ZIP архив

Текст

О Л И С А Н И Е 140587ИЗОЬЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеслубликс присоединением заявки-Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий(43) Опубликовано 05,Х 1,1973, Бюллетень45 (45) Дата опубликования описания 22.11.1974(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕЛЛУРИДА МЕДИ Предмет изобретения 25 Изобретение относится к неорганической химии, а ,именно к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности теллурида меди,Известный полупромышленный способ изготовления теллурида меди заключается в сплавлении исходных элементов (меди и теллура) при температуре 950 - : 1000 С в вакуумированных до 10 - " мм рт, ст, и запаянных ампулах в течение 1 - : 3 час.Однако в известном способе медь взаимодействует с теллуром в неравновесных условиях, поскольку взаимодействие меди происходит одновременно с жидким и с парообразным теллуром, Взаимодействие с парообразным теллером начинается при 350 С, т, е. до температуры плавления теллура, равной 450 С, и происходит во всем интервале температур, вплоть до 1000 С, При этом происходит образование целого ряда промежуточных фаз от Сц,Те, до Сц 2 Те с включением гранул металлической меди, т. е, образуется химически неоднородный гетерофазный материал.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что взаимодействие ведут между парообразным теллуром и металлической медью при непрерывной откачке. Это позволяет получить однофазный и однородный по химическому составу полупроводникового материала.П р и м е р. В специальный отсек,реакцконной кварцевой трубы загружают 300 мг теллура марки 04. Металлическую медь весом 200 лг помещают в кварцевой трубе на расстоянии в несколько сантиметров от отсека с 5 теллуром. Систему откачивают до давленияР=10 -мл рт, ст. Сначала нагревают зону с металлической медью до 857 - 860 С, после чего резко нагревают отсек с теллуром. В результате нагретая до заданной температуры 10 медь взаимодействует только с парообразнымтеллуром в течение 8 мин. Затем отсек с теллуром резко охлаждают, а синтезированный теллурид меди нагревают при непрерывной вакуумной откачке пря температуре 860 С для 15 удаления избыточных паров теллура, Полученный блок теллурида меди однофазен и однороден по химическому составу, По электро- физическим характеристикам материал представляет собой полупроводник р-типа с удель ным сопротивлением р =5,5 10 -ом см, подвижностью я=125 слР/в сек, концентрацией и=9 1019 см з Способ, изготовления теллурида меди взаимодействием элементарных теллура и меди при нагревании в вакууме, отличаюшийся тем, З 0 что, с целью получения однофазного и одно405817 Составитель В. КурдинТехред Л. Богданова Редактор С. Титова Корректор А. Дзесова Заказ 236 ЛЗ Тираж 523 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К-З 5, Раушская наб., д. 4/5Тип. Харьк фил. пред. Патент родного по химическому составу полупровод,никового материала, взаимодействие ведут между парообразным теллуром и металлическоймедью при непрерывной откачке,

Смотреть

Заявка

1726578

Г. А. Юрлова, Т. М. Касаткина

МПК / Метки

МПК: C01B 19/00

Метки: 405817

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-405817-405817.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">405817</a>

Похожие патенты