Мультивибратор

Номер патента: 702411

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Журавский, Селигей, Тростянецкий

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: дешифратор, запоминающего, устройства

...12 открыты,Аналогично закрывается один из транзисторов 6 и открывается соответствуюший транзистор 11, остальные транзисторы 6 открыты, а транзисторы 11 закрыты, Закрытый транзистор 6 запираетсоединенный с ним диод 14, На соединенной с диодом 14 шине 2 повьппаетсянапряжение, т. е. происходит возбуждение шины 2. Ток опроса возникает в одной шине 4, подключенной одним концомк возбужденной шине 2, а другим концом - к возбужденой шине 1, соединенной с открытым транзистором 5. В остальных шинах 4 подключенных к возбужденной шине 1, ток опроса не возникает, так как аноды диодов 14 имеютнизкий уровень напряжения, равный падению напряжения на циодах 14 и открытых транзисторах 6, Резистор 1 3является тбкозадающим, Диод 14, соединенный с...

Номер патента: 1700266

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Залогин, Иванилов, Илюшкина, Коган, Шатило

МПК: E21F 9/00, H02H 7/00

Метки: искробезопасный, источник, питания

...эмиттера транзистора - к общей точке конденсатора и ограничительного резистора, а базы транзистора - между ограничительным резистором и катодом стабилитрона позволяет отличать режимы перегрузки и короткого замыкания от режимов включений дополнительной нагрузки, если ее величина не превышает искробезопасных значений. При "набросе" нагрузки (при параллельном подключении дополнительной нагрузки) увеличивается ток в цепи и соответственно падение напряжения на внутреннем сопротивлении основного источника и уменьшается выходное напряжение на зажимах источника. При увеличении тока до искроопасных значений напряжение На зажимах источника уменьшается на величину Л О, равную разности между напряжением холостого хода источника и напряжением на...

Номер патента: 373853

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H03K 3/335

Метки: инфранизкой, мультивибратор, частоты

...транзистора. 25Мультивибратор в режиме установившихся колебаний работает следующим образом.Транзистор 1 открыт, транзистор 2 закрыт, следовательно катод диода б нагревается, а катод диода б остывает, Так как транзистор З 0 запирается, то потенциал его коллектора (Уз),резко возрастает по абсолютной величине и через остывающий диод б передается на базу транзистора 1, вызывая его резкое отпврание и переход в,режим насыщения. Ток накала диода б увеличивается, а потенциал на коллекторе транзистора 1 стремится к нулю. Транзистор 2 запирается, при этом потенциал на его коллекторе максимальный, отрицательный (У 2), а потенциал коллектора транзистора 1 близок к нулю. Это состояние неустойчиво, так как при существенном охлаждении катода диода б...

Номер патента: 387502

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Андреев

МПК: H03K 3/281

Метки: мдп, мультивибратор, транзисторах

...определяется удельной крутизной нагрузочного транзистора 8 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или б). Стабильность напряжения на стоке закрытого транзистора 1 (или 2) определяется отношением величин удельной крутизны транзисторов 8 и 8 (или 4 и 7) и напряжением на затворе транзистора 7 (или 8), т, е. отношением величин удсльпои к 1)утизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчиво го состояния определяется эффективным значением емкости конденсатора 5 (или б), удельной крутизной транзистора 8 (или 7) и напряжением на затворе последнего.Рассмотрим работу мультивибратора с момента, когда транзистор 1 только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конденсатор 5 заряжен, конденсатор б имеет разность387502 Составитель Ю. Еркин...

Номер патента: 500577

Опубликовано: 25.01.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 3/281

Метки: моп-транзисторах, мультивибратор, симметричный

...10, последний начинает проводить и отрицательный потенциал,в точке Я уменьшается. Изменение потенциала в точке с через времязадающий конденсатор 5 поступает на вход пер,вого инвертора, инвертируется и усиливается и через времязадаюший конденсатор 6 поступает в точку с, т. е, на вход 30второго инвертора, где в свою очередьинвертируется и усиливается и через кон-денсатор 6 поступает на вход первого ин-;вертора.Таким образом, при достижении на вхо- фде второго янвертора Ь точке с) потен-циала, равного пороговому уровню транзистора 10, благодаря положительным об+ратным связям через времязадаюшие конденсаторы и при достаточном коэффициенте 4 Оусиления инверторов происходит быстрыйпрокесс опрокидывания схемы во второесостояние, при...