Грунтовая эмаль
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Т0 П И С А Н И Е и 154 Э 626изовеитиния Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.е СОЗ С 7/О осударстаенныи номит Сонета Иинистраа ССС по делам изобретенийи открытий 53) УДК 666.293.521 (088.8)(54) ГРУНТОВАЯ ЭМ зобретение относится к составам грунтовых олченныи шлттк аносят на подготовленпри 670-800 С в те енин эмалеи для стали.Известна грунА 1 гОз СаО, .Ка,МпОг. ные изделия и обжи3-6 мин.Изобретение ивами грунтовой эм ь, содерж Оз, Сагг,овая Кгоясняется кон али, содержа ци детными .сос ес./с. ее является повышенная темпеебольшой интервал его.эким является состав грунтовой щий В 10 г, Вг Оз, Ре,О, Каг О,тк НедураН 1 П 30Со О. ния является расширен МпО 1,0 50 вала обжига.Это достигается тем, что эмаль долосодержит А 1 г Оз и КгО при следующешенин компонентов, вес.%: 810 г 28,0 - 323,0 24,5 гегОз 4,1 - 10,8, Ка 0 15,7 - 22,2 - 11,6 Рг О, 1,9 - 6,0, К 10 0,7 - 0,9, СоОА 1 г Оз 0,3 - 2,6, Кг 00,1 - 9,0.Плавку эмали производят по обычныммам во вращающихся печах при 1160-122последующей грануляцией на воду.Эмалевый шликер получают путем пфритты в шаровой мельнице по следующему,1 ,4 ,8 ,4 0,5 0,7 10 А 1,0 адают следую ти составы о воиствами: режи 1 П 1 т моларе-5,13,99 114,91 117,95 120,1 Коэффициент термического расширения, а10 1/град543626 Краевой угол растекания при 750 С,4 мин, град 15 15 16 19 Составитель С. БелобоковаТехред А. Демьянова Корректор С. Болднжар Редактор Л. Народная Тираж 571 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Заказ 6122/52 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Текучестьпри 700 "С, мм 33,5 33,5 32,0 28,5 Интервал обжига описываемых составов 670 - 800 С. Формула изобретенияГрунтовая эмаль, включающая Я Ог, Вг ОзЕе,О Маг О, Мп Ог, Рг О %0, СоО, о т л и ч а ющ а я с я тем, что,с целью раеширения интервала 5 обжига, она дополнительно содержит Аг Оз и К,Опри следующем соотношении компонентов, вес,%: Я 10 г 280 - 34,2 ВгОз 230 - 24,5, РегОз 41 108 Маг 0 15,7 - 23,4, Мп Ог 2,2 - 11,6, Рг О, 1,9 - 6,0, М 0 0,7 - 0,9, Со 00,35 - 0,5, Аг Оз 0,3 - 2,6, Кг 0 0,1 - 9,0.
СмотретьЗаявка
2182331, 20.10.1975
ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ ХИМИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. Ф. Э. ДЗЕРЖИНСКОГО
БЕЛЫЙ ЯКОВ ИВАНОВИЧ, ГОЛЕУС ВИКТОР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C03C 7/00
Опубликовано: 25.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-543626-gruntovaya-ehmal.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Грунтовая эмаль</a>
Предыдущий патент: Стекло для защиты полупроводниковых приборов
Следующий патент: Глазурь
Случайный патент: Узел крепления контактной щеки к электрододержателю дуговой электропечи