Способ контроля качества кристаллического кварца
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 693182
Авторы: Данчевская, Корнеева, Целебровский, Шехобалова
Текст
Союз Советск Социапистичесиив Респубпии(Ъ,01 Ж 21/ дврстввнню веетСССРдвлвм нзфбретеннвн втвритнй рисоединением заявки,%) Авторыизобретения аявитель Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного государственный университет им. М. В, Ломоносова 7 ФОЛЯ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСВАРЦА 54) С КОНТР ческих процессах для массового контроляглубины нарушенногокварцевых изделий.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ контроля качества кварца, заключающийся в облучении образцаультрафиолетовым светом и наблюденииего поглощения в области 240 нм ;:,Коэффициент поглощения уменьшается приулучшении качества кварца,Недостатком этого способа являетсяневозможность определения глубины нарушенного поверхностного слоя кристаллического кварца.Целью настоящего изобретения является обеспечение возможности определенияглубины нарушенного поверхностного слояристаллического кварца.Это достигается тем, что изметенсивность люминесценции поверхнообразца в диапазоне 480-510 нм, воз-.никшей под действием у летовогоизлучения в диапазоне 2 нм, и Настоящее изобретение относится кобласти люминеспентной дефектоскопии и,в частности, к контролю нарушенного поверхностного слоя кристаллического кварца после механической обработки, чтоособенно необходимо при изготовлениикварцевых резонаторов, пьезодатчиков ит,д.Известен способ определения глубинынарушенного поверхностного слоя кварце.Овьтх изделий с помощью метода химического травления, например, в плавиковойкислоте или бифториде аммония 1. Приэтом кварцевые изделия на определенныйпромежуток времени помещаются в трави 15тель. Затем кварцевые изделия промываются, вьтсушиваются. Глубина стравленного слои определяется по убыли веса кварцевых изделий после травления, Контроль кза состоянием поверхности ведется с помощью визуальных наблюдений,Однако этот метод очень трудоемкийи связан с разрушением образцов, чтозатрудняет его применение в технологиповерхностного слои ряют инсти льтрафно 50-3 803 693182 4Сравнивают ее с люминесценцией эталонныхнарушенного поверхностного слоя состав-кварйевых изделий. ляет 20,5 мкм. Проверка глубины наруП р и м е р. Кварцевые пластины АТ- щенного поверхностного слоя кварцевойсреза,диаметром 13 мм, толщиной пластины, обработанной микропорошком0,15 мм, обработанныемикропорошкамиМ .10, с помоцц ю химического травленияМ 14 и М 7 и имеющие по данным хи- дала значение 21 мкм, что в пределахмического травлейия глубину нарушенйого экспериментальной ошибки совпадает соповерхностного слоя 33 мкм и 14 мкм, значением, полученным люминесцентным"сббтветственно, исйользовались в качест-: мртодом.ве "эталонных изделий, Кварцевые йласти О Настоящий способ прост, не требуетны АТ"среза, обработанные микропорош- работы с веществами, вредными для эдоком М 10, йспольэовались в качестве " ровья обслуживающего персонала. Опреисследуемых,.;,"деление глубины нарушенного поверхностДля всех кварцевых нластий измеря : ного слоя кристаллического кварца этимлась йнгенсивйость " люминесцентного из способом составляет около двух минут и,лученкя, возбужденного Уф облучениемследовательно, он может бытьиспользованих поверхности, В качестве нсгочникакакэкспресс-методмассовогоконтроляглуУФ-света использоваласьртутно-кварце- бины нарушенного слоя кварцевых изделийвая лампа СВДА, Из спектра излу-любой формы в промышленности и применячения лампы с "помощью фильтра выделял ется для автоматической сортировки парся спектральный интервал 254-370 нм, тий кварцевых йзделий.Выделенный световой поток УФ-света на- Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яправлялся на поверхность кварцевой плас- Способ контроля качествакристаллитины, Возбужденйое люминесцентное из-ческого кварца, заключающийся в облучелучение от кварцевой пластины выделялось нии образца ультрафиолетовым светом,25с помощью системы фильтров, имеющих о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сполосу пропускания только в областйцелью обеспчениявоэможности определе 480-510 нм. Люмийесцентн 6 е излучение,. ния глубины его йарушенного поверхностйрошедшее через систему фильтров; регист- ного слоя, измеряют интенсивность люмиЗОрировалось с помощью ФЗУА. несценцйи поверхности образца в диапазоИнтенсйвность люминесцентного иэлу- не 480-510 нм- и сравнивают ее с люмиченяя составляла 0,67 отн. ед., 0;52 несценцией эталонных кварцевых изделий.отн, ед. и 0,44 отн.ед, для кварцевых . Источники информации,пластин, обработанных"микропорошкомпринятые во внимание при экспертизеМ 14, М 10 и М 7 1. Мошковский А, С. Исследование де 35фектного слбя марна методрм травления,На чертеже представлена градуироюч- .Электюн ая техника, серия 1 Х, Радиоком йЯ йр 1 ййая зависимости йнтенсивностй лю-енты 1969 вып. 2, с. 35-46,минесценции от глубины нарушенного по"дп 10%р.з, аль ЙоЬоНов 3,ТЬе Мпе верхвостного слоя эталонных кварцевых 40.Ысз о Ье соогИ 1 ол ана 1 ив 1 незсенсе опластйн. Сравнивая"ййтенсивность люминесуйгеаиз Шса ли(нее Ъу багга 1 абоъ ъ И хцентного йэлучения исследуемой кварцеапй -гауз, жИЬ оЪзеь.чаИонз ол ге 1 а 1 ейвой пластины, обработанной микролорош- п 1 Г УЬелоеена ТганзасНонз оГ 1 Ие Гагадауком М 10, с интейсивностями эталонных Ф он тКварцевых пластин и используя градуиро- ф 5 зосе 1 у, 1954,чо 1,5 Р, р. 480-493 (про";вочй;ю"прЫую находим, что глубина ее тотип),693 182 Составитель В. Баеволесникова Техред Н. Бабурина едактор Подписно к итета СССРткрытий кая наб., д. 4/5 я Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. П 6065/12ЦНИИПИ Государстпо делам изоб113035, Москва, Ж тираж 10енного ком теннй и о
СмотретьЗаявка
2508361, 07.07.1977
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
ДАНЧЕВСКАЯ МАРИНА НИКОЛАЕВНА, КОРНЕЕВА НИНА ИВАНОВНА, ЦЕЛЕБРОВСКИЙ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, ШЕХОБАЛОВА ВАЛЕНТИНА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 21/52
Метки: качества, кварца, кристаллического
Опубликовано: 25.10.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-693182-sposob-kontrolya-kachestva-kristallicheskogo-kvarca.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля качества кристаллического кварца</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения оптических коэффициентов преломления и плотности
Следующий патент: Способ измерения магнитной текстуры
Случайный патент: Магнитная муфта