Электротермографичнский материал

Номер патента: 1075305

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Гнидаш, Качармина, Кирсанова, Руденко, Соломко

МПК: G11B 5/68

Метки: записи, магнитной, материал, носителя, рабочего, слоя

...2,4-4,2; гексаметоксиметилмеламин 0,45-0,80; олеиновая кислота 0,8-1,1; оксифос 2,35-4,501 додецилбенэолсульфокислота 0,10-0,25 и двуокись кремния 0,35-0,45. 60Предложенный материал дополнительно содержит двуокись кремния, что позволяет в значительной степениоуменьшить неравномерность распределения игольчатых магнитных частиц в 65 2рабочем слое носителя магнитной записи.Предложенный материал состоит изигольчатых магнитных частиц, распределенных в смеси сополимера винилхлорида с винилацетатом, .уретановогокаучука, гексам 6 токсиметилмеламина,олеиновой кислоты, оксифоса и додецилбенэолсульфокислоты. Предложенныйматериал, кроме того, содержит двуокись кремния,Предложенный материал может содержать, мас. 78,90 игольчатых маг.нитных частиц,...

Номер патента: 1455334

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Бретош, Гофман, Гусельщиков, Десятник, Дубовский, Покаров, Штрейс

МПК: G03F 7/00

Метки: изображения, металлической, подложке, рельефного

...пульверизаторомкопировальныйслой на основе хинондиазидов (ФПо051 Т), сушат при 25 С в течение 7 мин.Перед экспонированием материал подвергают выдержке,при 30 С в течениео12 ч, экспонируют 11 мин, проявляютв слабощелочном водном растворе (рН7,5-9,0) азотной кислоты в течение3 мин и травят 4 ч.П р и м е р 3. Латунную подложкуобрабатывают 57.-ным раствором смесигидроксида натрия и гидроксида калияв этаноле, затем 57.-ным растворомэпоксидной смолы ЭДв ацетоне, наносят на нее восьмикратно пульверизатором копировальный слой на основециклокаучука (ФН, ТУ 6-14-681-78),сушат при 35 С в течение 5 мин. Полученный материал экспонируют 6. мин,затем проявляют в уайт-спирите в течение 2 мин и травят 3 ч. При этомперед экспонированием необходима...

Номер патента: 1818617

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Котов, Лупарев, Мкртичан, Попов, Селимханов, Шнейдман

МПК: G03G 5/082

Метки: изображения, нанесения, носителя, подложку, промежуточного, цилиндрическую

...ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 носителей информации следует изменитьрасстояние между подложкой и испарителем, изменяя и их диаметры. Оптимальноесоотношение диметров испарителя и под-,ложки должно соответствовать условию4исп5, При ис4 фоточувстви Оисп ОиспОподлОподлтельность промежуточного носителя изображения уменьшается, т.е, градиенттемпературы в слое низкий и удельный тепловой поток, проходящий через слой не может формировать высокочувствительнуюнадмолекулярную структуру аморфного селена.При соотношении5 градиентОиспОподлтемпературы в слое высокий, на свободнойповерхности...

Номер патента: 572751

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Анфилов, Роженко

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрической, изображения, пленкой, слоях, фотополупроводниковых, электрофотографического

...О вследствие резкого уменьшения их сопротивления переходит ца границу раздела слоя и11 пленки, где создается плотность заряда О + + о, равная по абсолютной величине заряду ца поверхности пленки о + а . На темных участках слоя распределение зарядов остается прежним.В следующей 1 Ч стадии процесса поверхность пленки закорачивается с проводящей подложкой при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопроводящей резины.Таким образом, что исходя из соотношениясл 1 сл + "пп - Огде е и еп - напряженность электрического поля соответственно в слое и пленке; дсп и П - толщины слоя и пленки,уравнивание потенциалов поверхности пленки и проводящей подложки приведет к таму, что на экспонированных участках слоя плотность заряда на...

Номер патента: 1818618

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Панасюк, Чапурин

МПК: G03G 16/00

Метки: записи, информации, мышьяка, носителе, оптической, слоем, стеклообразных, фототермопластическом, фоточувствительным, халькогенидов

...в результате его фотоструктурироеания, Резонансная пространственная частота термопластического слоя при температуре 75 С и потенциале зарядки 6000 В составляет= 150 мм Поэтому угол р 1 между интерферирующими лазерными пучками устанавливают равным агсз 1 п 1 1 ), где б = 2 1 о пространственная частота интерференционного растра, А = 0,63 мкм - длина волны лазерного излучения. Устанавливают потенциал зарядки 5940 В, равный 0,99 от предельного потенциала образования деформаций, и температуру записи 75 ОС, при которой термоплдстик полностью смачивает поверхность полупроводникового 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 слоя и характеризуется вязкостью 2,7 10 Па с. Одновременно с зарядкой ибразогревом, продолжительность которых устанавливают...