В п т бм 2нт

398709 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистицеских Республикависим т, свидетельс 972 ( 1775222/26 Заяв М. Кл. С 23 д 5/О 20,1 присое нием заявкиосударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Приоритет публиковано 27,1 Х.1973, Бюл УДК 621.79,02 (088.8) тень3 та опубликования описания 12.111.197 Авторыизобретени, Достанко, М, И. Пикуль Зеленков нский радиотехнический инстит аявитель ПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК ди об Изобретение относится к технологии изготовления элементов радиоаппаратуры и может быть использовано при производстве подложек.Известен способ очистки подложек, включающий облучение подложек ультразвуком.Однако известный способ не позволяет проводить качественную очистку подложек от загрязнений и окисной пленки в условиях обычного рабочего вакуума непосредственно перед нанесением покрытия, что особенно важно при выращивании эпитаксиальных слоев и формировании низкоомных невыпрямляющих контактов.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 - 4 - 10 - е мм рт. ст. подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 в 1 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 - 4 мин, а затем при 1200 в 13 С в течение 1 - 3 мин, а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 в кгц, что значительно повышает качество очистки подложек от загрязнений и окисной пленки.Очистка подложек производится в две стаи, следующие одна за другой, причем они е осуществляются непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 4 - 10 6 мм рт. ст.На первой стадии очистки подложки подвергают воздействию ультразвуковых колеба ний с частотой 15 - 100 кгц при комнатнойтемпературе в течение 2 - 4 мин. При этом с поверхности подложки удаляются загрязнения, не имеющие прочной кристаллохимической связи с ней, например пыль, остатки 10 кислот, щелочей, масла.На второй стадии поверхность подложки,в котОрой распространяются ультразвуковые колебания, бомбардируют расфокусированным электрошп дм лучом, сканирующим по 15 очищаемой поверхности с частотой 0,005 - 1 кгц,причем за счет соударений электронов с загрязнениями происходит их частичное удаление, а остающиеся загрязнения испаряются по мере нагревания подложки. При достиже нии 1200 в 13 С на поверхности подложкипротекает реакция: ЯОе, + Я 1, 2%0 Образовавшийся 810, при этой температуре летуч.Однако при давлении 10 - 4 - 10 е мм рт. ст.в вакуумной камере находится большое коли чество кислорода, поэтому реакция протекаетв прямом и обратном направлении с одинаковой скоростью, если процесс длительный.В связи с этим для удаления окисной пленки кремния необходимо реакцию резко сдви путь в прямом направлении, Это достигается398709 Составитель Г. ЧелейТекред Е. Борисова Корректор М. Лейзерман Редактор Т. Морозова Заказ 55114 Изд.1012 Тираж 826 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета 51 инистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 воздействием на подложки ультразвуковых колебаний прп 1200 в 13 С в течение 1 - 3 мин, За счет разности скоростей распространения ультразвуковых колебаний в кремнии и окисной пленке происходит частичное разрушение последней, в результате чего увеличивается активная поверхность окисной пленки, кроме того, введение ультразвуковых колебаний в подложку увеличивает ее поверхностную энергию. Сумма этих эффектов приводит к увеличению скорости образования газообразного ЯО и к эффективному удалению образовавшихся мелких частиц ЯОвНанесение покрытия или выращивание эпптаксиального слоя начинается сразу же по окончании очистки.Качество очистки проверяют по величине адгезии покрытия к подложке. Предмет изобретенияСпособ очистки подложек, включающийоблучение подложек ультразвуком, отличаюи 1 ийс тем, что, с целью повышения качества о 1 псткп подлоукек от загрязнений и окисной пленки, непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при 10давлении 10- 10 в мм рт. ст, подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 в 1 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 - 4 мин, а затем при 1200 в 13 С в течение 1 - 3 мин, 15а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 - 1 кгц.