Устройство для моделирования потенциальных

О П И С А Н И Е 383 О 67ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик;й,"ей г -фзбн Зависимое от авт. свидетельстваМ, Кл. б 06 д 7,44 Заявлено 02.1,1971 (Ме 1629850/18-24) с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 23,Ч.1973. Бюллетень23Дата опубликования описания 05.Х.973 Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССРУД К 681,333088.8) Авторыизобретения С. В. Свечников и А. К, Смовж Институт полупроводников АН Украинской ССРЗаявитель УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ ПОЛЕЙИзобретение относится к устройствам для модеЛирования потенциальных полей и может быть применено в области вычислительной техники при построении автоматически систем, предназначенных для моделирования различных процессов, описываемых двумерным уравнением Лапласа или Пуассона.Известны устройства, предназначенные для моделирования потенциальных полей на электропроводной бумаге и с помощью дискретных РС-элементов.Однако с помощью таких устройств трудно автоматизировать процесс нахождения распределения потенциала на исследуемой модели, Кроме того, моделирующие устройства ца дискретных ЯС-элементах обладают низкои точностью моделирования.Цель изобретения - создание устройства, обладающего высокой точностью моделирования и позволяющего автоматизировать процесс снятия потенциала.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в него дополнительно введены фотопроводящий и прозрачный токопроводящий слои и теневая съемочная рамка.Устройство позволяет относительно легко автоматизировать процесс измерения распределения потенциала на исследуемой модели.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства,Устройство состоит из фотопроводящх слоев 1 ц 2 и прозрачного токопроводящего слоя 3, размещеных ца прозрачцой диэлектрической подложке 4. Максимум фотопроводмост 5 слоя 1 расположен в длицноволновой, и слоя2 - в коротковолновой области спектра, Материалом для слоя 1 служит, например, Сс 1 Те, а для слоя 2 - Сс 5, максимумы фотопроводимости которых расположены прц 9000 10 5100 ангстрем соответственно. Слои 3 выполнен из пленки .Оз. Фотосло 1 сабжец цзкоомными электродами д для подкл 10 чецця источника внешнегоаряжения р;. ад фотослоем 1 размещена съемная маска 6, фор ма которой определяется формой исследуемоймодели. Маска равномерно освсще моно- хроматическим светом 7, длина волны которого соответствует максимуму фотороводмости слоя 1 и в выбраном примере составляет 20 9000 ангстрем. Источик 8 моохраматического света, длина волны которого соответствует максимуму фотопроводимост слоя 2 и и выбранном примере составляет 5100 ангстре,и, расположен со стороны подложки 1.25 Предлагаемое устройство работает следующим образом.В темноте проводмость фотослоя 1 очсьмала. Световой поток 7, пройдя через маску 6, освещает некоторую область поверхост фо- ЗО тослоя 1, вызывая явление вутреего фото383067 Предмет изобретения Составитель Е. Тимохина Техред Е. Борисова Редактор Э. Иконникова Корректор И, Божко Заказ 2379 О Изд,65 Тираж 647 ПодписносЦНИИПИ Комитета по делам 1 зобретений и открытий при Совета Министров СССРМосква, )К, Раушская наб., д, 4(5 Типография, пр, Сапунова, 2 эффекта. При этом проводимость освещенной области резко возрастает, а проводимость темповых у:астков фотослоя 1 остается не;з. К 1 ЕНОп. ВСЛС;СТГИЕ ВЫСОКОИ КРЯТОСТИ ФОТО- слоя 1, т. е. отношения световой проводимости к провозимоеи В темноте, ток В ООИОВ:ом протекает через освеще ную область, распреЛеляя потсПиал В соответствии с ее формОЙ. Мо;елированиееолнородпых по проводимост ОбластеЙ провоится с пом 01 ць 0 маски, хар 2 ктер пзуощейся соответствующей пеодпородпостью коэффициента пропускания падающего светового потока. При этом необходимо согласовывать ОПТРческуо плотность маски с люкс-амперной характеристикой материала фотослся 1, толщину которого выбирают таким образом, чтобы падающий световой поток 7 практически полностью поглогцался в этом слое и не проходил к границе раздела слоев 1 и 2. Если это условие не будет выполнено, то:еизбегкно возникновение значительной фото э.д.с искахкающей истинное распределение потенциала на резистивном слое 1. С этой хкс цельО материалы фотослоев 1 Р 2 лолжпы Оолялять Олним и тем же Типом прово;имостп и олПаково ко;центрацией свободных 1 оситслей.Источник 8 формирует точечный световой зонд, Освец 210 гций через подло)кку 4 и слОЙ 3 слугк 21 ь;и Коелектором локялыу 0 Ооласть фотосл 05 2. Проволимость Освещеного 5 частка фотослоя 2 из-за внутреннего фотоэффекта резко возрастает, что приводит к созданию токопроволящего мостика между соответствующим участком фотослоя 1 и слоем 3, кото- рыЙ зарякается ло потенция;12 этоо участка.1 яких Ооразом, скан.рованнем светового зо;1- 5 ла, сформированного источником 8, опзсделяется заспоеделение пОтсппияла ня фотослОе 1.ОсновЫг молелирующм элементом предлагаемого устройства является тс:евая маска 6. Выбирая форму и распределение оптичес кой плотности маски, можно создавать нафотослое 1 электрические поля различной конфигурации. Задавая с помощью оптоэлектронного сдвигового регистра режим сканирования светового зонда, .ложно автоматизиро вать процесс снятия распрелелеия потенциала на исследуемой модели. 20Устройство для моделирования потенциальных полсй, солсржяшсе прозр 2 чпую лиэлектрическую по;ложку, фотопроводящий слой иисточник питаия, от,гииегои(ееся тем, что, с25 целью повыпсточности моделирова ,соде;,1 жпт дополпительыи фотопроводящий слой и троз 22 пы Токопровол 5 цнй слОЙ,установленные послелогатсльпо а прозрачпои лиэлектричсскои по;ложке тепсв;ю мас 30 ку распо;Ожспню пагротРВ Основ:ого фотопроводящего слоя, соел; спного с источникомПИТЯН 51 и УСТ 2 НОВЛС:1 ПОГО На;ОПОЛ 1 ИТСЛЬПОМфотопроводящем слое,