Динамический элемент

Номер патента: 512570

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Андреев, Жуков

МПК: H03K 3/78

Метки: генератор, импульсов, мдп-транзисторах, многоканальный

...цгц"5.:кехцем ца выходе 10 мультивибрато",2, НЯИО 5 жецс ца выходе элемента НЕ - ИЛИ разно г лю цз-за высокого готецциалая сс Входе, подклочегц 10 м к Выходху 32 ОдсЦ,";РДР.1:ТОЛЯ Ц.,ПЛЬСОВ.Б момент запирация усилителя 3 цапрякение ца его входе прцолизцтельцо равно поро- ГОВОМУ ЦаПРЯжЕЦИЮ У ТРЯНЗИСТОР 1, ВРСМЯЗЯ- дающий конде:сатор 9 зарякец до цапряже;ия Е - У;, а времязадающий конденсатор 8 рязр 5 и;Рп. Перспад напряжения запцряция, равьц 1 1:апряжеццо источника питания Е, пас.,пясг че;ез конденсатор 8 ца вход хсцли"ся 5 2 и Отпирает ОГО, 1 ОПВР 1 сатоо 9 Оазочжяеся:срез Выходию цепь открытого .Ри 1 ПТРЛя 2, 00 Ц,О ШИПМ ИСТОЧ,ИКОВ НаПО;1 жеи;я н стоковые р - и-переходы транзисторов 6 ц 7, смещенные В прямох цапОЯВлецци цяпряжением ца...

Номер патента: 790335

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...до величины потенциала 40и -и, ,(точка а) . При поступлении на вход устройства отрицательного потенциала открываются транзис торы 7,12 и 14. В точках д,е, ж устанавливается нулевойпотенциал, что принс-ит к закрываниютранзистора 3 и установлению на выходе дополнительного инвертора, благо"даря токостабилизирующей нагрузке,отрицательного потенциала равногоБИП, а н точке - потенциала равного -2ип -1) я . Транзистор 9 открыти происходит заряд конденсатора 10в точке г цо потенциала Ф 1)ьП , гдеьП - падение напряжениямежду стоком и истокомтранзистора 559, н результате протекания токаи заряд конденсатора 8 до величиныПя -Б. При подаче на вход устройства положительного перепада напряжения транзисторы 7,12,14 закрываются,щОтрицательный...

Номер патента: 1277380

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...и черезинвертирующие транзисторы усилителя4 и двухтактного усилителя 15 цепи.Рассмотрим процесс формирования высоковольтных импульсов на шине20, С приходом на шину 7 высокогопотенциала такой же потенциал устанавливается на входе усилителя 10, что в свою очередь устанавливает низкий потенциал на входе элемента 6 и на инвертирующем входе усилителя15 цепи. В результате этого начнет повышаться потенциал на шине 20 и синфазно с ним начнет, повышаться потенциал на выходе усилителя 15 цепи и, когда последний превысит порог срабатывания усилителя 5, на выходе установится низкий потенциал и зарядные транзисторы и инвертирующие транзисторы усилителей 4 и 15 закроются, вследствие чего начнут повышаться потенциалы на выходах усилителей 15 и...

Номер патента: 1345339

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...который установитнизкие уровни напряжения на выходе20 51 инвертора 3 с токостабилизирующейнагрузкой и на выходах всех двухтактных усилителей, Высокий уровень напряжения установится на выходе 45усилителя 8 обратной связи и на выхо 25 де 79 предварительного усилителя 24низкого уровня, В результате на выходе 80 и на выходной шине 35 установится уровень напряжения, соответствующий уровню напряжения на шиЗО не 33, В это время происходит зарядвсех. накопительных конденсаторов доуровня питающего напряжения. Высокиеуровни напряжения установятся на выходе 74 четвертого инвертора 23, на35выходе 73 третьего инвертора 22 ина выходе второго инвертора 20, Врезультате на выходе 57 элемента2 И в И,ФЕ 21 установятся уровниянапряжения, равные уровню...

Номер патента: 1473072

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: H03K 19/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...и не замедлял процесс переключения, его проводимость за счет, например, шириныканала выбирается минимальной. Обецепочки последовательно соединенныхтранзисторов 5, 7 и 6, 8 второго типа как в статическом состоянии, таки в начале процесса переключения закрыты, так как на затворах попарновключенньм транзисторов присутствуют инверсные сигналы. Поэтому эти це-пи такхе не препятствуют быстромунарастанию выходного сигнала на первой выходной шине 13. При достижениина .этой шине напряжения больше порогового напряжения транзисторов второго типа четвертый транзистор 6 вто1473072. Формула изобретения Составитель В.ЛементуевТехред Л.Сердюкова Корректор И.Муска Редактор А,Огар Заказ 1 72 7/56 Тираж 880 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета...