Мультивибратор

Номер патента: 438112

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Бугрова, Соколовский

МПК: H03K 17/56

Метки: переключающая, схема, транзисторах

...что, с целью упро ЗО лампы через диодь1Изобретение относится к автоматике и предназначено для поиска неисправных ламп сигнализации в устройствах автоматики.Известны переключающие схемы на транзисторах, содержащие контрольные и сигнальные лампы, соединенные с одной из шин питания, транзисторы, коллекторы которых подключены к контрольным лампам, диоды, резисторы и контактный прерыватель.Недостаток известных устройств состоит в их сложности,Цель изобретения - упрощение переключающей схемы.Эта цель достигается тем, что сигнальные лампы через диоды, резисторы и контактный прерыватель подключены к другой шине питания, при этом место соединения сигнальных ламп и диодов через резисторы подсоединено к базам соответствующих транзисторов,...

Номер патента: 748788

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Большов, Макаренко, Подушко, Сенько, Скобченко, Смирнов

МПК: H02P 13/18

Метки: переключающей, схемы, транзисторами

...в режиме холостого хода будет формироваться соответственно напряжение 60 и 61, причем в момент й будет открыт транзистор 32, а транзистор 31 закрыт. Тогда один из выводов резистора 36 подключен к минусовой шине питания усилителей и логических схем, а в точке контроля, образованной соединением первичной обмотки разделительного трансформатора 34 и резистора 36 будет Формироваться напряжение, показанное на диаграмме 62. До момента , транзистор32 закрыт и в точке контроля формируется напряжение, равное удвоенному напряжению питания усилителей мощности. В момент й открывается транэистор 32, на вторичной обмотке разделительного трансформатора 34 меняется полярность напряжения,.и через диод 38 и открытый транзистор 5 клю-, ча 3 протекает ток,...

Номер патента: 1032432

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бирюков, Кузнецов, Прозоровский

МПК: G05F 1/10

Метки: интегральной, мдп, порогового, стабилизации, схемы, транзисторов, эффективного

...Таким образом,напряжеНий ЕЕ 6питания выражениесмещения подложки,вид: при постоянствеисточников 2 и 6для напряжения4 имеет .следующий 1 1032432Изобретение относится к электротехнике и предназначено для исполь, зования при производстве интегральных схем на полевых тарнзисторах сизолированными затворами. 5Известно приспособление для стабилизации порогового напряжения ИДПтранзисторов интегральной схемы,представляющее собой фосфорсиликатное стекло, наносимое на поверхность 10подзатворного диэлектрика 1.1Недостаток известного техническогорешения проявляется в невысокомкачестве стабилизации, обусловлен"ном подверженностью стекла влиянию 15различных дестабилизирующих факторов, а именно температуры, ионизирующих излучений и т,п,Наиболее близким...

Номер патента: 256084

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Константинов, Морозов, Черн

МПК: H01L 29/06

Метки: автоматической, регулировкой, схем, транзистор, усиления

...дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси,...

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...