Транзисторный ключ
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное (22) Заявлено 26,12.7 вт, свид-ву21) 1980214/26-2 51) М. Кч Н 03 К 1704 рисоедннением заяв 23) Приоритетпубликовано 28,0 осударственный комитет овета Министров СССР 53) УДК 621.374.335.2(088,8) юллетеньо делам изобретений и открытий та опубликования описания 20.04.76 Авторыизобретени Е, И. Усышкин и В, А. Данили(71) Заявител сесоюзный научно-исследовательский ки тоинститут 54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮ втоматике и элек ться в преобразох усилителях и омиклю печивает этп устоянного напрямого) все транвне зависимостипараметров помые избыточные ределенпе токов равномерным,Изобретение относится к атронике и может использовавателях частоты, импульсньстабилизаторах,Известны транзисторные ключи, содержащие параллельно соединенные транзисторы,подключенные к общему предоконечному каскаду на транзисторе.Цель изобретения - повышение экон чности и быстродействия транзисторных - 1чей.Это достигается тем, что предлагаемыйтранзисторный ключ дополнительно содержитдифференциальный каскад и эталонный источник напряжения, причем база транзистора общего предоконечного каскада соединена с выходом дифференциального каскада, один входкоторого подключен к общему коллектору параллельно соединенных транзисторов, второйвход дифференциального каскада соединен свыводом источника эталонного напряжения,другой вывод которого подключен к общей базе параллельно соединенных транзисторов,На чертеже изображена принципиальнаясхема предлагаемого транзисторного ключа.Транзисторный ключ состоит из группы 1параллельно соединенных транзисторов, дифференциального каскада 2, предоконечногоусилителя 3 и опорного источника 4.Ключ работает следующим образом, 3 Напряжение прямого смещения на коллекторно-базовом переходе группы 1 параллельно соединенных транзисторов сравнивается с низковольтным (десятые доли вольта) опорным напряжением источника 4 в дифференциальном каскаде 2. В качестве такого источника может быть использован обычный диод с цепочкой смещения. Сигнал ошибки усиливается предоконечным усилителем 3 и поступает на объединенную базу параллельной группы. Благодаря этому напряжению коллектор - база транзисторной группы 1 принудительно стабилизируется на уровне, определяемом напряжением опорного источника 4, и не зависит от параметров транзисторов группы 1 и условий нагрузки.Для достижения равномерного распределения токов необходимо обеспечить режим ограниченного насыщения одновременно для всех транзисторов, входящих в параллельную группу, и во всех рабочих режимах. Предлагаемый ключ обес ловия. При установлении пос жения (минимально необходи зисторы при всех нагрузках от изменения и разброса их лучают минимально необходи базовые токи, и поэтому расп по транзисторам оказывается505128 формула изобретения Составитель С. Пронин Редактор Е. Караулова Техред М. Семенов Корректор Л, ОрловаПодписноетров СССР Тираж 1029овета Минткрытийя наб д.1160ственного комитета елам изобретений и осква, Ж, Раушс аказ 826/16 Из ЦНИИПИ Госуда по 113036, ипография, пр. Сапунова,Транзисторный ключ, содержащий параллельно соединенные транзисторы, подключенные базами к эмиттеру транзистора общего предоконечного каскада на транзисторе, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения экономичности и быстродействия, он дополнительно содержит дифференциальный каскад и эталонный источник напряжения, причем база транзистора общего предоконечного каскада соединена с выходом дифференциального каскада, один вход которого подключен к общему коллектору параллельно соединенных транзи сторов, второй вход дифференциального кас"када соединен с выводом источника эталонного напряжения, другой вывод которого подключен к общей базе параллельно соединенных транзисторов.10
СмотретьЗаявка
1980214, 26.12.1973
ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ КИНОФОТОИНСТИТУТ
УСЫШКИН ЕВГЕНИЙ ИСААКОВИЧ, ДАНИЛИН ВЛАДИМИР АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 17/0412
Метки: ключ, транзисторный
Опубликовано: 28.02.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-505128-tranzistornyjj-klyuch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Транзисторный ключ</a>
Устройство для управления параллельно соединенными тиристорами с последовательно подключенными соленоидами отключения выключателей
Номер патента: 936276
Опубликовано: 15.06.1982
Автор: Рабочий
МПК: H02M 1/08
Метки: выключателей, отключения, параллельно, подключенными, последовательно, соединенными, соленоидами, тиристорами
...конденсатор 18,резистор 19, замыкатель 20, основнойконденсатор 21, диоды 22 и 23. Одникдемиы для подключения соленоидов 24-26 подсоединены к клеммам для подключения катодов соответствующих тиристоров 1-3, каждый из которых эа"мунтированы последовательно соединенными резисторами и конденсаторами: тиристор 3 конденсатором 2 ирезисТором 28, тиристор 2 конденса"тором 29 и резистором 30, тиристор 1конденсатором 31 и резистором 32. Устройство работает следующим образом.При подключении источника тока по 45 цепям:плюсовой вывод - резисторы 10 и 11 - диоды 9,13 и 23 соленоиды 24,25 а 26 - минусовой вывод протекает ток, поддерживающий на резисторе 11 и основных конденсаторах 7,14 и 21 постоО янное напряжение управления, величина которого...
Устройство для измерения температурного коэффициента постоянного магнита
Номер патента: 1267309
Опубликовано: 30.10.1986
МПК: G01R 33/12
Метки: коэффициента, магнита, постоянного, температурного
...и на выходедифференциального усилителя измеряется цифровым вольтметром 7 напряженив Ц, пропорциональное значениюмагнитной индукции измеряемого магнитац= в .кгде В - значение магнитной индукцииО в зазоре магнитопровода,мТл;- магнитная чувствительностьпреобразователя Холла,мкВ/мТл 15 К- коэффициент усиления дифференциального усилителя,Включается ключ 11.3 и на второйвход дифференциального усилителя отисточников подается опорное напряже 20 ние Ь, равное значениюПолпри этом на. выходе дифференциальногоусилителя устанавливается нуль. Потерморезистору 10 определяется на 25 чальная температура магнита 8. Магнитная система помещается в термокамеру 9, где нагревается или охлаждается.При изменении значения магнитной30 индукции нарушается...
Способ формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур
Номер патента: 653647
Опубликовано: 25.03.1979
МПК: H01L 21/02
Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования
...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...
Устройство для управления мостовой схемой с параллельно соединенными группами тиристоров
Номер патента: 486447
Опубликовано: 30.09.1975
Автор: Соловьев
МПК: H02P 13/16
Метки: группами, мостовой, параллельно, соединенными, схемой, тиристоров
...ток зарядя конденсаторов 6, 7. Конденсатор ЗЗ служит 30 для ликвидации пульсаций на аноде тиристора 8 в его закрытом состоянпи. Устройство включает также источники питания 34 - 36.Устройство работает следующим образом, В среднем положении ключа 23 заряжаются конденсаторы потенциально импульсных ячеек. Транзисторы 18 заперты полокительным напряжением на базе от источника 36, При переводе ключа в крайнее положение (например, нижнее) включается транзистор 18 потенциально импульсной ячейки 12 и через его эммитерно-коллекторный переход на входные цепи тиристоров 3 происходит разряд конденсатора 16. Длительность фронта импульса управления определяется временем включения транзистора 18 и обеспечивает надежное включение каждого из параллельно...
Устройство для управления силовым ключом из параллельно включенных силовых транзисторов
Номер патента: 1817210
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Зайцев, Тихомиров, Чирсков
МПК: H02M 1/08
Метки: включенных, ключом, параллельно, силовым, силовых, транзисторов
...тока и элемент эадеркки 2, на выходе которого появляется логическая единица через время задержки 1 заи необходимое для включения транзистора (момент времени 1 з) при этом в момент времени 12 на выходе датчика коллекторного напряжения 4 появилась логическая 1, свидетельствующая о включении силовых транзисторов и снижении напряжения Окэ ниже порогового, установленного датчиком коллекторного напряжения силового ключа 4, Появление логической единицы с датчика коллекторного напрякения раньше единицы с выхода элемента задержки 2 приводит к блокировке элемента 2 И-НЕ 6 по входу 2, т.к, на выходе элемента 2 И - НЕ 5 появляется сигнал логического нуля, т,к. на входе 2 элемента 2 И-НЕ 5, соединенного с выходом элемента 2 И-НЕ б,...
Предыдущий патент: Измеритель времени переходного процесса установления частоты
Следующий патент: Устройство задержки импульсов
Случайный патент: Конденсационный гигрометр