Датчик давления

Номер патента: 573730

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Иванов, Ключко, Сорокин, Трипольев, Черепнев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, крепления, мембраны, плоской

...между седлом корпуса и крышкой, плоскую мембрану прижимают к седлу корпуса крышкой, которую перед запрессовыванием в корпус предварительно подвергают глубокому охлаждеонию от -180 до -200 С (например, путем погружения в жидкий азот).На чертеже показан собранный к давления, в котором мембрана закреплена согласно описываемому способу.Датчик давления содержит корпус 1 с седлом 2, плоскую мембрану 3 с тенэореэисторами 4 и 5 прижимаемую к седлу корпуса крышкой 6 с входным штуцером 7 и проточкой 8, а также контактную колодку 9, фиксируемую в корпусе пружинным коль-цом 10. Мембрану Зснаклееннымитенэореэисторами 4 и 5 вкладывают в корпус 1.о Крышку 6 охлаждают от -180 до -200 С573730 Ю У Ф У Составитель И, ОрловаТехред Н. Андрейчук Корректор А,...

Номер патента: 139112

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Карягин, Родин, Тимофеев

МПК: G01L 13/02, G01L 19/00

Метки: давления, датчиков, дифференциальных, мембран

...поверхностей при поочередной подаче максимально допустимых давлений с каждой стороны. Изготовленные таким образом мембоаны могут выдерживать без изменения характеристик значительные перегрузки пои применении обычных плоских ограничителей.На фиг, 1 показан приспособление для выполнения описываемого способа; на фиг. 2 - положение мембраны в собранном дифференциальном датчике.Для профилирования мембраны по предлагаемому спопус 1 датчика ввертывается приспособление 2, снабженноестержнем 3, Стержень с помощью винта 4 устанавливается139112своим сферическим концом оказывает на мембрану 5 такое давление, которое соответствует ее максимально допустимому прогибу а. В таком положении выпуклая поверхность мембраны профилируется до получе-. ния...

Номер патента: 517818

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Годзиковский, Санто, Шкварников

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...корпуса 3, мембраны 4, балки 5 с тремя силовоспринимающими перемычками 6, образованными путем выполнения в балке трех отверстий 7, оси которых расположены в плоскости, параллельной плоскости мембраны, и размещенных на перемычках 6 тензорезисторов 8. К нижней части упругого элемента приварен резьбовой штуцер 9 с отверстием для подвода измеряемого давления.517818 ипограф апунова, 2 разьем 11 для электрической связи с измерительным прибором (на чертеже не показан).Датчик работает следуюшим образом. Поддействием измеряемого давления мембрана 4изгибает балку 5, причем на центральной перемычке 6 создается деформация растяжения,а на двух других периферийных перемычках -деформация сжатия.Вследствие относительно малой жесткостиперемычек 6 в...

Номер патента: 1536225

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Калинин, Королев, Сыромятников, Флягин

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного, узла

...заключается в следующем.Между мембраной и трапециевиднымвыступом располагают кольцо 12 изфольги, При сборке мембрана 5 и кольцо 12 прижимаются к трапециевидномувыступу 2 с опорным кольцом 3 так,чтобы трапециевидный выступ по периметру кольца 3 располагался напротив выступа 2. В этом случае из-заналичия усеченной вершины выступовне наблюдается коробление мембраныпри ее зажиме между выступами. Прижимное усилие к кольцу 3 передается 35от фланца 6 при затяжке болтов. Кольцо 12 должно обеспечивать проведениедиффузионной сварки в пределах температурного диапазона термоциклирования до 500 С. Процесс проведения 40диффузионной сварки мембраны 4 с корпусом производят путем температурного прогрева устройства при 200-400 С,При этом происходит...

Номер патента: 1582035

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Иванов, Плешивцев, Смирнов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...предлагаемой конструкции полупроводникового датчика давлениямембрана 2 имеет ступенчатый проФиль6, обеспечивающий более плавный переход от мембраны к опорноР части кристалла 1, что уменьшает концентрацию механических напряжений в области перехода, и таким образом повышает прочность конструкции,Эластичное полимерное покрытие 7 ббеспечивает защиту поверхности полупроводникового кристалла с тензоэлементами контактных площадок и металлизированных соединений от адсорбции влаги, примесей, газов в результате образования адгезионных связей с центрами адсорбции на поверхности, стабилизирует поверхностный заряд и стабилизирует неоднородность его применения, устраняет поверхностные токи утечки и коррозии в условиях эксплуатации датчиков, В...