Электронный умножитель типа фарнсворта

Номер патента: 93631

Опубликовано: 01.01.1952

Авторы: Варламов, Оятева

МПК: C09F 5/00, G01N 31/16

Метки: защитных, малярных, необратимых, одного, олиф, пленок, сложноэфирного, типа, числа

...щелочных катализаторов. Затем избыток одцоатамцого спирта удаляют, д продукт реакции растворяют в хлоро рорме.Оцределецие иодцого числа полученцого раствора ят обычными м ето 1 д м и.П р и м е р: Льняную цатуральную олифу (ОСТ 1-11 ПП) наносят цд стекляццые пластицки в количесле около одного миллиграмма нд один квадратцый сацтиметр. Спустя 2, 4 и 10 дцей после нанессцця олифы и стекло, полученные пленки с помощьо лезвия бритвы снимают в виде стружки и определяют цодныс числа.,г 1 ля э".ого цдвескц плецок в размере около 0 2 г помещают в цлоскодоццые колбы, емкостью 0,5 л., с ьоздушными холодильцикдми цд шлифе, заменяемыми, при цеобходцмости, пришлцфоваццыми стеклянными цробкдми.Ь колоы прибавляют цо 5 мл бсолютцого метилового спирта с...

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана

Номер патента: 1286026

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.

Номер патента: 1150626

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...коллектором девятого транзистора, второй коллектор которого соединен с вторым коллектором второготранзистора, второй коллектор пятого 5транзистора соединен с базой десятого транзистора, коллектор которого соединен с выходом второгостаршего разряда умножителя, входыстаршего и младшего разрядов первого операнда которого соединенысоответственно с базами первого идевятого транзисторов, а входы старшего и младшего разрядов второгооперанда - с базами второго и . 15третьего транзисторов соответственноэмиттеры всех п-р-и-транзисторовсоединены с шиной нулевого потенциала, первые коллекторы. второго,четвертого, пятого, шестого, седьмого, восьмого и одиннадцатого транзисторов, вторые коллекторы первогои третьего транзисторов и базы де,сятого...

Номер патента: 1335984

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...будут рагны единице 1 , поэтому с баз пороговых детекторов 7 и 11 будет отбираться ток, равный единице 1 , а так как в базы этих транзисторов инжектируются токи 0,51 то они закроются. Следовательно, на выходных шинах 18 и 19 будем иметь сигнал высокого логического уровня: 5=8,=1, 8=хУ,=О (так как х,=О), а Б =х, х, лу у =0 (так как х =0).Поэтому результат умножения двух частей (10) =2 , и (11), =3, равен (848 8,5)=(0110), -6 .Ес.пи все входные сигналы равны нулю: х,=х =у,=у=1, то пороговые детекторы 8 и 12 и отражатели 5,6,9, 10 тока будут закрыты (их коллекторные токи равны нулю), следовательно с баз пороговых детекторов 7 и 11 ток отбираться не будет. Поэтому транзисторы 7 и 11 откроются: Я=8,=8 =5 =-О.Аналогичным образом можно...