414782

Номер патента: 44048

Опубликовано: 31.08.1935

Автор: Андреев

МПК: G05D 23/27

Метки: величин, давления, подобных, температуры, тому

...отложено время Т.Очевидно, что отклонения нуль- прибора выражаются кривой а, а колебания фотоэлементов - кривыми Ь, Ь". Если для анализа взять часть кривой а, характеризующей отклонение нуль-прибора в сторону повышения. температуры, то после повторного указания, что продолжительность регулировочного импульса определяется временем нахождения фотоэлемента в освещенной лучом света зоне, можно установить, что в течение своего периода колеоания один фотоэлемент работал отрезок времени 1, - 1, и в течение следующего периодаОтрезок 1, - , больше 1, - 1 так как соответствует большему углу отклонения нуль-прибора,Таким образом фотоэлементы посылают импульсы различной продолжи- тельности к соответствующим исполнительным механизмам.Предлагаемая...

Номер патента: 514219

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Африканова, Кабуров, Лемешко

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, динамической, плотности, пульсаций, скорости, татировки, температуры

...цилиндра 4, размещенного в отсеке 5, который герметично соединен с корпусом сопла 3. Оси симметрии цилиндра 4 и сопла 3 параллельны. Цилиндр снабжен приводом 6 для вращения вокруг оси, например электродвигателем. На боковой поверхности цилиндра 4 выполнены равномерно чередующиеся пазы и выступы, профплированные по образующей. Профилирование пазов и выступов выполнено в соответствии с заданной величиной пульсаций.Сжатый воздух из источника 2 поступает в форкамеру 1 и оттуда в сверхзвуковое сопло 3. При вращении цилиндра 4 сечение рабочей камеры периодически изменяется. В поло. женин Л, когда стенкой сопла 3 является выступ, площадь поперечного сечения сопла минимальна, и в нем устанавливается режим течения с параметрами скорости 11...

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1418826

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Волкова, Григорьян, Гукасян, Литвинов

МПК: H01J 61/22

Метки: амальгамы, высокого, давления, жидкой, лампах, натриевых, натрия, температуры, фазы

...6,3 7,13 13300 4,9 598 8,5 26600 4,8 610 595 9,9 46550 4,5 Составитель И,ЦогоевТехред Л,Олийнык Редактор Н,Гунько Корректор Н. Король Заказ 4163/52 Тираж 746 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к электротехнике, в частности к натриевым лампам высокого давления.Целью изобретения является упрощение процесса контроля температурыжидкой фазы амальгамы натрия с содержанием в ней натрия от 0,8 до1,0 мол.д, в натриевых лампах высокого давления при одновременном повышении точности, скорости контроля ирасширения области применения,В таблице приведены значения температуры...

Номер патента: 1045642

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Белобородов, Иванов, Ишбулатов, Капустин, Комаров, Рыжков, Щербаков

МПК: B01J 3/06, C30B 7/10

Метки: аппарат, высокого, давления, температуры

...ния на Обгазег особенно при высоких темп )ра гурах )О обусловленная принцип)ом,)абст) т п)п Рата, ОСЦОБаННОМ На И. - :Г)ЕГ)тзГЗ, ЦИ:ТвтРЧт)ГОЙ СРЕГЬ) тот)1 )1 ЗРЕ)А) ) Рт ТТНЕЗОБМОЖНОСТЬ тО)11)ОГО 133 Гр)Н)5 1;)БПения связана, по кр; йнсй мере,. Г;1:, -М 51 П)ГНИ НаМИ, ВО-".1)тпБЬГХ; ГтС) бо;11, -КИМ УДЕЛЬНЫМ УСИЛИЕМ (ттсК) Итсс-Н;Ощад)Ь, тБЕрдОЕ ЭЕщЕСТВО ХараКТЕри")тетСЯ СЛОЖН 1 тм НаП,"ЯЖЕ ННЫ ) СОСТОЯ:110)Г, ШИ КОТОРОМ ТЕН 3 ОРЬГ;.Тат;ТРГКГ тт)5:. Гт; - О ЮТ ЕЗЛИЧНЫЕ 3 НЗЧС 1 Я, НГ) - )ТТО",)ЬГХ зт) Г)ГЕТ БНУТРЕЦ 1)ГЗГО ГРЕН 5, Д: ЯПОЦ)тз ЗОВОЙ ЯЧЕЙКИ ХРРЕТКТЕР)111 1 Г)БЕТ)Г т ь ет а Вл е и и я г 0 о т 0 му д Г) )351 Р Г иР, 01) Р ДРЛЕН)ОР Б СЕной ТО 1;Р:):ГС СОСТБ;)Т - СТЗТУЕТ Б РУГОИ. т Е, )ГаЛЕНГГт Обр)зтчт ожет быть Опрее;с)Ясно...