры47 и коромысло 48 соединены с магнитами 49 и контргрузом 50. КоромыслоС48 может взаимодействовать с конеч/0872 40 3ным выключателем 51, установленнымна раме 36Механизмы 38 и 39 протирки до ипосле клеймения имеют прижимныерамки 52, которые с возможностью5вертикального перемещения установлены на штоках 53, которые через шарниры 54 и коромысло 55 соединены смагнитом 56 и контргрузами 57. Коромысло 55 может взаимодействовать сконечным выключателем 58, установленным на раме 36.,На раме 36 установлены стационарные ролики 59, натяжные ролики 60,прижимные ролики 61 и приводные ролики 62 для поддержания, перемещенияи натяжения бесконечных протирочныхлент 63, огибающих прижимные рамки52, снабженными прижимными подушками 64, Натяжные...

Номер патента: 1120406

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Бондаренко, Вальков, Задоркина, Мануилов, Соболев

МПК: G11C 7/12

Метки: информации, памяти, пьезоэлектрическом, стирания, элементе

...с различнымн параметрами или.приутере информации о параметрах записываюшух импульсов, или, если внакопитель поступил сигнал помехи,практически невозможно, так как неможет быть достигнута необходимаяидентичность стиракнцих импульсовзаписанным. 06 2 Стирание двумя радиоимпульсамис частотаж 71,5 МГц и 72,5 МГц каж Ф ВНИИПИ Заказ 7750/40Тираж 574 Подписное фиакр ШЙ Ъатектф, 3.Ужгород, ул.Проевтная, 4 Целью изобретения является повышение надежности стирания.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу стирания информации в пьезоэлектрическом элементе памяти, основанному на возбуждении упругих колебаний и переориентировании частиц пьезоэлектрика, возбуждение упругих колебаний и переориентирование частиц пьезоэлектрика осуществляют...

Номер патента: 1838848

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Джакобус, Джеймс, Роджер

МПК: H01M 10/39

Метки: боков, использования, кассета, качестве, сжатая, электрододержателя, электрохимический, электрохимическом, элемент, элементе

...двух листов материала одного 5 10 15 20 25 30 35 40 дольном наружном направлении, что и позволит запечатать стык под действием тепла и давления, как описано выше, при использовании соответствующей формы поверхностей пресса или валков для соединения листов при повышенной температуре, или используя указанный растворитель, или используя то и другое. При желании между листами может быть проложена полоска из того же гофрированного материала в фазе с гофрами концов листов при запечатывании, чтобы улучшить запечатывание.Заявитель обнаружил, что при соответствующем смягчении при повышенной температуре можно механически сдвинутьчасти листов в сторону, выдерживая параллельность гофров на большей части их длины, при этом концевые части гофров510...

Номер патента: 1180977

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Данцигер, Кит, Клевцов, Панич, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Фесенко, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: записи, информации, памяти, сегнетоэлектрическом, считывания, элементе

...упрощениеспособа записи и считывания информации всегнетозлектрическом элементе памяти.Величина изменения емкости у современныхсегнетоэлектрических конденсаторов в поляризованном и деполяризованном состоянияхдиэлектрика достигает 50 - 80%. ОНа практике способ реализуется тем, что кпаре, состоящей иэ сегнетоэлектрнческогоэлемента памяти, который находются в поля.ризованном или деполяризованном состояниипоследовательно соединенного с ним элемента 15с постоянными электрическими параметрами,например конденсатора,прикладывают корот.кий импульс напряжения считывания,гНапряжение считывания делится на этихэлементах в зависимости от их электрическихпараметров. По величине напряжения, снимаемого с лю. бого элемента пары и зависящего от емкэс-...