Накопитель запоминающего устройства

Номер патента: 550674

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Коренев, Петровых

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель, ферроакустический

...5, расположенные в спирали 2, тонкие магнитные пленки 6, поглощающий материал 7, магнитострикционные преобразователи 8 с контактными площадками 9. Дополнительная подложка 10 (см. фиг. 2) содержит вторую спираль 11 шины записи-считывания с контактными площадками 12 и 13.Подложки 1 и 10 в собранном накопителе расположены токопроводящими слоями друг к другу вплотную, причем токопроводящие слои изолированы. В токопроводящих слоях подложек 1 и 10 вытравлены спирали 2 и 11 шины записи-считывания, причем они расположены соосно и соединены встречно через центральные контактйые площадки 3 и 12.В радиальные пазы 5, прорезанные в первой спирали 2, уложены магнитные пленки 6, один конец которых закреплен в центре подложки 1 поглощающим материалом...

Номер патента: 2001448

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грушин, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, магнитопровод, накопителя, цилиндрических

...функцийэкрана этот же участок определяет помехозащищенность НИ от внешнего магнитногополя, направленного согласно или встречнос полем смещения. Следует заметить, чтодаже идеально выполненный М хуже всегоэкранирует НИ именно от этого наиболееопасного поля. Таким образом, сварной шовв этой конструкции приводит к нестабильности свойств М при серийном производстве,а также к забраковке после сварки годныхНИ, Описанная конструкция в настоящеевремя не применяется.Целью изобретения является повышение зкранирующей способности М от внешних магнитных полей.Поставленная цель достигается тем, чтоМ для НИ на ЦМД содержит замкнутый короб с пазами, выполненный из двух деталейодинаковой формы иэ листового пермаллоя,причем детали короба состыкованы по...

Номер патента: 1624525

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Бегагоина, Волков, Селянина

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, накопителя, пленках, цилиндрических

...технике и может быть использовано приизготовлении накопителей информации нацилиндрических магнитных пленках (ЦМП),применяемых в электронных устройствах,Цель изобретения - повышение надежности накопителя информации.На фиг. 1 изображена форма для заливки компаундом матрицы накопителя информации на ЦМП, общий вид; на фиг. 2 - то же,вид сверху: на фиг. 3 - вид А на фиг. 2; нафиг, 4 - форма с изготовленной матрицейнакопителя информации с вырывом крышки, изометрическая проекция, горизонтальное положение.Предложенный способ осуществляетсяследующим образом,Для заливки матрицы 1 накопителя информации с технологическими струнами (непоказаны) используют разьемную форму 2, . 1624525 Аузкую зону со стороны выводов 6 матрицы 1, ограниченную...

Номер патента: 1024986

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Мартынюк, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Харламов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...электро-. ды и электродЫ возбуждения Я .Известна также ферроэлектрическая матрица памяти, в которой используется пластина из ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи- считывания 21Недостатком этих матриц является 15 сложная конструкция.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее подложку, активный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из которых размещены на поверхности активного слоя 3 .Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной системой шин для управления записью . и считыванием информации.Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя...

Номер патента: 1043745

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Мартынюк, Палей, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...также Ферроэлектрическая О матрица памяти, в которой используется пластина из Ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания 23. 15Недостатками этих матриц является акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция и технология изготовления.Наиболее близкой по технической 2 О сущностик изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запоминающих элементов с неразрушающим чтением, содержащая активную пьезопластину, взаимно перпендикуляр-.25 ,ные числовые и разрядные шины, расположенные.с двух сторон активной пьезопластины Г 33Недостатком известной матрицы является низкая надежность иэ-за акустических помех, обусловленных монояитной конструкцией запоминающей...