Piefehepathbham нагревательная установка

Номер патента: 1825991

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Бирюков, Киселев, Крутов, Точинский

МПК: G01K 7/36

Метки: нагреваемой, поверхности, тела, температуры, электропроводящего

...1, катушку 2. электропроводящее исследуемое тело 3, токосъемные контакты 4, холодильник 5 нз поверхности тела 3, противоположной нагреваемой тепловым потоком 6, измеритель скорости хладагента 7, измеритель температуры хладагентз 8, усилитель 9 с регулируемым коэффициентом усиления, сумматор 10, источник регулируемого напряжения 11, компаратор 12, регулятор рас-. хода хладагента 13, Выход измерителя температуры хладзгента 8 подключен к первому входу сумматора 10, второй вход которого через усилитель 9 соединен с токосьемными контактами 4, установленными на боковых поверхностях электропроводящего исследуемого тела 3. Выход сумматора 10 подключен к средствам регистрации, на чертеже не показанным. Измеритель скорости хладагента 7...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...

Номер патента: 765409

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Пупышев, Ястремский

МПК: D01D 5/04

Метки: волокна, места, охлаждения, получаемого, расплава, режима

...значению модуля температур в зоне спутного потока воздуха жгута нитей,Способ поясняется чертежом, где 1 - фильера, 2 - распределительный короб, 3 - шибер,2,4 - датчик расхода воздуха, 5 - нить, 6 - датчик температуры,Геализуется способ следующим образом.Измеряют температуру охлаждающего воздуха по длине жгута нитей, начиная от фильеры 1 вначале при.нижнем, затем при верхнем пределах подачи обдувочного воздуха, Изме. рение производят, например, точечной термопарой. Затем рассчитывают модуль разности измеренных температур по длине нити, После этого определяют координату точки, соответствующей максимальной разности температур которая является местом производственного контроля режима охлаждения, так как велиспна температуры...

Номер патента: 514165

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Вайсер, Шульга

МПК: F24F 3/14

Метки: воздуха, испарительного, микропористая, насадка, охлаждения, установки

...охлаждения 00" держит микропоры бутылкообразной форм с диаметром в узкой ЧаСТИэ составляющим О,ОО 8"О 2 мкм, а ЩМРО" кой и до 4 мкм. Насадка имеет.в 0 здуШ" ные (газовые) и водяные (жидкостные) каналы, отделенные друг От ДРУГЗ капиллярнонпористыми пластинами.Микропористая Насадка Работает следующим образом. На мкропористую насадку подают воду, которая ИСПЗдля аппаратов испарительного охлаж деиия. Цель изобретенияповышение интенсивности охлаждения. Микропо ристая насадка имеет мкропоры буи ТЬШК 005 Ра 3 Н 0 Й формы с диаметром в узкой части, составляющим 0,008"0,2 МКМ, В широкойдо 4 ьцкм. В нан садке выполнены газовые и жидкости те каналы, отделенные другот друга капиллярнонпористыми пластинами.ряется засчет тепла воздуха,...

Номер патента: 699359

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Вахидов, Гаппаров, Каипов, Тавшунский

МПК: G01K 11/20, G01K 11/30

Метки: среды, температуры

...среде, то в этом случае температурное местоположение первого максимума будет являться верхней границей температуры измеряемой среды, а последнего исчезнувшего максимума нижней, Наличие у кристаллов широкого температурного интервала термического высвечивания и значительного количества максимумов (у кристаллов ВаГ - ТКГз, например, от 4 К до 800 К) позволяет проводить измерение температуры предложенным способом с использованием этого кристалла в этом же широком интервале.Способ осуществля от следующим образом. Серию термолюмРкссцРручоших кристаллов, идентичных по внутренней структуре, например, изготовленных из одного моно;, лсталга, обл" ают ядерным излучением при минимально возможных температурах, например, температуре жидкого азота 77...