Электролит для осаждения индиевого покрытия

Номер патента: 420704

Авторы: Могилев, Фаличева

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистимеских Реслублик(51) М. Кл. С 23 Ь 5,32 Гасударственный комитет Совета Министров СССР на делам изобретений и открытий(54) ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ИНДИЕВОГО ПОКРЫТИЯ Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к разработке электролита для электролитического покрытия сплавоминдий - олово.Известен электролит для осаждения индиевого покрытия, содержащий борфторид индия,борную и борфтористоводородную кислоты.Предлагаемый электролит отличается отизвестного тем, что в него введено двухлористое олово, фторид и борфторид аммония приследующем соотношении компонентов, г/л:Борфторид индия 140 в 1Двухлористое олово(дигидрат) 5 - 6Фторид аммония 10 - 15Борфтористоводороднаякислота (своб.) 10 - 15Борная кислота 30 - 15Борфторид аммония 18 - 20.Это позволяет получить мелкокристалличеческие, плотные осадки сплава индий -олово,Электролит по предлагаемому способу готовят следующим образом,Борфторид индия 1 п(ВР 4) з получают путемрастворения расчетного количества свежеприготовленной 1 п (ОН), в борфтористоводородной кислоте НВР 4, при этом по окончаниирастворения раствор должен содержать 10 -15 г свободной НВР 4 Затем, отобрав необходимый объем полученного борфторида индия, вгодят расчетные количества борной кислоты Н;ВОз, двухлористое олово (8 пС 2 Н 20), фторид аммония 5 (КН 4 г) и борфтористый аммоний МН 4 ВГ 4.После этого разбавляют электролит водойдо расчетного объема.Осадки сплава, полученные при комнатнойтемпературе и плотностях 2,5 - 5 А/дм- на ка тодах из меди и константана, содержат от 8до 18% олова. Микротвердость сплава на 30 - 504 выше, чем у чистого индия, и составляет 14 - 18 кг/мм. Скорость осаждения 0,7 мкм/мин. Выход по току 70 - 85%. Полу чаемьш сплав может быть использован в машиностроении в качестве антифрикционного и антикоррозионного покрытия деталей, работающих в минеральных маслах и щелочных средах.20Предмет изобретения Электролит для осаждения индиевого покрытия, содержащий борфторид индия, борную и борфтористоводородную кислоты, от л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получениямелкокристаллических плотных осадков сплава индий - олово, в электролит введено двухлористос олово, фторпд и борфторид аммония при следующем соотношении компонен тов, г/л:420704 140 в 1 30 - 35 5 - 610 - 15 10 - 15 18 - 20,Корректор Н, Учакина Редактор О. Степина Заказ 2137/3 Изд. Юа 716 Тираж 875 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, и р. Сапунова, 2 Борфторид индияДвухлористое олово(дигидрат)Фторид аммония Составитель А, Осина Техред Е. Борисова Борная кислотаБорфтористоводороднаякислота (свободная)Борфторид аммония

Смотреть

Заявка

1747029, 14.02.1972

А. И. Фаличева, В. М. Могилев

МПК / Метки

МПК: C25D 3/56

Метки: индиевого, осаждения, покрытия, электролит

Опубликовано: 25.03.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-420704-ehlektrolit-dlya-osazhdeniya-indievogo-pokrytiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролит для осаждения индиевого покрытия</a>

Похожие патенты