ZIP архив

Текст

-"(11)"47918 О ОПИСДНАМИЗОБРЕТЕ Н ИЯ Союз Советских Социалистических(22) Заявлено 10.05,72 явкиисоединением Гасударственный комитет Совета Министров СССР ао делам изсбретений) Авторы изобретен В. М. Ганин, В. ф. Золотарев и Б. Б. Шам Ульяновский политехнический институ шев(71) Заявит ЕИРОКОН Изобретение относится к телевидению и может использоваться в качестве безвакуумного фотоэлектрического преобразователя.Известен нейрокон, содержащий нейристорную линию, на которую нанесен слой диэлектрика и полупрозрачный электрод, а,в качестве накопительной емкости каждого элемента использован обратно смещенный р - а-переход, зашунтированный встречно включенными диодами, один из которых фоточувствителен.Целью изобретения является увеличение разрешающей способности нейрокона.Эта цель достигается за счет того, что между полупрозрачным электродом и слоем диэлектрика дополнительно введены фотопроводящий слой и слой металлизации, контактирующий с общей базой встречно включенных диодов.На фиг, 1 изображен отдельный каскад нейрокона, разрез поперек строки; на фиг, 2 - эквивалентная схема отдельного каскада нейрокона.Устройство состоит из цепочки связанных по возбуждению полупроводниковых приборов с отрицательным диференциальным сопротивлением (о,д.с,), например тиристоров, слоев 1, 2, 3, 4, образующих нейристорную линию.Нагрузка каждого полупроводникового прибора с о.д.с, состоит из двух зарядно-разрядных КС-контуров 5 и 6. Контур протягивания неиристорного импульса образован сопротивлением и собственной емкостью обратно смещенного р - и-перехода (слои 4 и 7). Контур формирования потенциальното рельефа изо бражения образован емкостью и сопротивлением участка фотопроводящего слоя 8, заключенного между слоем металлизации 9 и полулрозрачным электродом 10, и подсоединен параллельно одному из р - и-переходов дополни тельной транзисторной структуры, образованной слоями 3, 11, 12.Работает устройство следующим образом.При циклическом прохождении нейристорного импульса емкости 13 и 14 заряжаются до 15 напряжения Е источника питания. Параметрызарядно-разрядного КС-контура 5 выбираются таким образом, чтобы при очередном приходе нейристорного импульса емкость 13 успевала полностью разрядиться и напряжение на по лупроводниковом приборе с о.д.с, восстанавливалось до напряжения источника питания Е.В ЯС-контуре 6, образованном собственнойемкостью и сопротивлением элементарного участка фотослоя, формируется потенциаль ный рельеф изображения, формирование последнего определяется изменением сопротивления фотослоя при освещении. Считывание потенциального рельефа изображения и восстановление напряжения на емкости 14 до пер воначального значения напряжения Е источиТипография, пр, Сапунова,ка питания осуществляется базовым током дополнительной транзисторной структуры (слои 3, 11, 12) и происходит в момент прохода очередного нейристорного импульса.Предмет изобретенияНейрокон, содержащий нейристорную линию, на которую нанесены слой диэлектрика и полупрозрачный электрод, а в качестве накопительной емкости каждого элемента ис пользован обратно смещенный р - п-переход, зашунтированный встречно включенными диодами, отличающийся тем, что, с целью 5 увеличения разрешающей способности, междуполупрозрачным электродом и слоем диэлектрика дополнительно введены фотопроводящий слой и слой металлизации, контактирующий с общей базой встречно включенных диодов. Заказ 2522/7 Изд.1702Тираж 740 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитетаСовета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1782034, 10.05.1972

УЛЬЯНОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ГАНИН ВАЛЕРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ЗОЛОТАРЕВ ВАЛЕНТИН ФЕДОРОВИЧ, ШАМШЕЕВ БОРИС БОРИСОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 19/00

Метки: нейрокон

Опубликовано: 30.07.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-479180-nejjrokon.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Нейрокон</a>

Похожие патенты