Пневматический датчик положения

Номер патента: 979006

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Малков, Пентегов, Пруцков, Сидоров

МПК: B21J 13/02

Метки: датчик, заготовки, наличия, положения, правильности, струйный, штампе

...7, которое по этому сигналу раэрешает штамповку правильно установленной заготовки,Выталкивание заготовки 12 сжатым 30воздухом из зоны 8 штампования непроисходит, так как сжатый воздух,попадая иэ отверстия 4 в подштамповочную зону 11, т.е. под заготовку12, не создает выталкивающего усилия на заготовку, а выходит черезотверстие 10 и атмосферу,При неправильно установленной заготовке 12 или ее отсутствии (см.Фиг.2) сжатый ноздух, не имея сопротинления при выходе иэ отверстия 4,свободно проходит через зону 8 штампования и отверстие 10 н атмосферу.Реле 6 давления н этом случае несрабатывает и, соответственно, управляющее устройство, не получивсигнала от реле б давления, запрещает штамповку. исключая этим самымполомку штампа,При правильно...

Номер патента: 59000

Опубликовано: 01.01.1941

Автор: Шамонин

МПК: G01B 3/02

Метки: вала, двигателей, коленчатого, мотылевых, оптический, оси, параллельности, положения, прибор, проверки, цилиндров, шеек

...фиг. 3 и 4, причем зеркало 7 устанавливают перпендикулярно к параллели (оосредством повероч-ного угольника)Для возможности отсчета по ли-нейке 6 (фиг. 1) долей миллиметраприбор снабжен не показанными на чертеже микрометрическими винтами, позволяющими перемещать в небольших пределах трубу 4 до совпадения точки пересечения нитей последней с , ближайшим штрихом линейки 6.Точность измерения практически не зависит от точности изготовления ча.стей прибора (в том числе и зрительной трубы 4), так как от поворота на 180 погрешности прибора взаимно уничтожаются. То же относится и коправе зеркала 7, обладающей свой-ством самопроверки (как уровень, приповороте его на 180).Необходимыми условиями точности измерений являются: неизменность взаимного...

Номер патента: 613832

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Волков, Злобарев, Качалков, Кириллов, Костенко, Некрасов, Полянский, Тетиор

МПК: B21B 38/00

Метки: генераторного, датчик, металлических, положения, типа

...1)и =ОПри внесении в рабочее пространство датчика электропроводного изделия б появляются условия для возбукленця генератора. Это происходит вследствие того. что отражающийся От изде 1 ц 6 магииПый цсго (т. е. Поток, ВОЗ- буждаемый ознцкаюц,имц в издеИи Вихревыми ТОкамп) прОнизывает В)принимающую Обмотку 2 и наводит В цей ЗДС. которая усцлиается р илителем 3. выходным напряжением которого питаегся возбукдаюшая обмотка, созл 1 ющая ъагцРТРОе поле. При этом обмотки 1 и 2 подкл 1(, аак)тся к 1 сил ител)0 таким ОбразОм, чгобы создав,)ась по Ожите ьцая обратная )О связь.ЭлектР)омв)(итное голе, которое взаимолействуе с изделием б и отражается от него, создается гориз,ц :.льными (параллельными плоскости изделия у)астками оомотки возбуждения....

Номер патента: 1016809

Опубликовано: 07.05.1983

Автор: Подолинский

МПК: G01B 7/30

Метки: датчик, индуктивный, объекта, положения

...приемная обмотка расположена внутри индукторной обмотки.На чертеже приведена структурная 45схема датчикаИндуктивный датчик положения объекта содержит индукторную обмотку 1, приемную, обмотку 2 дополнительную обмотку 3, генератор 4, усилитель . 5, блок б сигнализации. Ероме того,. на чертеже обозначены двухбазовый диод 7, транзистор. 8, резистор 9 генератор 4, выходной трансформа.- тор 10 усилителя 5, светодиод 11, тиристор 12 конденсатор 13, резистор 14 и диод 15 блока 6 сигнализации, резисторы 16-19 и конденсаторы 20и 21.60Индунтнаиый датчик положения работает, следующим образом.Внутри индуктивной обмотки 1 располагаются дав одинаковые рамки приемной обмотки 2 Рамки имеют гео метрические раэме 5 ы и одинаковоечисло витков и соединяются...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...