Устройство для создания высокого давлениеи температуры

Номер патента: 397811

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 3/18, G01N 3/60

Метки: испытательной, криокал1ере, низких, создания, температур

...датчика температуры; на фиг, 3 - электрическая схема включения нагревателя.Устройство содержит несколько блоков по дачи хладагента (для упрощения чертежа изображен один блок подачи), каждый из которь 1 х включает сосуд Дюара 1, трубопровод 2 для сообщения сосуда Дюара 1 с криокамерой, электрический нагреватель 3, располо жениный внутри сосуда Дюара 1 с жидкимхладатентом 4 у его дна, датчик 5 температуры, закрепленный на нагревателе 3, и двухпозиционный регулятор б температуры,В качестве датчика 5 температуры целесообразно использовать термистор. Трубопровод 2 уплотнен в сосуде морозостойким уплотнительным кольцом 7.Один конец датчика 5 температуры, например термистора, подключен к положиз 0 тельному электроду управляемого тиристора...

Номер патента: 1415133

Опубликовано: 07.08.1988

Автор: Двоеглазов

МПК: G01M 7/08, G01N 3/18

Метки: высоких, динамических, испытаний, температурах

...1 у 4, в которой находятся части стержнейОолноводов 1 и 2 с размещенным между ними ббразцом 5, тепловые затворы 6 и 7, расположенные в местах выхода стержней-волнородов 1 и 2 из термокамеры 4 и служащие 15 ,ля отсечки теплового потока из термокамеуы 4 и разделения стержней-волноводов 4 а участки с высокой и нормальной температурой, причем стержни-волноводы 1 1 2 выполнены ступенчатыми так, что участки 8 и 9 стержней-волноводов 1 и 2 больсго поперечного сечения находятся в гермокамере 4, а плоцади поперечных сечеи й участков стержней выбраны из соотношег ия ГуБ = Е /-, Еч где Е и Е. -- модули упугости материала стержней-волноводови 25при нормальной и высокой температурах аоответственно; Еп и Ег - площади попеОечных сечений участков...

Номер патента: 1007062

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Игнатенко, Мусеев, Степанов, Шидловский

МПК: G01W 1/08

Метки: атмосферы, верхних, искусственных, облаков, слоях, создания

...по заданному закону.Устройство для создания искусственных облаков в верхних слоях атмосферы, содержащее герметичную емкость для реагента с выпускными механизмами, пиротехнический заряд и воспла" менитель, снабжено расположенной внутри герметичной емкости с реагентом вдоль ее образующей герметичнойЯ= СЬТ щ Ф ЬЯ, (2) 5где С - удельная теплоемкость реагента для Т С 11300 = 203кг градЬТ - разность между температу"рой кипения и начальнойтемпературой реагента (дляТ 1 С 14 Ь Т 4 117, 0 С);щ - масса реагента (щ = 20 кг): 5 Ь Я - теплота, необходимая на прогрев конструктивных элементов устройства, определимая для данной конструкции в интервале 0,1-0,159,При использовании реагента массой щ = 20 кг Т 1 С 14 с удельной теплоемеоотью Сп 203 в ,фее-...

Номер патента: 1308873

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Ефимов, Зельцер, Савицкий, Соколов

МПК: G01N 3/24

Метки: высоких, исследования, текучести, температурах

...в печи, начиная с нижнего предела температур нагрева образца, На каждой ступени температуры образец выдерживают внутри печи в изотермических условиях до окончания разупрочнения (стабилизации крутящего момента). По изменению кру тящего момента в ступенях судят о текучести материала. Тепловое расширение захватов испытательной машины и образца компенсируют за счет снятия осевой связи при его деформировании. 40 Разгружение образца на каждом уровне температуры происходит за счет его кратковременной ползучести при ступенчатом нагреве под нагрузкой, в жесткой упругой системе. 45Исследовали алюминиевой сплав АКЧ 1 ч в температурном диапазоне 350 . - 450 С при скорости деформации с = .0,002 с и степени деформации с, = 0,55, что соответствует...

Номер патента: 111517

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Григорьев, Григорьева, Сакович

МПК: H01J 41/20, H01J 7/16

Метки: вакуума, высокого, газоразрядных, поддержания, приборах, создания

...прибор, содсржашпй распыляюшийся электрод 2, на который подастся отрицательный потенциалЭлектрод 2 изготовляется из титана, циркония, тантала, ниобия или другого металла, обладающего способностью поглощать газ и нс взапмодсйств ющего с ртутью,Вблизи электрода 2 располагастся вспомогательный электрод 3, на который подается положитсльнь 1 й потенциал по отношению к общему катоду 4.При возникновении между электродами 2 и 3 определенной разности потенциалов происходит ионная бомбардировка электрода 2, вызывающая его распыление. Распыленный металл электрода 2 осаждается на экране 5, который предотвращает загрязнение распыленным металлом деталей прибора. Чтобы нс происходило отслаивания пленок от экрана111517 1000 -ЭОООЮ 5, он имеет...