Мультивибратор

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 274157

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Красилев, Платонов

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

...2;Р - сопротивление перехода кол.лектор - эмиттер открытого транзистора 3.Время восстановления соответственно будет равно;=(4 - 5) = (4 - 5) (Яда+ Йэб.+ Йкв) Так как Рв+Лвб, Я 9 и Яв, (Л 9, то время восстановления предлагаемого мультивибратора будет значительно меньше, чем у известной схемы, принятой за прототип, т. е. Уменьшение времени восстановления позволило увеличить длительность импульсов при заданной величине периода следования Т запускающих импульсов и тем самым увеличить коэффициент заполнения у, получить на коллекторах обоих плеч схемы импульсы напряжений улучшенной формы, весьма близкой к прямоугольной, использовать коллектор транзистора 1 левого плеча схемы в качестве второго выхода одновибратора.Параметры элементов...

Номер патента: 305566

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Лужецкий

МПК: H03K 3/28

Метки: мультивибратор, транзисторах

...конденсатор 3 зарядптся, открывается транзистор 1. 11 аденпе напряжения на коллекторном резисторе транзистора 1 резко увеличивается, что приводит к уменьшению выходного напряжения. Конденсатор 3 начинает разряжаться через времязадающий резистор 4 и резисторы в цепях базы, эмпттера и коллектора транзистора 1. Как только напряжение на конденсаторе 3 становится несколько меньше напряжения на участке коллек тор - эмпттер транзистора 1, возникаетнебольшой зарядный ток, приводящий благодаря действпо положительной обратной связи к закрытию транзистора 1 и к соответствующему увеличеншо напряже.25 нпя па выходе. В дальнейшем снова происходит заряд конденсатора 3 и его разряд, в схеме сразу же после включения питания устанавливается режим...

Номер патента: 196091

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барьюдив, Лейтмак

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

...источник питания 13. Ток заряда конденсатора б, являющийся базовым током транзистора 1, переводит транзистор в состояние насыщения, поэтому схема остается в неустойчивом состоянии и после прекращения запускающего импульса. В этом состоянии выходное напряжение приблизительно равно нулю, и транзистор 2 и 8 поддерживаются в запертом состоянии напряжением вспомогательного источника 14, подаваемым в их базы через сопротивление 15.По мере заряда конденсатора б уьеличивается напряжение на базе транзистора 7. В момент равенства напряжений на базе и эмиттере транзистора 7 эмиттерный переход его отпирается, что приводит к появлению базового и коллекторного токов и возникновению в результате этого положительного перепада напряжения на коллекторе...

Номер патента: 207977

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Черкасов

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор, транзисторах

...транзистора 4; на Известны мультивибраторы на транзисторах, в которых стабильность частоты осуществляется с помощью колебательных контуров, обычно включаемых в цепи баз транзисторов или сеток ламп.В предложенном мультивибраторе вместо колебательных контуров включена катушка индуктивности с бифилярными обмотками, гальванически развязанными между собой.Одна из обмогок включена между базой первого транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором второго транзистора, Вторая обмотка включена (противофазно первой между базой второго транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором первого транзистора.Такое включение катушки индуктив ности позволило сократить количество стабилизирующих элементов в схеме.С...