Полупроводниковый переключатель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 428552
Авторы: Геворк, Подольский, Родин
Текст
Воо:,иатегОЛ ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ и 428552 Союз Советских Социвлистических Республин(32) Приоритет -1) М.Кл. Н 031 с 17/6 осударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ДК 621.374 (088.8 Опубли Дата оп ано 15.05.74. Бюллетень(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛ тепия г и сдз иковый перекланзистора рази зующих четыре -р-и, отлггчающ печения возмои ателя входным питания, он сод очатель, содер. ого типа прово. хслойню струкиггся тем, что ности вьпслючесигналом без ержит настроенвод Полупр б жащий ддимости, туру гпп с целью пия пере раз 1)ыва ва тр обра а робес ключ цепиИзобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронных устройствах для регистрации коротких импульсов по их спектру или амплитуде.Известны полупроводниковые переключатели, содержащие два транзистора разного типа проводимости, образующих четырехслойную структуру типа р-и-р-и.Для обеспечения возможности выключения входным сигналом без разрыва цепи питания предлагаемый переключатель содержит настроенный на основную частоту входного сигнала колебательный 1.С-контур, включенный параллельно переходу база - эмиттер транзистора и-р-и типа, служащему входом.На чертеже дана схема описываемого переключателя.Переключатель содержит два высокочастотных транзистора 1 и 2 разного типа проводимости, образующих искусственную четырехслойную структуру типа р-и-р-и, общее нагрузочпое сопротивление д, соединяющее эмиттер транзистора 1 р-и-р типа с источником питания, и колебательный контур, состоящий пз ипдуктнвности 4 и конденсатора 5, подключенных параллельно входным клеммам и переходу база - эмиттер транзистора 2 и-р-и типа.В случае образования транзисторами искусственной четырехслойной структуры типа гг-р-/г-р ипдуктввность и конденсатор подключают параллельно входным клеммам и переходу база - эмиттер транзистора р-и-р типа, а нагрузочное.сопротивление соединяет с источником питания транзистор и-р-и типа.При появлении на входе переключателявысокочастотного сигнала (импульса), имеющего в спектре составляющую, близкую к частоте резонанса колебательного контура, включается транзистор 2. Коллекторный ток транзистора 2 включает транзистор 1, который, в свою очередь, поддерживает реясим включения транзистора 2. Переключатель остается включенным, пока на базе транзистора 2 прп.1 з сутствует сигнал с частотой резонанса контура. Как только сигнал на входе пропадает или исчезает его составляющая, на частоту которой настроен колебательный контур, транзистор 2 выключается, что вызывает выклю чение и транзистора 1.428552 лельно переходу база в эмитт гранзисторал-р-и типа, служащему входом. ный на основную частоту входного сигнала колебательный т".С-контур, включенный паралСоставитсль С. Снтко Тскред 3. Тараненко Корректор А. Дзесова Пейсоне Изд, М 1604 Т П 1 П 11 Государственного комитета по делам изобретенийМосква, Ж, Раугиская
СмотретьЗаявка
1608311, 04.01.1971
Л. Б. Родин, Г. А. Подольский, В. И. Геворк
МПК / Метки
МПК: H03K 17/60
Метки: переключатель, полупроводниковый
Опубликовано: 15.05.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-428552-poluprovodnikovyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый переключатель</a>
Предыдущий патент: Преобразователь кода во временной интервал
Следующий патент: Электронная клавиатура
Случайный патент: Способ уменьшения инерционности радиометров и термоэлементов и устройство для его осуществления