Шихта для изготовления огнеупоров

Номер патента: 693182

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Данчевская, Корнеева, Целебровский, Шехобалова

МПК: G01N 21/52

Метки: качества, кварца, кристаллического

...21 мкм, что в пределахмического травлейия глубину нарушенйого экспериментальной ошибки совпадает соповерхностного слоя 33 мкм и 14 мкм, значением, полученным люминесцентным"сббтветственно, исйользовались в качест-: мртодом.ве "эталонных изделий, Кварцевые йласти О Настоящий способ прост, не требуетны АТ"среза, обработанные микропорош- работы с веществами, вредными для эдоком М 10, йспольэовались в качестве " ровья обслуживающего персонала. Опреисследуемых,.;,"деление глубины нарушенного поверхностДля всех кварцевых нластий измеря : ного слоя кристаллического кварца этимлась йнгенсивйость " люминесцентного из способом составляет около двух минут и,лученкя, возбужденного Уф облучениемследовательно, он может бытьиспользованих...

Номер патента: 700442

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Варужанян, Оганесян

МПК: C01B 33/12

Метки: кварца, кристаллического

...обработка (до 6 ч) и введение К 22 СОз в больших количествах. Прнэтом кремнезем получают в двух модификациях а-кварца и тридимида. При высокой температуре (810 С) процесс успешнозаканчивается за 1 ч при меньшем количестве Х 22 СОз, Целевой продукт получаетсяв этом случае в 3-х модификациях, т. с. ввиде и-кварца, тридимида и кристоба Иг 1.Наиболее оптимальные условия процесса,обеспечивающие 100%-ный выход продукта, соответствуют следующим: температура - 600 С, давление - 8 атм, время -2 ч, ЯО 2. И 22 СОз = 1: 0,01.Предложенный способ позволяет увеличить производительность процесса ооразования кристаллического кварца до300 г/л ч благодаря увеличению количества загрузки в единице объема за счетпредварительного брикетирования...

Номер патента: 546791

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Воронин, Гондза, Клименко, Пильгуй

МПК: G01G 23/36

Метки: вагон-весами, дистанционной, загружаемой, массы, например, регистрации, шихты

...положению стрелки указателя веса, 1-1 о этот сигнал на вход не проходит, так как контакт 3 разомкнут.Перед загрузкой кармана вагон-весов в момент подъема шестерни качающегося редуктора размыкается контакт б узла блокировки хода вагон-весов с положением затвора, в результате чего через обмотку управления 5, резистор 4 и диод 10 заряжается конденсатор 9. Ток заряда, проходящий через обмотку управления 5, создает магнитный поток, обеспечивающий замыкание контакта 3, Частотный сигнал преобразователя 1, пропорциональный углу указателя веса до загрузки вагон-весов, по линии связи 7 поступает на входы триггера управления 11 и элемента совпадения 12 до "ех пор, пока убывающий ток заряда конденсатора не снизится до величины, при...

Номер патента: 1697590

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Есинори, Коухей

МПК: B29C 43/08, C03B 9/193

Метки: давлением, литья, методом, пластмассы

...элементов 23 (фиг, 5-8) раэмещается на основании 2 в позиции инжекцииипозиции растягивания и выдувания .-а центральном участке основания раз-, мещена четь 1 рехугольная рама 47 (фрог, 5 - 8). Опорная плита 3 Вь 1 пслнена в виде восьмиугольной рамы, прикрепленной,( верхнейасти основания 2 с помощью четырехугольной рамы 47 и поддерживающих элементов (позициии И).Четырехугольнал рама 47 выполнена с ребрами 48.Вращающийся диск 5 выполнен из чугуна в виде рамной конструкции из Внутреннего 49 и внешнего 50 кслец. связанных между собой восьмью стальными пластинами 51, прикрепленными болтами 52 к пласти 11 чатому элементу 53 не показан), Внутреннее кольцо с внешним соединены с помощью рычагов 54, чтобы снизить их вес.Стальная пластина имеет два...

Номер патента: 324168

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Глухов, Зачёсов, Кукоев, Макарова, Николаев, Пешехонов, Платонов, Серенков, Шапенков

МПК: B29C 45/17, B29C 45/57, B29C 45/77

Метки: 4-"rlf, давлением, литьем, полимернылх

...цикла литья. Основные операции процесса литья регласитиру отея вместо рслс времени, применяемыми В цтС)ящсе Время датчиками, срабатыи ющими ио окоичдции предпествующей опе 5 рации. Это оосспсчиваст изготовлсцие изделий, з термпластов без усадочиых дефектов с испо.)в 1 ис) л 1000 го числа форм, заполцяс)х иочсрсдцо от одцого накопителя раси,1 вс 1 ри из,1 иии у каждой фор)1 ы СВОсго 10 ко)Псцстто;) усадки. В кажду 10 фор)1 у, цсзависимо от объ) сс, подают такую порци)о ртс 1)тВгг, Врц котоой получают полную комспсдц:и усддк 1, и изделие имеет точные раз)1 с;)ы, сотстств.01 цис раз)1 срам ф 011 ы. ДО ст 1 акт этого пу гс) ОВ 1 строго перекрытия ка 1 алд с рд;плдвом, по которому оц подается В форму в )О)с т, когда полость формы и ко.1...