410246

Номер патента: 1460604

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Кольцов, Кондратьев, Половинкин

МПК: G01B 17/02

Метки: контрольно-измерительного, погрешности, прибора, систематической, ультразвукового

...омод оцЕотак как 1 = О,(6) т.е. составляющая оЕ погрешности(7) 1,+ 1 г,. причем Погрешности ЗЕ и оЕ одинакоълвы для всех измеренйй, так как они определяются только конструкцией и схемным решением прибора соответственно. Физическую сущность возникновения погрешности ооЕ можно объяснитьэследующим образом. Некоторые среды, в частности воздух, обладают квадратичной зависимостью коэффициента затухания ультразвуковых колебаний 45 от частоты. Поэтому при распространении сигнала в такой среде высокочастотные составляющие его спектра затухают сильнее, чем низкочастотные.Высокочастотные составляющие спект.50 ра определяют крутизну фронтов сигнала, поэтому при распространении фронты становятся более пологими, сигнал как бы растягиваетсяПричем...

Номер патента: 522149

Опубликовано: 25.07.1976

Автор: Яковлев

МПК: C03C 17/00

Метки: контрольных, образцов, смены

...образующее контролируемуюпе)ку, ограничен диафрагмой 7 предохраняЕОцей нерабочую часть гиЕастиеы Н от налета воцества, На столе 5 расположен,полэун 8 с пазом, и который входят штифты 9,К ползуу крепятся подпружиненные пружшЕй НО толкатель НН и грейфер Н 2. Напоауо:акрепеЕены также упоры НЗ и Н 4,выполненные в виде штифтов, Во время нанылееия ползун удерживается в рабочем полож нии пружиной Н 5.О У:. стройство работает следуюцим образом.И вакуумной камере одновременно на де-, тали 16, па которые наносится изготавливаемое покрытие Н 7, и на контрольный об разец 6 напыляют вещества, образующие коытрольиую пленку Н 8, В процессе напьиения контролируют толщину пленки с помощью закрепленного на камере фотометра, оптичес кля ось...

Номер патента: 1000752

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Романко

МПК: G01B 17/02

Метки: контрольно-измерительного, погрешности, прибора, расстояний, ультразвукового

...сигнала в электронной модели до совпадения показания контрольноизмерительного прибора с показанием, полученным на эталонном образце,1000752 формула изобретения ВНИИПИ Заказ 1354/39 Тираж 600 Подписное илиал ППП "Патент", г.Ужгород,ул,Проектная,4 и используют ее для определения погрешности измерений.На чертеже представлена блок-схема устройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит электронную модель 1, эталонный образец 2 и контрольно-измерительный прибор 3, соединенный с электронной моделью 1 и эталонным образцом 2.Способ осуществляется следующим образом.Преобразователь 4 поверяемого прибора 3 устанавливают на эталонный образец 2 с известным временем прохождения ультразвука. Электрическим сигналом с выхода...

Номер патента: 787980

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Скорик

МПК: G01N 27/84

Метки: дефектоскопии, контрольных, образцов

...образец нагревают до температуры пластической деформации материала образца. Нагрев осуществляют в нейтральной среде, на" пример аргоне, для уменьшения окисления металла и влияния слоя окислов на ширину раскрытия дефекта, ПОсле этого образец в нагретом состоянии сжимают возрастающим усилием, например, гидравлическим прессом в направ. ленни, перпендикулярном стенкам искусственного дефекта.Горячую деформацию материала осуществляют обычно при температурах 13 выше температуры рекристаллиэации, т.е. при температуре 0,7-0,75 температуры плавления. При этих температурах снижается сопротивление пластической деформации, появляется воз- Я можность получить рекристаллизованную структуру, т.е. не имеющую следов деформации, таких, как внутреннее...

Номер патента: 1168871

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомного, диэлектрической, поверхностного, подложке, покрытия, сопротивления

...для контроля и измерения сопротивления квадрата поверхности тонких высокоомных полупроводниковых и других проводящих покрытий на диэлектрических подложках.Цель изобретения - повышение точности путем исключения влияния нарезультат измерений толщины диэлектри 10ческой. подложки.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения поверхностного сопротивления высакоомного покрытия на 15диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит СВЧ-генератор1, вентиль 2, открытый резонатор 3,образованный подвижным 4 и непод рвижным 5 зеркалами, детектор 6,индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройствомЧ, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного...